东芝NAND闪存市场传捷报

2006年第一季度，东芝公司在NAND闪存市场斩获颇丰。作为NAND闪存第二大供应商，东芝一季度的收益为8．01亿美元，比上个年度第四季的6．8亿上升18％。东芝的佳绩同时拉动日本NAND闪存芯片在全球市场占有率，由上个年度第四季的19．2％迅速攀升至一季度的24．6，增长了5．4％。     

国际要闻

<正>东芝今年开始生产闪存芯片采用43nm制程据日本经济新闻日前报道,东芝最快将在本会计年度开始采用43nm制程生产闪存芯片,以降低生产成本。     

东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。     

Spansion推出MirrorBit Quad闪存技术

闪存供应商Spansion日前宣布推出业界首款采用每单元四比特技术的闪存芯片。Spansion Mirror Bit Quad技术的设计用以拓展创新的闪存，并降低电子设备内海量数字内容存储的成本。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

东芝Hynix了结闪存专利纠纷

近日，日本东芝和韩国Hynix宣布，已经签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。     

东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平

ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.(TAEC)(东芝美国电子元件公司)及其母公司东芝公司(ToshibaCorp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flashmemory)开发与制造方面的领导地位,4月6日推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC)NAND闪存。东芝还宣布推出     

微波天馈线测试仪

由AMD和富士通公司投资的闪存供应商Spansion LLC6月14日宣布，法国领先手机制造商SAGEM(萨基姆公司)已经开发出一款名为sAGEMmvX-8的新型手机，该手机采用了Spansion(tm)S29GL512N闪存芯片——它是业界惟一投产的单芯片512MBNOR闪存产品。     

中国闪存市场2009年度盘点

随着需求再度涌现，业界都非常看好2010年NAND闪存市场，然而调货和库存管理能力将成厂商最大的考验。谁能掌握NAND闪存芯片货源，谁便是最后的赢家。     

闪存市场开始NAND和NOR融合

闪存已经在DVD播放机、数码相机、MP3播放机、数字有线机顶盒／卫星机顶盒、数字电视和可拍照手机等消费类电子产品中得到广泛应用，在目前的闪存产品中，主要有NOR和NAND两类，目前以NOR类产品在市场中居于主导地位。2003年，NAND闪存占整体市场的35％左右，而包括多芯片封装产品在内，NOR则占据了剩余的65％，其中多芯片封装产品的份额是闪存整体市场的17％。     

短新闻

东芝推出目前存储容量最大的嵌入式NAND闪存模块近日,东芝宣布推出128GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内同类产品的最大容量。     

东芝Flash发明人向公司要求10亿日元专利费

日本离职员工与企业间的专利费诉讼越演越烈!继日立的光盘读取装置、日亚化学的蓝光LED专利以及目前仍在那霸地方法院审理当中的三菱电机离职员工向公司追讨闪存专利费事件后,日前又添一件,即前东芝员工舛冈富士雄近日向东京地裁所提出申请,要求东芝以10亿日元的代价买下闪存之专利权。但东芝尚未对此发表任何意见。据悉。舛冈目前为东北大学教授,1980～1987年任职于东芝期     

三星东芝支持新一代NAND闪存标准

三星和东芝共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存,即toggle DDR 2．0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。     

东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上最高密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相＼Ⅶ,新产品的写入速度约为2．5倍。     

Hynix 2005年NAND闪存市场收获颇丰

韩国现代半导体（Hynix）NAND闪存的销售急剧上升，2005年度约增长了500％，使Hynix牢牢占据了三分之一的市场份额。为市场的第二把交椅，2006年Hynix与日本东芝之间势必存在一场竞争。     

SanDisk自建大陆封测厂 将于2007年上半年对台封测厂有所冲击

全球闪存卡龙头SanDisk近期投资动作连连，除了与日本东芝宣布将携手建立第二座NAND闪存Φ300mm晶圆厂外，在大陆兴建自家首座芯片封装测试及记忆卡组装厂的计划，也终于在近日拍板定案。据设备业者指出，SanDisk大陆封测厂将落脚上海浦西闽行区内的紫竹工业区，预计第四季小量投产，若依照SanDisk产能规划，这座后段封测厂的总产能将不亚于台湾NAND封测业者。     

Sun与三星合作开发高性能服务器闪存芯片

三星日前已与Sun开展合作,双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。两家公司宣称,与现行标准的SLC闪存芯片相比,新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外,新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。     

“闪”亮登场

硬盘已经成了电脑速度提升的瓶颈。速度更快的闪存是目前最有希望的硬盘接班人，但价格和容量上的限制决定了它在短期内还很难广泛取代硬盘。此前三星、富士通、东芝等公司都尝试性地推出了换用闪存的笔记本电脑，索尼的VAIOUX18／28也名列其中，不过受到成本的限制，它们的存储量都没有超过32GB——面对日益增多的多媒体应用。     

大容量FLASH在单片机台标系统中的应用

简要介绍了FLASH（闪存）的特点，详细说明了Intel公司的FLASH芯片28F640J5在单片机台标系统中作为台标图像存储器的应用，给出了芯片与单片机接口的设计思想以及软件的编制流程。