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高光束质量大功率半导体激光阵列的微通道热沉 总被引:1,自引:0,他引:1
针对现有高光束质量大功率半导体激光阵列内部发光单元条宽、填充因子不断减小,腔长不断增加的发展趋势所带来的热源分布及长度变化影响器件热阻的问题,利用分离热源边界条件结合商用计算流体力学(CFD)软件FLUENT进行数值计算,获得微通道热沉热阻随阵列器件发光单元条宽、空间位置变化关系以及不同阵列腔长对应的微通道优化长度.根据优化参数制备获得尢氧铜微通道热沉,并对宽1 cm,腔长1 mm,条宽100μm,填充因子为25%的半导体激光阵列进行散热能力测试,冷却器外形尺寸27 mm×11 mm×1.5 mm.微通道热沉热阻0.34 K/W,能够满足半导体激光阵列器件高功率集成输出的散热需求. 相似文献
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对激光二极管中冷却和界面联接热阻两个关键环节进行了分析 ,设计了一种五层结构的模块式铜微通道冷却器 ,对于腔长 0 .9mm、宽 1 0 mm的线阵激光器二极管 (DL )芯片热阻为0 .39°C/W。对冷却器进行了面阵 DL封装实验 ,在工作电流 5 2 A,电压 41 .4V时 ,封装的面阵 DL输出功率 1 0 0 5 W,电光效率 45 %,中心波长 80 7.3nm,谱宽约 2 .2 nm。经快轴准直后整个面阵输出激光的发散角小于 2°(快轴 )× 1 2°(慢轴 )。 相似文献
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激光二极管抽运单块高斜度效率环形腔单频固体激光器 总被引:10,自引:5,他引:10
对于单块结构非平面环形腔单频固体激光器.谐振腔尺寸和输出耦合面偏振膜反射系数的选取是其获得单频、高效率、高功率输出的关键。采用琼斯矩阵的方法讨论了单块激光器获得单频输出的工作原理。通过对谐振腔回路琼斯矩阵特征值的平方及特征值平方差的计算,提出了在品体尺寸、磁场及抽运功率一定的情况下.通过对单块非平面环形腔输出耦合面偏振膜反射系数的设计来提高激光器的单频输出功率及斜度效率的方法。实验采用光纤耦合输出激光二极管(LD)纵向抽运单块激光器,当抽运功率最高用到2.83W时。获得了最大1.20W的1064nm单频激光输出.斜度效率达47.4%。 相似文献
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60%电光效率高功率激光二极管阵列 总被引:3,自引:1,他引:3
设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件.微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1W /A和38.2 W.测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%.测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计. 相似文献
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激光二极管列阵抽运Nd:YAG/LBO大功率蓝光激光器 总被引:5,自引:0,他引:5
报道了激光二极管列阵(LDA)端面抽运全固体腔内倍频大功率蓝光激光技术的研究。采用复合Nd:YAG晶体作为增益介质,并利用半导体致冷器(TEC)对激光晶体的温度进行精密控制。倍频晶体采用Ⅰ类临界相位匹配方式切割的LBO晶体。谐振腔为Ⅴ型结构。根据大功率抽运条件下激光晶体热透镜效应严重,且热透镜的焦距会随着抽运功率的增大逐渐变短的特点,计算出最大抽运功率条件下激光晶体的热透镜焦距,依据此数据来优化谐振腔结构,使激光器实现最佳模式匹配和倍频效率,得到高效蓝光激光输出。在可吸收抽运功率为18.5W时,473nm蓝光激光输出功率为1.38w,抽运光-倍频光的光-转换效率为7.5%。 相似文献
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《Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on》2008,31(3):642-649
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大功率激光二极管无助焊剂烧焊技术 总被引:1,自引:0,他引:1
烧焊质量对大功率激光二极管的可靠性及寿命影响很大.为获得良好的烧焊质量通常在烧焊过程中使用助焊剂,但是助焊剂残留物会因腐蚀作用对激光二极管的性能及寿命产生不利影响.对蚁酸气体保护下的激光二极管无助焊剂烧焊技术进行了研究,介绍了几种去除焊料表面氧化层的方法,重点对蚁酸气体保护的烧焊进行了原理分析,并结合实际经验给出了合适的工艺曲线,利用此曲线烧焊出一定数量的样品,与氢气保护烧焊的器件进行了相关参数比较,证实了蚁酸保护烧焊在焊料的浸润性、器件的热阻及剪切力方面具有明显优势. 相似文献
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大功率激光二极管的精密恒温制冷系统 总被引:13,自引:0,他引:13
介绍了一种大功率激光二极管的精密恒温制冷系统,利用半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和精密温控,构成全固态制冷系统。本系统使用PC机作为控制平台,采用自整定PID算法,人机界面友好,控制精度高,温控精度可达±0.1℃,激光二极管输出光功率波动峰峰值小于1.5‰。 相似文献
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GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信号模型,利用ADS软件搭建了有耗匹配的二级放大电路拓扑结构,进行最佳效率匹配,得到优化电路。采用4英寸(1英寸=2.54cm)GaAs0.35μm标准工艺研制了AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT MMIC电路,测试结果表明,在测试频率为2.2~3.4GHz,测试电压VDS为10V时,输出功率大于12W,功率增益大于22dB,功率附加效率大于40%。 相似文献
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