电化学沉积法制备Gd2O3∶Eu3+薄膜的发光特性研究

采用电化学沉积法制备Gd2O3∶Eu3+荧光薄膜,通过调节Eu3+离子掺杂浓度来探究具有最佳发光效果的薄膜,利用XRD、SEM,PL光谱和EDS测试分析该种材料的物相构成及表面形貌.结果显示:电化学沉积法制备的薄膜结晶效果好,具有立方晶体结构,掺杂离子Eu3+离子均匀地分布在薄膜中;制备出的荧光薄膜有良好的发光强度,当Gd(NO3)3·6H2O与Eu(NO3)3·6H2O的体积比为10∶1时发光强度最大,但当Eu3+离子掺杂浓度过大时,会出现荧光淬灭现象,电化学沉积法可以制备出具有良好发光性能的荧光薄膜.     

Eu^3＋掺杂TiO2发光薄膜制备及其发光性能

为了寻找实用、廉价、性能良好的TiO2∶Eu3＋发光薄膜,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2∶Eu3＋纳米发光薄膜.通过原子力显微镜与PL、PLE对样品薄膜的表面形貌和发光光谱进行了表征.研究结果表明：800℃退火的样品薄膜表面起伏不平,无开裂,且颗粒大小比较均匀,表面起伏度约为32nm,用540nm激发光源对800℃退火的TiO2∶Eu3＋发光薄膜进行激发时,样品显示出强红光发射,对应于Eu3＋的5 D0→7F2超灵敏跃迁;且荧光强度随着烧结温度的升高先增强再减弱,800℃时达到最大值,表明存在最佳的热处理温度.     

晶种诱导电化学沉积法制备AZO薄膜

通过晶种诱导辅助电化学沉积法制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),利用XRD和SEM对薄膜的物相和形貌进行了表征,紫外-可见分光光度计和四探针式方阻仪分析了薄膜的光电性能,研究了不同Al掺杂浓度下AZO薄膜的晶体结构和光电性能。研究表明,一定含量的Al元素掺杂并不影响晶体的结构类型;制备的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构,且掺杂后薄膜的电阻呈数量级下降;当Al ~(3+)掺杂浓度为0.005mol/L时,AZO薄膜的结晶性最好,薄膜均匀致密,方块电阻为0.85kΩ,光透过率达85%,禁带宽度为3.37eV。     

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。     

电泳沉积法制备三氧化钨薄膜

研究了由WO3溶胶采用电泳沉积法制备WO3薄膜,讨论了电流密度、溶胶陈化时间、溶胶浓度、溶胶pH值对制备WO3薄膜厚度的影响;及膜厚与沉积时的电流密度对薄膜与基底结合力的影响.通过TGA-DTA和IR分析探讨了固体薄膜在热处理过程中的结构变化.     

电化学沉积技术制备白钨矿结构钼酸盐薄膜

采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备了白钨矿结构的钼酸盐，包括SrMoO4，BaMoO4和Ba1-xSrxMoO4(0≤x≤1）等薄膜，控制电化学反应的工艺条件为：电流密度为1mA/cm^2；电解液的pH值为13；电化学处理时间为1h。SEM,XRD和XPS分析结果表明，制备的钼酸盐薄膜均为表面均匀致密的四方晶系单相薄膜。     

化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备Al_xO_y/Si薄膜的方法,室温下生长2h得到Al_xO_y/Si薄膜,其退火温度为1000℃,退火时间2h。对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析。结果表明,薄膜的显微硬度在退火前为5202.0N/mm~2,退火后为14533.5N/mm~2,增加近3倍;高温退火去掉了膜内的OH~(-1),同时使薄膜晶化,晶体薄膜的O/Al比例为1.3。     

NiAl_2O_4掺杂TiO_2薄膜电极的制备及其性能研究

采用醇-水共沉淀法制备NiAl2O4纳米粉体,将制备好的NiAl2O4纳米粉体以不同百分比掺杂到TiO2(P25)粉体中制成浆料。在浆料中加入OP乳化剂、乙酸分散剂,用丝网印刷法在涂有致密TiO2薄膜的FTO导电玻璃上制备掺杂NiAl2O4的TiO2薄膜电极。采用XRD、TEM、UV-VISI、-V伏安性能等手段对NiAl2O4粉体的晶相结构、形貌及NiAl2O4掺杂的TiO2薄膜电极的吸光性能、光电性能进行了表征。结果表明,将纳米NiAl2O4粉体掺杂到TiO2浆料中可以提高TiO2薄膜的吸光性能。当掺杂量为2%时,NiAl2O4/TiO2薄膜电极具有较好的光电性能,与未掺杂的TiO2薄膜电极相比,光电转化效率提高了17.4%,达到5.93%。     

