不同掺杂位置对双层异质结OLEDs性能的影响

通过在双层异质结有机电致发光器件（OLEDs）ITO／N,N＇-Diphenyl—N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）。4,4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxyquinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag发光层Alq3中的不同位置掺杂红色荧光材料4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1,1,7,7-tetramcthyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）,研究了该类器件中载流子的输运过程、复合位置及能量传递机理。实验结果表明,掺杂剂对于载流子有较强的俘获能力,并影响器件的载流子输运过程以及电流机制;掺杂位置的不同导致器件发光性能发生很大变化,而当掺杂层位于有机／阴极金属界面时还起到阴极电子注入缓冲层的作用。     

掺杂Rubrene双发光区有机黄光器件的制作

制作了在N,N′-diphenyl-N,N′-bis-1-naphthyl)-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)和aluminium-tris-8-hydroxy-quinoline(Alq3)中分别掺杂黄色荧光染料5,6,11,12,-tetraphe-nylnaphthacene(Rubrene)的双发光区有机黄光电致发光器件。器件的结构为ITO/NPB(30nm)/NPB∶Rubrene(20nm)/Alq3∶Rubrene(20nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.8nm)/Al。NPB作为空穴传输层材料,Alq3作为电子传输材料,NPB和Alq3中掺杂Rubrene的浓度分别为0.9%和1.4%。实验结果表明,由于Rubrene具有较强的载流子俘获能力,而且在Alq3和NPB层中进行掺杂,相对于单掺杂层器件为Rubrene提供了更多的俘获空位,从而提高了器件的性能。     

有机小分子掺杂的聚合物发光二极管电致发光及其发射机制

在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

有机小分子掺杂的聚合物发光二极管电致发光及其发射机制

在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

染料掺杂剂的位置对有机电致发光器件性能的影响

利用3种有机小分子荧光染料dimethylquinacridone(DMQA),4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran(DCJTB)和5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)作为掺杂剂,研究了其掺杂位置对于有机电致发光器件(OLED)性能的影响。利用Fo¨rster能量传递(ET)理论和直接载流子俘获(DCT)理论,结合器件的电致发光(EL)光谱,讨论了这3种材料作为掺杂染料的类型。实验结果表明,小分子荧光染料DMQA、DCJTB和Rubrene同时具有ET型和DCT型掺杂剂的双重特性;另外,掺杂剂的位置对器件的EL光谱有较大影响,并讨论了EL光谱差异的形成原因。     

聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制

为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂.异质结基本结构为PTPD/Alq3,双层掺杂时,器件电致发光的量子效率大约是未掺杂器件的两倍;与未掺杂器件和常用的TPD/Alq3二极管相比,掺杂器件的稳定性有了显著的提高.从电致发光光谱可知,掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制

为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂. 异质结基本结构为PTPD/Alq3,双层掺杂时,器件电致发光的量子效率大约是未掺杂器件的两倍;与未掺杂器件和常用的TPD/Alq3二极管相比,掺杂器件的稳定性有了显著的提高. 从电致发光光谱可知,掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Frster能量转换过程的共同作用.     

PVK:NPB复合空穴传输层对有机电致发光器件的影响

采用poly(N-vinylearbazole)(PVK):N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-bipheny-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)掺杂体系作为复合空穴传输层,通过调节该体系的组分,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/PVK:NPB/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双层有机电致发光器件(OLED),研究了具有不同掺杂质量比的OLED器件的电致发光特性,并对掺杂薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明,将NPB掺杂到PVK中会提高空穴传输能力,改善器件的发光亮度和效率,并调节载流子复合区域的位置,光谱谱峰从509 nm移动到530 mm;但随着NPB质量比例提高,掺杂薄膜表面的平均粗糙度由3 nm上升为10 mm,电流密度和亮度先升高后降低.当PVK和NPB的掺杂质量比为l:3时,器件具有最优性能,发光亮度达到7852 cd/m2,功率效率为1.75 lm/W.     

GaN材料p型掺杂

近几年来 ,Ga N材料生长和器件制备都获得了巨大进展。 Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展。目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低。背景载流子可能与 N空位、替位式 Si、替位式 O等有关。p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘。经过低能电子束辐照( L EEBI)或快速热退火 ( RTA)处理后 ,部分 Mg可以被激活 ,空穴浓度可达到 10 18cm-3,但仍然不能很好满足器件需要 ,这可能与 Mg较高的电离能 (约 2 50 me V)有关。其它掺杂剂也在研究中。理论上 ,Be的受主电离能只有 60 me V,可能是比较好的掺杂剂。文中系统研讨了 Ga N材料 p型掺杂遇到的问题及其相关机制。     

双层异质结器件载流子复合位置的研究

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节,它直接影响着器件的效率,稳定性,寿命等性能。以双层器件ITO／N,N＇-Diphenyl-N,N＇-bis（1-naphthyl）-（1,1＇-biphenyl）-4,4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础,以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针,通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度,研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明,对于双层器件NPB／Alq3,载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。     

4-(4-乙烯基苯基)苯甲酸-(-4乙烯基)苯酯的合成

以联苯为原料,经傅克酰化、溴代、格氏和氧化反应,制备了4-(4-乙酰基苯基)苯甲酸;以苯甲醚为原料经傅克酰化,醚解制备了4-乙酰基苯酚;两者再经酯化、还原、脱水反应,合成了一种新型的双官能团聚合物材料单体4-(4-乙烯基)苯基苯甲酸-(4-乙烯基)苯酯,基于联苯的总收率为7%～10%,其结构经1 H NMR和FT-IR确认,并用偏光显微镜和差示扫描量热仪对其液晶性进行了研究。     

Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的自旋极化MS-Xα计算

本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的自旋极化MS-X_α计算

本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

KGd（WO4）2为基质的激光晶体被动锁模研究现状及前景

本文讨论了大功率飞秒激光器对增盆介质的要求,根据各种KGW为基质的激光材料的光谱学以及热学参数,重点分析了KGW激光晶体在获得大功率飞秒脉冲上的优势,给出了采用此类材料进行锁模实验与半导体可饱和吸收镜之间的关系。同时通过对目前KGW的飞秒实验报道的综述,探讨丁影响此类材料飞秒锁模的一些关键因素,综述了以KGW为基质的激光晶体被动锁模的大功率激光器的研究进展与发展潜力。     

Pb（WO4）0.9（MoO4）0.1晶体的生长及闪烁性能研究

以０．１ｍｏｌＭｏＯ３取代ＰｂＷＯ４中ＷＯ３生长Ｐｂ（ＷＯ４）０．９（ＭｏＯ４）０．１晶体。测试了晶体的密度、透射率和闪烁性能。克服了ＰｂＷＯ４晶体在生长中出现的开裂。生长出质量优良的Ｐｂ（ＷＯ４）０．９（ＭｏＯ４）０．１晶体。     

全业务IP网络架构探讨

文章分析了全业务网络架构及其关键问题,研究了一种适合全业务IP网络的可扩展IP网络架构,即IPv4（LSRR）;比较了IPv4NAT、IPv6、IPv4（LSRR）三种不同技术方案的优劣势,并按照实际情况将此三种方案分为上中下三策,对适合全业务运营的IP网络架构进行了探讨。     

基于MPEG-4的视频联合信源信道编码

该文提出了一种用于提高MPEG-4码流在噪声信道下的抗误码性能的联合信源信道编码方法。该方法将MPEG-4基本层按重要性进行码流重排后进行交织打包,并根据率失真函数将基本层纹理信息进一步划分为多个子层。编码器根据反映信道状态的反馈信息动态地调整传输的子层数目和每个子层的纠错强度(信道编码速率),使得系统失真最小。仿真结果表明,该方法明显优于未保护的MPEG-4方法,在相同信道带宽及丢包率条件下比等纠错保护的MPEG-4编码方法获得更加稳定的性能。同时由于该方法根据反馈的出错分组数进行传输子层数和纠错强度的联合优化,与Puri等人提出的按照确定信道条件设计目标函数进行优化的MDFEC方法相比,更能够适应信道条件的变化,从而获得更高的性能。     

等离子显示屏(PDP)用新型红色发光体的合成及光学特性

为开发出等离子显示屏用新型红色荧光体，研究了GdAl3(BO3)4:Eu，Gd2SiO4：Eu的紫外和真空紫外发光特性。在147nm激发下GdAl3(BO3)4：Eu^3 呈色坐标为(0．645，0．330)的强红光发射，说明是非常有前途的PDP用红色发光材料。在GdAl3(BO3)4：Eu^3 的激发光谱中，除观察到Eu^3 的电荷迁移带(峰值位于258nm)外，还观察到峰值位于155nm的宽带。依据硼酸盐的吸收数据将其归属于BO3基团的吸收。另外观察到Gd^3 8S7/2→^6I11/2跃迁(274nm)及在真空紫外(158～160nm)激发下，Eu^3 的红光发射强度随着Eu^3 浓度的增加而减弱，说明BO3基团吸收的能量经Gd^3 为媒介转移到Eu^3 。分析Gd2SiO5：Eu的激发光谱，得到Eu^3 的电荷迁移带是峰值位于256nm的宽带，峰值位于183nm的宽带可能是Gd^3 的电荷迁移带。在256nm激发下Gd2SiO5：Eu^3 呈强红光发射，但是147nm激发下很弱。这是由于真空紫外激发效率低的原因，其特点可由其晶体结构即激活离子所处的环境解释。     

ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉的制备及发光特性研究

采用高温固相法制备了ZnMoO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉,对样品进行了X射线衍射(XRD)和荧光光谱测定.XRD结果表明,样品在800℃时能得到单一ZnMoO_4相.激发光谱由1个宽带峰和若干个尖峰组成,宽带属于Mo~(6+)-O~(2-)电荷迁移吸收带(CT),并且发现宽带峰位随Tb~(3+)掺杂浓度增加而出现蓝移,尖峰属于Tb~(3+)的4f-4f跃迁,最强激发峰位于377 nm处.发射光谱由四组峰组成,最强发射峰在543 nm处,对应于Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁,属于磁偶极跃迁.研究了ZnMoO_4:Tb~(3+)荧光粉在543 nm的主发射峰强度随Tb~(3+)掺杂浓度的变化情况.结果显示,随Tb~(3+)浓度的增加,发射峰强度先增大;当Tb~(3+)浓度x=0.15时,峰值强度最大;而后随Tb~(3+)浓度增加,峰值强度减小.荧光寿命测试得到Tb~(3+)的~5D_4-~7F_5跃迁发射的荧光寿命值为0.506 ms.光谱特性研究表明,ZnMoO_4:Tb~(3+)是一种可能应用在白光LED上的绿基色发光材料.     

（Bi2O3、ZnO）对（Zr0．8Sn0．2）TiO4介电性能的影响

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷.陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大.当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳.