超高精度Bulk Metal箔电阻

H和HZ系列Bulk Metal箔电阻具有0．001％的容差,5～1．84MΩ的阻值范围,在至少6年内（未受潮）的工厂寿命稳定率可达±0．0002％,上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2×10^-6／℃,Z-FOil HZ系列的最大TCR仅有±0．2×10^-6／℃。     

CS44系列：薄膜片式电阻

Vishay Intertechnology推出可邦定的薄膜片式电阻CS44系列,电阻的占位仅有40mil×40mil（1mm×1mm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm,℃的低TCR和±0．5％的容差．     

Vishay推出业内首款可邦定薄膜片式电阻

日前,VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻—CS44系列,电阻的占位仅有40milx40mil（1mmXlmm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm／℃的低TCR和±0．5％的容差。     

AD5791：20位电压输出数模转换解决方案

ADI公司的AD5791是单路20位电压输出数模转换器（DAC）,双极工作电压高达33V,正基准电压从5V至VDD-2．5V,负基准电压从VSS＋2．5V至0V,精度1ppm,噪音频谱密度7．5nV／√Hz,温度漂移0．05ppm／°C,主要用在医疗仪器、测试测量、工业控制和高端科学和航空仪表。     

Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

Vishay推出业内首款可邦定薄膜片式电阻

VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻——CS44系列,电阻的占位仅有40×40mil（1×1mm）,电阻值高达100MQ。该系列具有±50ppm/℃的低TCR和±0．5％的容差。     

Vishay推出新型VSMP高精度表面贴装Bulk Metal Z箔电阻

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk Metal Z箔（BMZF）电阻，这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至±0．005％的长期稳定性、低于±0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时±5ppm的出色PCR及±0．01％低容差等特性的器件。     

PHP系列：薄膜贴片电阻

Vishay Intertechnology推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm／℃的绝对TCR,低至±0．1％的容差,在．     

高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准

基于工作在亚阈值区的MOS器件,运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想．提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源,该电路可同时提供多个输出基准电压,且输出电压可调。该基准源基于CSMC0．5μm标准CMOS工艺,充分利用预调节电路并改进电流模基准核心电路。使整个电路的电源抑制比在低频时达到122dB,温度系数（TC）在0-100℃的温度范围内约7ppm／℃。     

Visl珂推出具有极低的绝对TCR值、超低容差的新型超高精度BulkMetal（R）Z箔电阻E102Z

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新型超高精度BulkMetal？Z箔电阻——E102Z。该款电阻可在-55℃到＋125℃的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0．2ppm／℃）,容差为±0．005％（50ppm）,在＋70oC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0．005％（50ppm）。E102Z符合EEE—INST-002规格和MIL—PRF55182军用标准,设计用于非常规环境条件,漂移极小,适用于军事、航空和医疗应用。     

用于电力监控系统的同步采样ADC

AD7606和AD7607同步采样ADC包含LDO、基准电压和缓冲器、跟踪与保持电路、信号调理电路、片上转换时钟以及高速并口和串口。这些新型器件还内置低噪声、高输入阻抗（独立于采样率）信号调整放大器，其-3dB输入带宽为10kHz，模拟输入阻抗为1MΩ，增益误差仅为0．1％，失调误差仅为0．01％。     

温漂仅为4ppm／℃的电源电压基准系列

德州仪器（TI）宣布推出温度漂移仅为4ppm／℃的高精度电压基准系列一REF32xx。该系列采用微型SOT23—6封装．且具有超低功耗特性，是便携式与电池供电系统、医学与测试设备及数据采集系统等应用的理想选择。     

SOT23封装的串联电压基准

LT6654专门为在-40～＋125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0．05％初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1．6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6／V的电压调节误差。其他特性：1．6×10^-6PP噪声（0．1～10HZ）;±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节：8×10^-6／mA（最大值）;电压调节：5×10^-6／V（最大值）;现已提供2．5V电压版本。     

钟神JA-99D标准版

技术参数： ·输出功率：250W×2（甲乙类．8Ω．每声道）·谐波失真：≤0．02％（1kHz,1W）·信噪比：≥95dB（A计权）·频率响应：20Hz-20kHz（±0．2dB）·输入阻抗：100kΩ·输出阻抗：4-8Ω·尺寸：400mm×525mm×270mm·重量：35kg     

一种LDO线性稳压电路设计

采用CSMC0．5μm40V工艺和Spectrum仿真平台,设计一款应用于电压保护芯片的LDO（Low Dropout）低压差线性稳压电路。该电路选择PMOS结构的调整管,不需要增加额外的电荷泵电路来驱动;采用带隙基准电压源结构,在1kHz频率下,电源电压抑制比（PSRR）为-67．32dB,在1MHz频率下为-33．71dB;在误差放大器设计中引入频率补偿,改善了稳压器的线性调整率性能。仿真结果表明,常温下当输入电压从1．6V变化到6．6V时,输出电压稳定在1．258V左右,温度系数为31．38ppm,在100kΩ负载下显示出良好的稳压性能。     

Vishay推出通过AEC—Q200认证的新款薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新系列通过AEC—Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络——NOMCA系列。该系列具有低至±25ppm／℃绝对TCR,5ppm／℃TCR跟踪、±0．05％的严格比例容差。在＋125℃下工作1000h后的长期比例稳定率为0．05％。为提高ESD和防潮能力,电阻网络在高纯度铝或陶瓷衬底上构造了一个自钝化的钽氮化物电阻膜。     

1280／85G系列：Accutrim微调电位器

Vishay推出两款Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器1280G和1285G。这两款长3／4英寸的直线型器件在-55℃～＋125℃温度范围内、＋250℃参考温度条件下,分别具有±5ppm／℃（1285G）和±15ppm／℃（1280G）的端到端TCR,在滑动端上的TCR为±25ppm／℃,在＋250℃、满载额定功率条件下工作2000小时后的典型负载寿命稳定率为0．1％,典型可设定值〈0．05％。     

Vishay推出具有优异稳定性的高精度金属膜电阻

Vishay Intertechnology．Inc．宣布．推出采用2012和4527外形尺寸的新系列表面贴装的高精度、高稳定性金属膜电阻-PSF系列。该系列电阻具有±5ppm／℃的极低温度系数和0．01％的容差．在各种环境条件下均具有优异的稳定性。     

一种低压I2PTAT曲率校正CMOS带隙基准源的设计

基于Chrt 0．35μm CMOS工艺，采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压，设计了一个类似I^2 PTAT电流产生电路，获得了一个电路结构简单，性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真，仿真结果表明电路可以在-10—110范围内，平均温度系数约6ppm／℃，最低工作电压为1V左右，获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）和系统集成芯片（SOC）中。     

绝缘电阻测试仪

61-795绝缘电阻测试仪是一种检测设备绝缘性能的袖珍型仪表,测试电压最高达1000V,精度为2．0％;绝缘电阻最高达4000MΩ,精度2．0％;导通性为0．01～20．00Ω,精度2．0％;AC电压量程为0～600．0V,精度0．8％,DC电压为0～600．0V,精度0．5％。该仪表执行的安全标准是UL／IEc／EN61010-131-031、EN61557、EN613261＋1A、（EMC）CATIII-1000V／CAT IV-600V。