电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响

本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.     

一种高频高压双极性功率器件的研究

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。     

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉ ＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。     

新型微波器件——异质结双极晶体管

主要叙述各种材料异质结双极晶体管的结构，特点及其应用情况。     

辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响。

在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后,器件的正栅亚阈值特性无明显变化,背栅亚阈值特性发生平移,但均未发生漏电,说明其抗辐照性能超过1E6rad(Si)。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大,并且与背栅阈值电压的变化趋势相似,可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高,提高了发射极的发射效率。     

硅双极晶体管1／f噪声的物理机制

在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声。到目前为止,一般认为,1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落。这两种1/f噪声有不同的表现形式。目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于对1/f噪声的物理机理还没有一个完整、统一的理论。本文对已见发表的1/f噪声主要研究结果作了评述。     

高性能硅双极器件的发展

以ECL电路为主,讨论了硅双极器件近期的发展。简述了VLSI中ECL电路结构和性能之后,着重讨论双极器件的按比例缩小、结构的改进以及相关的工艺技术的发展,最后分析了双极器件的低温工作性能。     

硅低温双极晶体管的优化设计与制备：I.优化设计理论

本文研究了硅双极晶体管电流增益和截止频率的低温物理特性，提出了电流增益在低温下将随发射区杂质浓度的下降和基区杂质浓度的上升而上升的新理论，得出了低温下硅中浅能级杂质将起有效陷阱作用的新结论。在上述基础上，本文对发射区、基区和收集区的掺杂分布进行了优化设计，这将成为获得高性能硅低温双极晶体管的重要设计依据和理论基础。     

中子辐照对双极器件电参数的影响

双极型晶体管在受到中子辐照之后,要引起电流增益和饱和压降的退化。本文主要分析:1.不同纵向参数的器件,电流增益在各个区域的退化程度,且与测试h_(FE)时的电流密度及h_(FEo)的关系;2.影响饱和压降变化的各种因素,结果表明电导调制宽度X_c的减小是引起饱和压降退化的主要原因;3.利用加固器件的辐照结果对寿命损伤常数K值进行了推算,由于K是杂质浓度的函数,不同区域K值不同。     

中子辐射下双极IC放大性能的变化

文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极ＩＣ在中子辐射时的性能变化。     

GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律.结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感...     

SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究

对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。     

工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用

工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法。文章通过应用于MoS器件和双极型器件的工艺与器件设计，介绍工艺综合并验证工艺综合思想；介绍了基于工艺综合开发的MO-SPAD软件系统。在工艺综合系统中，使用响应表面法可加速综合的速度。     

光照对多孔硅生成的影响

研究了多孔硅制备过程中光照对孔隙率大小的影响。实验结果表明 ,在不同的光照度下孔隙率会出现一极大值。从光化学过程对这一结果进行了理论分析。     

高速双极器件制造中的离子注入技术

本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。     

单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.