掺杂对纳米晶Y2O3:Eu3+发光性质影响的研究

在尿素作沉淀剂的条件下,采用均相沉淀法制备出掺杂不同金属离子(K ,Mg2 ,Ba2 )的Y2O3:Eu3 发光材料。通过XRD、IR、激发与发射等技术研究了材料的结构与发光性能,并考察了掺杂不同金属离子对Y2O3:Eu3 发光材料的结构和发光性能的影响。结果表明,用此方法制备的Y2O3:Eu3 发光材料的发光性能良好,同时掺杂金属离子K ,Mg2 ,Ba2 都能对Y2O3:Eu3 的发光性能有极大的影响。     

稀土Eu、Dy掺杂长余辉发光玻璃的研究

采用空气气氛和还原气氛,制备了稀土Eu2O3、Dy2O3掺杂的铝硅酸盐玻璃,利用X射线衍射仪和荧光光谱仪对样品进行了测试,分析了长余辉发光玻璃的发光机理.结果表明:空气气氛条件下制备掺Eu3 和Dy3 的铝硅酸盐玻璃样品均不具备长余辉发光性能,经还原气氛处理后,玻璃样品具有长余辉发光现象,且陷阱能级较深,在紫外光激发下样品具有很好的长余辉发光特性和更高的发光亮度,样品的发光持续时间长达12h以上.     

不同晶相Gd2O3:Eu3+荧光粉的合成与光谱性能

以尿素均相沉淀法和燃烧法相结合,以聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,通过调节表面活性剂的用量,分别得到了立方相和单斜相的Gd2O3:Eu3 荧光粉.XRD分析表明,当PEG含量为2.5wt%时,得到了立方相的Gd2O3,当PEG含量为5wt%,350℃时就得到了单斜相的Gd2O3.SEM照片表明立方相Gd2O3:Eu3 荧光粉颗粒为球形,而单斜相Gd2O3:Eu3 荧光粉呈多孔泡末状.发射光谱中立方相和单斜相Gd2O3的最强发射峰分别位于610nm和622 nm附近,对应于Eu3 的5D0→7F2跃迁发射,其谱峰形状和位置均有所不同.激发光谱均由Eu3 的电荷迁移态(CTB),Gd2 的f-f跃迁激发以及Eu3 的f-f高能级跃迁激发峰三部分组成.     

Y_2O_3:Eu~(3+)纳米粉体的制备及其性能研究

以Y2O3,Eu2O3为原料,NH3?H2O和NH4HCO3为沉淀剂,采用共沉淀法,在700至1200℃下煅烧2h制备出Y2O3:Eu3+纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计等表征样品的性能,研究不同掺杂浓度,不同烧结温度及不同沉淀剂对粉体各项性能的影响。结果表明,以两种沉淀剂制备的纳米粉体均为纯相,与Y2O3标准PDF卡片41-1105相吻合。以NH3?H2O为沉淀剂制备出来的前驱体在1100℃下煅烧2h获得的粉体分布均匀,近似球形,粒径分布在50~80nm,以NH4HCO3为沉淀剂制备出来的前驱体在1100℃下煅烧2h获得的粉体分布均匀,纯度高,具有良好的分散性,粒径分布在60~80nm。制备出来的粉体在波长为254nm的紫外光激发下发出611nm的红光。     

共沉淀制备Y2O3/ZrO2超细粉体

以ZrOCl2·8H2O、Y(NO3)3·6H2O、浓氨水等为起始原料,通过共沉淀工艺制备了Y2O3/ZrO2超细粉体.研究了ZrO2晶种用量、前驱体反应温度、反应物浓度、反应体系pH值、分散剂用量、陈化温度、热处理温度等工艺条件对合成Y2O3/ZrO2超细粉的影响.结果表明:实验条件下制备的粉体的晶粒度在15 nm左右,二次粒径在100 nm左右;Y2O3/ZrO2超细粉的开始生成温度在400 ℃左右.     

