SmDyFeCo磁光薄膜的制备和性能研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响。实验表明，反射率随氩气压升高而降低。矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小。高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差。本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小。反射率随溅射     

界面对TbFeCo薄膜磁畴的形成和移动的影响

本文用振动样品磁强计和磁光克尔回线测试仪研究了非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜和ＡＩＮ薄膜之间的界面对非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜磁畴的形成和移动的影响，得出结论：ＡＩＮ薄膜的表面粗糙程度对非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜的磁和磁光性能有影响。当表面光滑时，非晶ＴｂＦｅＣｏ薄膜的磁滞回线和磁光克尔回线的矩形比高，这是由于磁畴的成核和移动与界面粗糙性质紧密相关的结果。     

非晶稀土——过渡金属磁光薄膜热稳定性研究

采用射频磁控溅射方法制备非晶ＤｙＦｅＣｏ磁光薄膜。样品的克尔回线、转矩曲线的测试显示，薄膜具有优良的磁和磁光性能。退火研究表明，随着退火时间的增加，矫顽力下降，垂直磁各向异性能减少，但克尔角变化不明显，其内在机制与薄膜中的微缺陷和应力的弛豫过程有关。     

（Dy,Gd）FcCo磁光记录薄膜温度特性的计算与分析

依据实验结果，运用平均场理论，计算了（Ｄｙ，Ｇｄ）ＦｅＣｏ磁光记录薄膜随温度连续变化时的饱和磁化强度Ｍｓ，得到了居里温度、补偿温度及Ｍｓ（Ｔ）随材料成分变化趋势图。这些结果对于研究磁光材料的温度特性及热稳定性具有一定的参考价值。     

超负磁致伸缩晶体Sm－Fe、Sm－Dy－Fe和Sm－Dy－Fe－Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅ＿ｘ（１．４０＜ｘ＜１．９４），Ｓｍ＿ｘＤｙ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｙ（０．８４＜ｘ＜０．９２．１．８０＜ｙ＜１．９０），Ｓｍ＿（０．９０）Ｄｙ＿（０．１０）（Ｆｅ＿（０．９５）Ａｌ＿（０．０５））＿（１．８０）晶体的制备、热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅ＿ｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点随热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能的影响。热处理用于改善磁致伸缩性能，并且制得了高磁致伸缩性能的ＳｍＦｅ＿２和（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ＿２合金。     

铁基巨磁阻抗薄膜的研究

溅射方法制备的非晶Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｖ５Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜,通过适宜的退火处理得到具有纳米ａ－Ｆｅ（Ｓｉ）和非晶母相的混合结构和最佳的软磁性能,相应的巨磁阻抗值最高可达７２％。本着重研究了热处理条件、薄膜组织结构、较磁性能以及驱动电流频率对Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜磁致阻抗的影响。     

超负磁致伸缩晶体Sm—Fe,Sm—Dy—Fe和Sm—Dy—Fe—Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅｘ（１．４０≤ｘ≤１．９４），ＳｍｘＤｙ１－ｘＦｅｙ（０．８４≤ｘ≤０．９２，１．８０≤ｙ≤１．９０），Ｓｍ０．９０Ｄｙ０．１０（Ｆｅ０．９５Ａｌ０．０５）１．８０晶体的制备，热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能     

Cu对Fe基非晶合金内禀磁性及晶化行为的影响

利用ＤＳＣ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱及磁性测量技术研究了Ｃｕ取代Ｆｅ对ＦｅＳｉＢ非晶合金的内禀磁性及晶化行为的影响。结果表明：Ｃｕ元素取代Ｆｅ使ＦｅＳｉＢ非晶合金的λｓ，σｓ，Ｈｆ，μＦｅ下降，但居里温度Ｔｃ升度。而且，Ｃｕ的加入能够显著地降低ＦｅＳｉＢ非晶合金的晶化温度及晶化激活能，改善αＦｅ（Ｓｉ）相的形貌。ＦｅＣｕＳｉＢ非晶合金的晶化行为表明：在非晶合金内部存在αＦｅ（Ｓｉ）相成     

非晶态合金丝巨应力电阻效应的研究

研究了具有近零磁致伸缩系数Ｆｅ４．３５Ｃｏ６８．１５Ｓｉ１２．５Ｂ１５晶态合金丝在外加压应力作用下显示的巨应力电阻抗效应。比较了Ｆｅ４．３５Ｃｏ６８．１５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶材料及具有大磁致伸缩系数的Ｆｅ７７．５Ｓｉ７．５Ｂ１５非晶材料在弯曲应力作用下显示的应力电阻抗效应的异同。仔细胞研究了结果非晶丝两端的电压信号峰峰值与外力,驱动电流Ｉｍｓ及频率ｆ的     

磁场下Sm0.88Dy0.12Fe2合金的晶格畸变研究

本文研究外加磁场情况下，Ｓｍ０．８８Ｄｙ０．１２Ｆｅ２合金的微观结构，确定了低磁场下，该合金中（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ２相由立方晶转变为正方晶系，原子发生了位移，初步分析了微观晶格畸变与宏观磁致伸缩应变的关系。     

等温退火Fe_（73．5）Cu_1Mo_3Si_（13．5）B_9合金的纳米晶结

本文用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_１Ｍｏ_３Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_９非晶合金在５２０℃，２０－１２０ｍｉｎ退火后形成的纳米晶结构。结果表明，晶化相为局部具有ＤＯ_３超结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ），尺寸约为１４ｎｍ，α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶粒由ＤＯ_３有序区和无序区组成。随退火时间的延长，α－Ｆｅ（Ｓｉ）的体积分数，Ｓｉ含量及ＤＯ３有序区尺寸增加。在退火时间为６０ｍｉｎ时，残余非晶相处于一特殊结构状态。α－Ｆｅ（Ｓｉ）相和残余非晶相结构对合金的起始磁导率均有影响。     

