碳纳米管阴极平板显示器的工艺研究

碳纳米管场致发射显示器是一种新型的真空器件，也是一种具有巨大应用潜力的平板型显示设备。本文详细地介绍了碳纳米管场致发射原理，给出了碳纳米管阴极平板显示器的基本结构和工作原理，对于显示器件的真空封装，碳纳米管阴极装配，控制栅极制作等工艺问题进行了阐述和研究。采用这些技术，已经研制出了碳纳米管阴极场致发射显示器的样品。     

三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理，基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题，荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题，在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上，成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

高亮度金刚石薄膜场发射荧光管的制作

利用微波等离子化学气相沉积法,制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜作为场发射阴极材料。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺,从器件封装、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了探索和创新,实现了场致发射荧光管的高真空封装。综合采用这套技术,已经研发出的真空场致发射荧光管,在5.45 V／μm电场下,光的亮度达到了11 000 cd／m2。为将来设计制作矩阵寻址场发射平板显示器件奠定了基础。     

残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响

1引言场致发射阴极阵列对发射体尖端受污染是非常敏感的，这些污染来自真空封装内的各种残余气体。这些气体除了会改变尖端表面的性能，还会被场致发射的电子电离。这些能量高的离子撞击尖端引起尖端表面结构的变化，从而使发射电流不稳定，甚至使器件失效。因此，必须基本了解各种残气对场致发射阵列灵敏度的影响，以保证器件的发射电流具有长期的稳定性及可靠性。目前对场致发射真空微电子器件人们感兴趣的是将它用作矩阵寻址电子束激发源的平板场发射显示器（FED）。场致发射显示器与阳极射线管相类似，只是它采用薄型平板封装。FED工…     

场致发射平板显示器的研究进展

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。     

三极场发射显示器件的发光优化制作

结合低熔点玻璃粉密封工艺,应用钙钠平板玻璃分别形成阴极面板、阳极面板和封装面板,研发了三极结构的场致发射显示器件。阳极面板作为相互连通的发射腔和排气腔的公共端,用于产生器件显示图像;具有高平整度的阳极面板处于真空环境中,不会出现形变现象,确保了发光图像的显示均匀性。封装面板上不存在任何电极。整体封装器件制作工艺稳定、可靠且成本低廉,具有较高的显示亮度、良好的栅控特性和图形显示功能。     

四针状纳米ZnO在场致发射显示器的应用研究

以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板.将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示.该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11 μA/cm2.通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能.实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料.     

场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究

本文简叙了场致发射阵列真空荧光平板显示屏的发展概况,分析了这种显示器件的工作原理和驱动方式,并就这种器件的结构和工艺进行了讨论。最后,针对场致发射阵列真空荧光平板显示屏存在的问题,提出了今后改进的措施。     

新型三极碳纳米管场发射器件的研究

采用催化剂高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极。利用优质云母板作为绝缘材料．结合简单的丝网印刷工艺制作了新型的栅极结构。详细地给出了新型三极碳纳米管场发射器件的制作工艺．对场致发射的机理进行了初步的讨论。采用这种新型的栅极结构．不仅极大地降低了总体器件成本．同时避免了碳纳米管薄膜阴极的损伤．提高了器件的制作成功率。所制作的三极结构平板场发射器件具有良好的场致发射特性和栅极控制能力。