陶瓷纳米金属化技术

在陶瓷金属化层中加入α Al2O3等超微复合粉体,取得了金属化层致密、封接强度提高和金属化温度降低的明显效果。     

陶瓷电路基板的新型金属化技术

研制成功一种新型的陶瓷电路基板的金属化技术，它兼容了薄膜和厚膜技术的优点，采用ＳＥＭ研究了陶瓷基体的浸蚀特性。测量了金属化导体的附着强度、可焊性、薄层电阻、导热能力及微波损耗，并进行了温循和老化等可靠性试验。测试及应用结果表明，采用该技术可在氧化铝瓷基板上制作附着牢固的铜金属化电路图形，其机、电、热性能优良，可靠性好，为微波和混合集成电路衬底金属化技术开辟了新的工艺途径。     

BeO瓷的金属化和封接

综述了氧化铍瓷的金属化及其封接技术,指出氧化铍瓷和Al2O3瓷在金属化工艺上的差异,论文最后汇集了国内外常用烧结金属粉末法15种配方和工艺参数,以资同行专家参考.     

金属化膜电容器材料分切赋能电源的电路设计

在金属化膜电容器制造过程中,对材料分切工序进行赋能处理,可以有效地提高电容器的性能。赋能电源的输出电压和输出电流应根据金属化膜的厚度加以设定。文中给出了由电压控制环、电流控制环、PWM放大电路及高压整流滤波电路等部分组成的金属化电容器材料分切赋能电源的电路设计方法。     

浅析高压绝缘子和高压电力设备带电化学清洗技术

介绍了高压绝缘子和高压电力设备的化学清洗剂技术,描述了该种方法的操作方法、注意事项,并通过与其他方法的比较,总结了这带电化学清洗的优势.     

电子封装技术和封装材料

本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。     

一种基于表面改性和原位自金属化技术的柔性双陷波超宽带天线

设计、制备、测试一种基于聚酰亚胺基板的柔性双陷波超宽带天线。提出的天线在室温下由表面改性和原位自金属化技术制备,由该技术制备的柔性双陷波超宽带天线低于-10 dB的仿真和测试的带宽分别是2.58～10.7 GHz和2.5～10.87 GHz,实现了WiMAX频段和WLAN频段的陷波。天线在3.5 GHz和5.5 GHz两个频率都保持着良好的全向辐射特性。此外,为了确保该柔性天线的实际可操作性,还测试了不同弯曲程度下天线的性能。该技术工艺过程简单,成本低,可以作为印刷技术的替补,在柔性电子设备中有广泛的应用前景。     

发电厂母管式给水系统应用高压变频器的技术和经济分析

本文主要介绍了交流伺服系统用于真空等离子焊接设备以实现其定枪全自动，连续焊接的精确定位控制的原理及设计，以及系统的软、硬件选型方案。     

用于军事和航空航天领域的高可靠性技术

高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率相结合。此外,因为基于高容量的Si制造流程,高压LDMOS的可靠性众所周知且已经过市场验证。LDMOS的固有特性使其可承受+5dB的过驱动,且无故障风险,灵活性的提升有助于实现不同的脉冲格式并防止热失控,从而使整体系统设计比既有的双极技术更简单。     

寻求灵活、经济和高速的材料涂敷工艺

制造商和设备装配厂商在许多情况下都需要以高速度涂敷精密计量的昂贵印料并达到非常严格的定位公差,有时,这些涂敷需要在不平、已经贴装高密度元件或难以触及的表面上进行.耐用电子产品、传感器、微型位置编码器、隐蔽的保密装置和嵌入式电子设备只是其中一些产品例子,面对艰巨的印料控制挑战,但如要实现商品化便须进行高速的大批量生产.     

氧化铝陶瓷金属化工艺的改进

针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素，在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进，提高工艺水平，保证质量稳定性、一致性。     

ZnO压敏陶瓷溅射金属化的研究

采用直流磁控溅射工艺实现氧化锌压敏陶瓷的金属化,提出以三层电极膜系(镍铬/铜/银)的结构来获得更优的机械性能和电性能。与传统丝印烧结银浆金属化工艺相比,磁控溅射工艺绿色环保,溅射电极的厚度可控,与基底的附着力更强,且具有更优的电性能。研究结果表明,采用磁控溅射工艺,膜层附着力可以从9.7 MPa提高到13.9 MPa;器件的非线性系数和压敏电压分别增加了45.5%和5.6%,漏电流降低了55%;经过125℃、100h的高温负荷寿命试验后,压敏电压变化率从1.32%降低到了0.61%。对于氧化锌压敏电阻,磁控溅射法制备的三层膜电极的电气性能、机械性能和可靠性均远优于烧银电极,具有良好的应用前景。     

中低温金属化配方的研制及应用

讨论了在不使用二氧化锰及不熔炼玻璃相的前提下,确定以钼为主体,锰-铝-硅为三元玻璃相,添加一定添加剂改变性态的方式,研制了1380～1420℃的金属化配方,并成功应用于生产。降低了生产成本,在技术上增强了金属化膏剂工艺的稳定性及可控制性,质量上可提高产品的一致性。     

特种高压变压器绕制工艺技术研究

某特种高压变压器按工艺要求生产后,因外径尺寸偏小,放入灌注模具中,其高压引线柱不能伸进模具内壁的高压孔内,无法对高压变压器进行测试.对其留边量进行放大调整后,在测试电路中不能起振.经过分析研究和一系列绕制实验,找到了适合此特种高压变压器的留边量,使其符合灌注模具尺寸及耐压要求,又能在测试电路中正常起振.通过对绕制工艺的改进,解决了分布电容及漏感过大问题,高压变压器满足了使用要求.     

高热导率陶瓷材料的进展

叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用，主要包括BeO，BN，AIN等三种陶瓷材料。特别介绍了AIN陶瓷的发展前景及其最新应用。     

AlN陶瓷的应用及其表面金属化

ＡｌＮ陶瓷由于其优良的导热性能，良好的高频性能及与ＢｅＯ相比无毒性，是一种很有潜力的微波功率器件用材料。ＡｌＮ陶瓷的许多应用都涉及到了陶瓷表面金属化技术及与金属接合技术，本文对ＡｌＮ陶瓷的应用、ＡｌＮ陶瓷表面金属化及其与金属接合技术的现状及发展进行了评述。     

CSOP型陶瓷小外形外壳工艺研究

介绍了CSOP型陶瓷小外形外壳的结构特征及产品的关键工艺技术解决方案。对提高隔离电阻电压、降低水汽含量以提高气密性筛选合格率、外引线共面性、瓷体外观控制、印刷和穿孔注浆精度等5项专题进行了较深入的研究。研究成果能较好地指导CSOP型陶瓷小外形外壳的批量生产。     

陶瓷材料及工艺的开发与应用

用先进陶瓷材料代替金属制造发动机是目前国内外研究的新课题，从提高生产效率，节约能源，提高发动机寿命等角度出发，介绍了用陶瓷材料制备的活塞、活塞销，气缸等发动机零部件的特点，制造方法及国内外应用情况。     

低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的制备工艺以及未来应用前景。