面向混沌激光器的高精度温控与驱动电路设计

为实现对混沌激光器温度与注入电流的高精度调节与控制,设计并制作了一套面向混沌激光器的高精度温控与直流驱动电路系统.该系统主要包括温度控制模块、直流驱动模块及上位机控制模块3部分.温度控制模块采用高控温精度的ADN8830作为主控芯片,通过设计温度补偿网络和功率放大电路,构成完整的闭环温度控制结构.直流驱动控制模块采用ADN2830作为主控芯片,结合高精度数字电位计设计串联和并联电阻电路,实现对激光器注入电流的精确控制.上位机控制模块采用串口通信方式实现对电路系统的整体控制,并利用LabVIEW语言开发了上位机自动控制系统.实验验证,电路系统温度控制精度可达0. 01℃,电流控制精度可达0. 01 mA,完全满足混沌激光器稳定运行的要求.     

基于ADN8810和ADN8835的混沌激光器驱动及温控电路设计

为获得对混沌激光器的高稳定性驱动电流,实现对混沌激光器驱动电流与温度的高精度调节,基于ADN8810和ADN8835芯片设计一种混沌激光器驱动及温控电路.电路可输出驱动电流0～80 m A,满足最小调节精度0. 01 m A线性可调的驱动能力;可在0. 5～4. 5 V调节半导体制冷器(thermoelectric cooler,TEC)端最大电压值以适应具有不同TEC的激光器;在0. 5～4. 3 A调节TEC最大电流值以保护激光器.实验结果证明,本电路输出的驱动电流稳定度优于0. 007%,2 h内激光器的温度最大波动为0. 17℃.能够满足混沌激光器的需求.     

掺铒光纤激光器的混沌电路设计与实现

为门研究双环掺铒光纤激光器的动力学特性,提出采用分立元件设计模拟电路并实现其混沌行为。根据系统的动力学方程,经过相应的系数变换,得到了对应的电路设计模型,并给出了电路仿真和硬件实验结果。实验通过调节电路中的可变电阻,可以将混沌控制到不同的周期轨道,与双环掺铒光纤激光器的动力学特性分析相同。研究结果表明,应用电路设计可以很好的模拟双环掺铒光纤激光器系统的动力学特性,而且理论分析与实验结果相一致。     

单环掺铒光纤激光器的混沌驱动同步

本文研究了在泵浦光调制下的掺铒光纤激光器的混沌及其同步,给出了单环掺铒光纤激光器在泵浦条件下产生混沌的条件。利用混沌同步驱动法实现了激光器的混沌同步,通过计算最大条件Lyapunov指数随驱动强度的变化,我们确定了使两个激光器实现混沌同步的参数条件。     

基于半导体制冷器的激光器温度控制系统

采用NTC作为温度传感器进行温度采集,利用PWM脉宽调制技术及PID补偿算法实现温度调节,半导体制冷器作为控制终端控制激光器温度。经过实验测试,使激光器温度保持在19~21℃范围内。     

吸收式半导体激光器稳频系统驱动与保护电路设计

本文根据半导体激光器的稳频要求,设计制作了适合于稳频技术的激光器驱动源,并对目前所使用激光器易损原因进行了研究和分析,提出了初步解决参考方法,在原驱动电路的基础上加了保护电路。本驱动电路性能可靠,具有过流保护和防干扰的作用,实验结果完全满足稳频的技术要求。     

吸收式半导体激光器稳频系统驱动与保护电路设计

本文根据半导体激光器的稳频要求，设计制作了适合于稳频技术的激光器驱动源，并对目前所使用激光器易损原因进行了研究和分析，提出了初步解决参考方法，在原驱动电路的基础上加了保护电路，本驱动电路性能可靠，具有过流保护和防干扰的作用，实验结果完全满足稳频的技术要求。     

热电制冷器温度依赖的材料参数的提取

为获取通常情况下大部分厂家保密但在计算过程中所必须的热电制冷器(TEC)的热电材料参数,对温度依赖的热电材料参数进行了提取.利用一款一级TEC性能的测试结果,基于热电基本公式,根据两种不同的材料参数取值方法分别建立了两个超定方程组,通过对这两个方程组进行求解,分别提取了两组TEC的热电材料参数.并用所提取的两组热电材料参数对另一款相同材料的5级TEC性能进行了计算以验证所提取材料参数的有效性.结果表明:厂家性能曲线误差随级数增加而增大,对于5级TEC,制冷温度误差可达20 K以上,这在TEC选型中应予以重视;本文所提取的材料参数在计算另一款5级TEC制冷温度时,不同制冷量下误差最大为1.6 K～6.1 K.同时,电压的计算结果表明计算模型中接触电阻是不可忽略的,通过所提取的电阻误差对电压的计算进行修正后,在TEC适用工作电流区间内,两组参数计算的电压相对误差分别小于4.80%和7.00%.本文方法计算的制冷温度误差约为极值法误差的1/5～1/2,约为厂家参数误差的1/10～1/4,准确度与有限元法利用热电材料参数实测值计算的结果近似,可有效的用于相同材料TEC的性能评估.     

含发热元件密闭空间热电制冷器瞬态特性

为了研究密闭空间中发热元件对热电制冷器瞬态特性的影响,基于有限时间热力学理论,建立工作在含发热元件制冷空间中的热电制冷器计算模型.采用热阻网络分析方法,分析不同工况下关键参数对热电制冷器瞬态特性的影响,得到制冷空间温度、制冷系数、制冷量等性能参数随时间的变化规律.分别改变发热元件功率、工作电流、冷却水流速和填充系数,对比分析不同工况下的最低制冷温度和制冷系数变化,得到热电制冷器工作参数的瞬态特性.搭建水冷式热电制冷器的测试平台,开展密闭空间热电制冷器的瞬态特性测量实验.结果表明,当发热元件功率分别为0.95、4.85和13.3 W时,仿真计算温降分别为8.96、8.33和6.94 K,实验测得温降分别为6.75、5.63和4.00 K,温度变化趋势一致,验证了计算模型.     

半导体激光器新型宽带匹配电路设计

一种新型三维宽带传输线阻抗匹配电路比较好地解决了阻抗为５０Ω的信号源与半导体激光器之间的阻抗匹配问题，它能有效地改善半导体激光器的高频响应和调制带宽，该匹配电路具有结构紧凑，体积小，带宽很宽的优点，利用该宽带匹配电路和国产半导体激光器设计的半导体激光器高速调制组件，调制带宽达７．１０ＧＨＺ。     

车床数控系统和驱动电路设计

以实例说明了车床的数控系统和其相配套的驱动电路的组成及工作原理,介绍了GMS90C32新型单片机作CPU的特点,阐述了集成块在驱动电路的应用。     

GTR的驱动与保护电路设计

主要讨论了变频器中大功率器件GTR开关频率可靠性的提高。介绍的驱动电路能最大限度地缩短GTR的关断时间，这样一方面提高了SPWM波调制频率，使得变频器输出电压更接近于正弦波，减少了电机损耗、噪音，增大了电机出力；另一方面又将为GTR的保护赢得时间，从而较好地解决了GTR通用变频器中存在的基本问题。     

GaN HEMT预充电式驱动电路设计

由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路。经过对比分析GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的寄生参数和工作特性,得出GaN HEMT的特点和对驱动电路的要求;采用LTspice软件仿真,描述该驱动电路低损耗和快速性特征,实现高/低电平箝位功能;通过搭建Boost电路,实验验证预充电式驱动电路的有效性。结果表明:在频率500 kHz、输出电压75 V的工作条件下,该驱动电路与谐振式驱动电路相比损耗下降45.8%,可实现GaN HEMT器件在9 ns内开通、15 ns内关断,比独立拉灌式驱动条件下的开关速度分别提高11 ns和24 ns,更能发挥GaN HEMT高频特性,同时该电路还具有高/低电平箝位功能,提高了电路工作可靠性。     

多数字数码管显示驱动电路设计

多数字数码管理显示驱动电路设计是应用一些大规模集成芯片INTEL8279、CD4511等完成控制任务，使得电路结构紧凑、成本低，编程简单，最多可实现32位数码的显示电路，它可满足大部分显示控制场合，值得推广。     

三值BiCMOS通用驱动电路设计

根据BiCMOS电路的工作特点，提出三值BiCMOS电路的一般结构.应用传输电压开关理论，从开关级设计PNP NPN NPN型三值BiCMOS通用驱动电路，并运用此电路设计三值BiCMOS反相器电路.测量和模拟结果表明，所设计的电路具有理想的逻辑功能，电路结构简单，功耗小.该通用驱动电路结构可以应用于任何三值BiCMOS电路的设计中，设计方法简单可行.采用相同的设计思路还可以实现其他NPN和PNP组合的通用驱动电路，进而实现任意三值BiCMOS电路的设计.     

电力半导体功率器件驱动电路设计

本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。     

电力半导体功率器件驱动电路设计

本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。     

步进电机H桥驱动电路设计

设计一种步进电机驱动电路,使加到电机绕组上的电流信号前后沿较陡,降低了开关损耗,改善了电机的高频特性,同时具有多种保护功能.实验证明,该驱动电路简单、可靠并具有优良的驱动性能.     

用于APFC的低功耗MOSFET驱动电路设计

设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V和11 V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14 V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34 mW,并节约了15%的版图面积.     

基于MC33153的IGBT驱动电路设计

在分析IGBT的保护设计要求和MC33153的驱动特性基础上,设计一种基于MC33153的IGBT驱动电路。该电路采用光电隔离、延时消隐和负载检测等方法使其具有短路保护和自锁功能,既能满足IGBT的外围保护设计要求,又能克服MC33153内部无隔离电路、存在保护盲区和短路不能自锁的不足。实验结果表明,该驱动电路能够对IGBT进行有效驱动和保护。