新型近紫外激发单一基质荧光粉Sr2V2O7:Ln(Ln=Eu3+,Dy3+,Sm3+,Tb3+)的研究

为了研制一种具有优越稳定性能、易于合成、吸收和近紫外芯片匹配、发光效率高的LED用新型单一基质的暖白光荧光粉,采用高温固相反应法在空气氛围下制备了单一基质的Sr₂V₂O₇（SVO）：Ln （Ln=Eu³⁺,Sm³⁺,Dy³⁺,Tb³⁺）系列白光LED荧光粉.利用X射线衍射（XRD）和荧光光谱分别研究了样品的晶体结构,发光特性和能量传递机理,在350 nm的紫外激发下SVO基质自身发射黄绿色的宽光谱.荧光光谱的研究表明所有掺杂的样品都有一个基质电荷跃迁引起的近紫外激发宽带,而且SVO基质与稀土离子Eu³⁺,Dy³⁺,Sm³⁺,Tb³⁺之间都存在着能量传递.此外,根据Dexter理论,基质和4种稀土离子之间的能量传递机理都是电偶极-偶极相互作用.研究结果表明,通过稀土掺杂可以增强荧光强度、调控发光颜色、改善色温、提高显色指数,SVO：Ln （Ln=Eu³⁺,Dy³⁺,Sm³⁺,Tb³⁺）是适合近紫外芯片激发的单一基质白光荧光粉.     

Effect of La Doping on Microstructure and Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method

The Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol-gel method. The effect of La doping on the microstructure and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 films were investigated. Both the Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films exhibited typical bismuth layered perovskite structure. The 2Pr (remanent polarization) value of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films is 18.6 Μc/cm2, which is much larger than that of Bi4Ti3O12 thin films. And the Bi3.25La0.75Ti3O12 films show fatigue-free behavior, while the Bi4Ti3O12 thin films exhibit the fatigue problem. The mechanism of improvement of La doping was discussed.     

静电纺丝技术制备Y2O3纳米纤维

采用静电纺丝技术制备了PVA/Y(NO3)3复合纳米纤维,研究了反应体系的最佳组成,系统地讨论了静电纺丝工艺的影响,获得了最佳制备条件。将PVA/Y(NO3)3复合纳米纤维在600℃焙烧10h,获得了晶态的Y2O3纳米纤维。XRD分析表明,PVA/Y(NO3)3复合纤维为无定型,Y2O3纳米纤维属于体心立方晶系,空间群为Ia3。SEM分析表明,PVA/Y(NO3)3复合纳米纤维表面光滑,平均直径约为110nm;Y2O3纳米纤维的直径约为50nm。该技术可以用来制备其他稀土氧化物纳米纤维。     

Properties of plasma sprayed NiCrAlY (ZrO_2 Y_2O_3) coating on refractory steel surface

1INTRODUCTION1Cr18Ni9Ti,i.e.188austeniticstainless steel,isakindofausteniticrefractorysteelwidely appliedinmanyfields,containingahighcontentofCrthatcanimproveheatandoxidationresistances,andalsoNicapableofformingastableaustenitic structure.However,suchstee…     

低温燃烧法制备Nd:Y2O3超细粉及性能研究

以Y2O3,和Nd2O3为原料,采用低温燃烧法制备出Nd:Y2O3,多晶粉体.粉体进行XRD测试,结果表明最佳煅烧温度为1000℃,并且晶化完全.差热-热重分析表明,柠檬酸在447℃分解放热,而晶型转变温度为590℃.荧光光谱测试表明最强峰位于9421.646cm-1,是Nd3+4+F3/2-4I11/2谱相导致的荧光发射.     

Y_2O_3-ZrO_2陶瓷的电导特性研究

对Ｙ２Ｏ３摩尔分数为６％的Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２陶瓷的电导特性进行了实验研究．利用扫描电子显微镜、Ｘ光衍射仪、Ｖ氏硬度仪和交流阻抗法等研究测定了氧化钇部分稳定氧化锆在不同烧结温度下的显微组织、相比例、断裂韧性与电导率．实验证明,在温度为１６００℃时烧结的Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２陶瓷材料,组织致密,其电导率达到１０－２Ｓ／ｃｍ,而四方相含量的降低可能是导致断裂韧性降低的重要原因．