金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上制备了铱薄膜.研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系.铱薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,铱的沉积速率达到最大值,基体温度对薄膜质量有显著影响;随着以乙酰阿酮铱加热温度的升高,铱的沉积速率直线增加;而Ar流速的增大则显著减小铱的沉积速率.     

化学气相沉积技术与材料制备

概述化学气相沉积技术是一般原理与技术，总结化学气相沉积技术在材料制备方面的发展与应用状况，着重介绍化学气相沉积技术在制备贵金属薄膜和涂层领域的最新进展。     

用低压化学气相沉积法形成钼膜

一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。     

CH4化学气相渗透沉积提高焦炭热性质研究

热解炭化学气相渗透沉积具有填充和修整焦炭气孔的功能,利用甲烷高温裂解生成的热解炭在焦炭内外表面渗透沉积可达到提高焦炭热性质的目的。试验结果显示,经过渗透沉积的焦炭抗CO4反应能力大幅提高,CRI和CSR明显改善,分别从31．04％降低到20．28％和从63．24％提高到77．69％。此外,试验还发现,反应的最佳条件为甲烷混合气的体积分数为47％,在51L／h的流量和1000℃的温度下反应6h。     

在SiC晶须表面化学气相沉积BN薄膜的研究

采用化学气相沉积(CVD)法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH_3-BCl_3-H_2 混合气体,总压力为1.013×10~5Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_(NH_3)=0.06dm~3/min、D_(?Cl_3)=0.01dm~3/min、D_(?)=0.02dm~3/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。     

电泳沉积法制备固体电解质薄膜的沉积速率和沉积机理

研究了用电泳沉积法的制备含钇８末在悬浮介质中的荷电机理；采用界面移动法测定了８ＹＳＺ粉末在有机悬浮液中的电泳淌度和ξ电势，研究了ξ电势的影响因素；考察了８ＹＳＺ粉末在有机悬浮液中的分散性和稳定性；研究了电泳沉积的动力学规律，确定了电泳沉积过程的速度控制步骤，推导出电泳沉积速率方程。利用重复沉积－烧结法制备的致密化薄膜厚度不２６￣５６μｍ，硬度为４．３３ＧＰａ，在１０００℃时Ｏ＾－２电导率为１２．２     

电沉积法制备不锈钢镀层

本文用电化学方法制备 Fe-Cr-Ni 合金镀层。讨论了电沉积条件对形成 304不锈钢锭层的影响。实验结果指出:在常温、低的pH值及适当的电流密度下,镀液中的Cr³⁺和Ni²⁺含量达到一定的比值,可以获得成分与不锈钢(18Cr/9Ni)相似的铁铬镍合金镀层。     

化学气相传输法分离二元混合稀土氧化物

以KCl为络合物配体,研究与Y2O3离子半径十分接近的Dy2O3、Ho2O3和Er2O3的分离特性以及重稀土氧化物Ho2O3-Er2O3、Er2O3-Tm2O3、Tm2O3-Yb2O3及Yb2O3-Lu2O3之间的分离特性。实验结果表明,分离后主要沉积位置在中温和低温区。不同温度区域的最大分离系数分别为,SFY/Dy=11.49,SFY/Ho=15.28,SFY/Er=6.37。说明Y-Dy、Y-Ho及Y-Er控制一定的温度梯度完全可以达到分离目的。SFHo/Er=1.40,SFEr/Tm=2.21,SFTm/Yb=1.38,SFYb/Lu=4.33,高于传统的湿法分离系数。     

化学气相沉积制备粉体材料的原理及研究进展

采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉未,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料.该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料,通过化学气相反应合成所需粉末,因其制备的粉末纯度高,比表而积大,结晶度高,粒径分御均匀、可控,在粉体材料制备方面的应用日趋广泛.该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程.CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤.按照加热方式不同,CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等,用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点,选择合适的气源,开发更为安全、环保的生产工艺,以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证.     

化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研空了温度、压力、载气量和图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用。     

化学气相沉积制备SiC涂层—Ⅱ.动力学研究

对Ｈ２－ＭＴＳ体系化学气相沉积制备ＳｉＣ涂层进行了实验研究。结果表明，热力学计算能够对Ｈ２－ＭＴＳ体系单相ＳｉＣ的沉积进行很好的预报。动力学实验显示：在８００￣１０００℃之间，沉积过程由化学动力学控制，此时ＭＴＳ热解为一级反应，反应活化能为１９９ｋＪ／ｍｏｌ，而在１０００￣１１５０℃之间沉积过程由扩散控制。ＸＲＤ结果显示制备的是β－ＳｉＣ，形态为球形，涂层的生长可以用三维形核生长模型来描述。     

收稿电致色三氧化钼薄膜的研究与开发

叙述了电致色三氧化钼（三氧化钨）薄膜的性质、制备方法与应用现状。     

氧化物熔盐电沉积二硼化钛镀层的研究

分别采用脉冲电源和直流电源,利用TiO2 B2 O3 LiF KF熔盐体系,在石墨基体上电沉积制备了TiB2 镀层。在实验中,考察了直流电流密度、脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲电流幅度等条件对TiB2 镀层性能的影响。实验结果表明:采用脉冲电沉积得到的镀层性能优于直流电沉积。在本实验参数下(摩尔比TiO2 ∶B2 O3∶KF∶LiF =0 .0 6∶0 .4∶0 .74∶0 .8,温度80 0℃,脉冲宽度7.5ms ,脉冲间隔2 .5ms,电流密度0 .6A·cm- 2 ,电沉积时间5 0min)得到的TiB2 镀层表面平整,有金属光泽,结构致密,晶粒细小,与基体的结合力良好。     

沉积温度对化学水浴法CdS薄膜物理性质的影响

研究了化学水浴法制备的CdS薄膜微观结构与其带隙宽度的关系。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等对不同沉积温度下制备的CdS薄膜的生长速率、晶体结构、光学性质、表面形貌和薄膜组分及其相互间关系进行了研究。随着沉积温度升高,薄膜沉积速率变快,H(002)晶面间距相应增加,带隙宽度逐渐下降。同时CdS薄膜的表面变得更为光滑。结合能谱分析发现,随着沉积温度上升,CdS薄膜的中硫的含量相应增加,薄膜中Cd/S原子比例更加接近于1∶1。CdS薄膜晶格常数的增加造成了带隙宽度的下降。而晶格常数的变化则归因于沉积温度的变化对薄膜中硫的含量的影响。沉积温度上升会促进OH-离子与硫脲的反应,加速S2-离子的释放,从而导致溶液中S2-离子浓度上升。在CdS薄膜的生长过程中会有更多硫进入到薄膜中,使得薄膜中的硫空位减少。而硫空位的减少会使薄膜晶体结构更加完整,导致晶格常数上升,更加接近于体材料的晶格常数。