Tb0.27Dy0.73Fe1.9多晶与定向晶棒及其磁致伸缩特性

本文用自行设计的实验装置与工艺研制出Ｔｂ０．２７Ｄｙ０．７３Ｆｅ１．９磁致伸缩多晶棒和定向晶棒。用光学金相检验了定向晶棒的晶粒生长情况、晶粒大小与分布。测量了Ｔｂ０．２７Ｄｙ０．７３Ｆｅ１．９棒的居里温度、磁化曲线、磁致伸缩、机电耦合系数、弹性模量、共振频率及品质因素。比较了多晶棒与定向晶棒的磁性参数，讨论了晶粒定向对Ｔｂ０．２７Ｄｙ０．７３Ｆｅ１．９合金的磁致伸缩特性的影响．７３２．１１ｋＡ／ｍ磁场时，多晶棒和定向晶棒的磁致伸缩系数 分别是１２５０ｐｐｍ和１６１０ｐｐｍ．多晶棒和定向晶棒的有效机电耦合系数分别是０．８５和０．９２．定向结晶后，Ｔｂ０．２７Ｄｙ０．７３Ｆｅ１．９合金的磁致伸缩特性明显提高。     

等温退火Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9合金的纳米晶结构及其与起…

本文用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９非晶合金在５２０℃２０－１２０ｍｉｎ退火后形成的纳米晶结构。结果表明，晶化相为局部具有ＤＯ３超结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ），尺寸约为１４ｎｍ，α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶粒由ＤＯ３有序区和序区组成。随退火时间的延长，α－Ｆｅ（Ｓｉ）的体积分数，Ｓｉ含量及ＤＯ３有序区尺寸增加。在退火时间为６０ｍｉｎ时，残余非晶相处于一特殊结构状态。α－Ｆｅ（Ｓｉ）相     

采用溅射法制备SrGa2S4：Ce薄膜

采用ＲＦ溅射技术制备了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜，并获得了发射波长为４４６ｎｍ的纯蓝色发光，其ＣＩＥ色坐标为ｘ＝０．１４，ｙ＝０．０９，研究了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜的激发谱和发射光谱，采用ＸＲＤ测定了薄膜的晶体结构，采用ＳＥＭ观察了薄膜的表面形貌，同时着重研究了后退火气氛，温度和时间对薄膜发光特性的影响。     

Al,Ga取代Bi：DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究

本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Ａｌ和Ｇａ取代的Ｂｉ：ＤＹＩＧ薄膜，对其磁和磁光特性做了详细研究．Ａｌ和Ｇａ取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力．对于Ｂｉ１．２Ｄｙ１．８Ｆｅ５－ｘＭＸＯ１２（Ｍ＝Ａ１，ＧＺ）薄膜，Ａ１和Ｇ２的最佳替代成份分别为１．０和Ｇ．７；最佳晶化温度分别为７００ｏ℃和６７５℃．在波长５１０ｎｍ附近，法拉第旋转角可达８°／ｕｍ左右．光学吸收和品质因子的研究结果表明，Ａｌ和Ｇａ取代能够影响光学吸收和品质因子，其中Ｇａ取代对光学吸收和品质因子的影响较大．     

Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ、Ｂｉ－ＹＩＧ及Ｃｅ－ＹＩＧ磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效庆的两种电转移跃迁。对Ｃｅ＾３＋的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ｃｅ５ｄ、Ｃｅ４ｆ与Ｆｅ３ｄ形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ｃｅ＾３＋的掺入产生了新的跃迁;它们是Ｃｅ－ＹＩＧ的磁光效应增大的原因。     

Co—Fe—Si—B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

用旋转水中纺丝法制成几种不同直径的（Ｃｏ０．９４Ｆｅ０．０６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶丝,对丝进行张力退火后,测试了非晶丝热处理前后的磁阻抗性能。结果表明制成的非晶丝具有明显的巨磁阻抗效应,且巨磁阻抗效应随电流频率不同而表现出正磁阻抗和负磁阻抗两种规律。张力退火对正磁阻抗效应有明显改善,而且对直径小的试样,阻抗对轴向外磁场变化的灵敏度更高。实验得到的最大灵敏度为１２４％／Ｏｅ。     

Sm8Fe83Si2C5Cu0.5Nb1.5非晶合金的晶化动力学

用差热分析（ＤＴＡ）,结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了Ｓｍ８Ｆｅ８３Ｓｉ２Ｃ５Ｃｕ０．５Ｎｂ１．５非晶合金的晶化动力学。结果表明：温度在０￣１０００℃范围内,该合金的晶化相为α－Ｆｅ和Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ,α－Ｆｅ相的晶化表观激活能力３４９．５３ｋＪ／ｍｏｌ,Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ的晶化表观激活能力３１６．１９ｋＪ／ｍｏｌ,两相在晶化初期激活能量小,随晶化量（ｘｃ）的增加激活能增大,当α－     

石榴石型磁光存储材料

稀土铁石榴石薄膜被认为是最具应用前景的下一代磁光记录材料。稀土铁石榴石薄膜具有高的矫顽力、良好的热、化学稳定性及强的磁光效应等特点；特别是当Ｂｉ３＋和Ｃｅ３＋离子部分取代石榴石结构中的稀土离子后，可以极大地增强其磁光效应。本文就磁光记录的原理、磁光存储材料、稀土铁石榴石磁光薄膜的制备及其如何降低石榴石薄膜中的晶界噪声等问题作了一些探讨。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。