表面活性剂对Ti/IrO2+Ta2O5阳极性能的影响

采用热分解法和Pechini法制备了Ti/IrO2+Ta2O5阳极,通过SEM、极化曲线、循环伏安、电化学阻抗谱及强化电解寿命试验等测试手段,研究表面活性剂对Ti/IrO2+Ta2O5阳极微观结构和电催化性能的影响。结果表明,加入适量的表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)可以明显改善涂液的涂刷性能;与热分解法相比,阳极表面呈现较多的龟裂纹,而且裂纹变宽加深,其电化学活性表面积增大,析氧电催化活性提高,但稳定性降低。     

溶胶-凝胶法制备的Ti/IrO2+Ta2O5阳极涂层性能

热分解法制备的涂层性能不够理想,现更多采用溶胶-凝胶法,但传统溶胶-凝胶法制备阳极仍存在工艺复杂、可操作性差的缺点.从电极的前驱体入手,将贵金属的无机盐制备成有机盐,采用溶胶-凝胶法制备了Ti/IrO2+Ta2O5阳极涂层,并与热分解法制备的涂层进行了对比研究.经SEM,EDX,循环伏安,电化学阻抗谱及强化电解寿命试验表明,与热分解法相比,由溶胶-凝胶法制备的氧化物阳极涂层表面呈现较多的龟裂纹,且有少量氧化铱晶簇析出,其电化学活性表面积增大,提高了电极的电催化活性,但稳定性降低.     

IrO2对Ti基阳极电化学性能的影响

根据阳极在各行业中应用的要求,从贵金属(铂、铑、铱、钌等)中筛选了铱和钌,在钛基体上进行涂覆,然后,在不同温度下烧结制备成RuO2-IrO2-TiO2/Ti阳极,并对涂层阳极的强化寿命和析氯开路电位进行了测试,采用扫描电镜(SEM)对涂层结构进行了观测分析,结果表明,RuO2-IrO2-TiO2/Ti钛基涂层阳极的最佳烧结温度为450℃,IrO2含量的最佳值为30%(摩尔百分比).     

Ti基IrO2+Ta2O5涂层中氧化物附着量的XRF分析

对传统热解法制得的Ｔｉ基ＩｒＯ２＋Ｔａ２Ｏ５涂层进行了Ｘ射线普（ＥＤＸ）及Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试分析。结果表明,涂层中Ｃ１元素的含量随温度上升而降低,至５００℃后已降为较低数值（２％）,此温度下Ｉｒ组元几乎以ＩｒＯ２晶体相存在。Ｔｉ基金属的热重分析（ＴＧＡ）表明,５００℃下经４ｈ预氧化后,该基体金属已不再化增重。结合涂层ＥＤＷ、ＸＲＤ及Ｔｉ基ＴＧＡ测试结果,确定了Ｘ射线荧光分析（ＸＲＦ）用标准试     

阳极氧化法制备Ta2O5绝缘膜及性能研究

采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响.利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125～150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压.     

电解液的循环使用对阳极氧化Ta2O5纳米管形貌的影响

以高纯钽片为原料,将其依次放入体积比为9:1的H2 SO4/HF电解液中进行阳极氧化,制备了五氧化二钽(Ta2 O5)纳米管.采用扫描电子显微镜(SEM)表征了第2、10、25、35、50片上制备的Ta2 O5纳米管的形貌,研究了电解液的循环使用对阳极氧化Ta2 O5纳米管形貌的影响规律.实验结果表明,随着电解液循环使用次数的增加,Ta2 O5纳米管顶部由团簇变为松散、管长变长、管径基本保持稳定,纳米管之间缝隙逐渐增大,这都与电解液中溶质F-的浓度及分布均匀性的变化相关.     

阳极氧化法制备非晶Ta2O5及绝缘性能研究

利用阳极氧化法制备Ta2O5绝缘介质薄膜。扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDS）和X射线衍射仪（XRD）研究表明Ta2O5绝缘介质薄膜表面平整,致密,呈非晶态。电击穿场强测试系统研究利用Ta-Ta2O5-Al复合薄膜制备FED器件（MIM结构）的绝缘性,表明薄膜具有较高的耐击穿场强,约为2.3MV/cm,分析Ta2O5的导通机理,主要为肖特基效应和F-N效应。     

a—SiTFT复合栅绝层用阳极氧化Ta2O5的研究

研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学，用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均、性能优良，使用复合栅绝缘层Ａ－ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制中３－５Ｖ之间，开关电流比（Ｉｏｎ／ｏｆｆ）大于１０＾７，场效应迁移率为０．９６ｃｍ＾２／Ｖ．Ｓ。     

Ta2O5薄膜的离子敏感特性

用磁控溅射法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度。实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度，实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性。     

IrO2-Ta2O5/Ti阳极的研究进展

综述了金属氧化物涂层电极的发展现状,介绍了目前析氧领域广泛应用的铱系涂层钛电极———IrO2-Ta2O5/Ti涂层电极的特点,指出了制备过程中影响IrO2-Ta2O5/Ti涂层电极性能的因素,介绍了IrO2-Ta2O5/Ti涂层电极的改进方法,并对IrO2-Ta2O5/Ti涂层电极今后的发展方向作了展望。     

还原氧化钽制备钽粉工艺研究进展

评述了几种由氧化钽还原制取钽粉的新工艺。并阐述了不同方法的工艺原理、特点和产品特性。钠还原法反应时间短,还原温度范围广,能过得到高纯度高比表面的钽粉。FFC法具有工艺简单,污染小,成本低的特点,可以用来制备电容器级粉末。SOM法电解速度快,具有很好的发展前景。采用镁蒸汽还原能够得到性能好的钽粉,但是还原时间长,还原装置复杂。     

氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的影响

利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏电流密度的影响.利用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ta2O5薄膜微观结构进行表征研究,发现随着离子束流密度增大,沉积的Ta2O5薄膜致密性提高,粗糙度下降,但薄膜一直保持非晶态;同时能谱仪测试的结果表明,薄膜中O/Ta比例逐渐提高,直至呈现富氧状态.测量了不同薄膜样品的漏电流密度和击穿场强,发现随着离子束流密度增大,薄膜漏电流密度显著降低,击穿场强提高.总之,提高氧离子束流密度能够明显改善Ta2O5薄膜的微观结构和电学性能.     

化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展

Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料.从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展方向作了简要的展望.     

磁控反应溅射制备的Ta2O5薄膜的光学与介电性能

采用直流磁控反应溅射技术，在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品，采用紫外．可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术，研究了Ta2O5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数；同时还采用HP 4192A阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz～13MHz频段的介电谱，结果表明在300～700nm的可见光波长范围内，氧化钽薄膜的消光系数k→0，折射率＞2．0，透射率大约80％。500Hz下的低频介电常数5的典型值为20.1。损耗角正切tgδ为19.9。     

Ti/IrO_2-Ta_2O_5-SnO_2氧化物阳极的锰中毒现象及其反向电解活化试验研究

制备了"锰中毒"的氧化物阳极试样,利用循环伏安测试等电化学方法和扫描电镜等物理表征手段研究了阳极中毒的原因,并研究了恒电流反向电解法清除阳极表面沉积锰的可行性。结果表明,阳极发生"锰中毒"现象,是因为阳极电位达到1.1 V时,Mn~(2+)会被氧化成MnO_2并在阳极表面形成沉积层。反向电解法可以有效活化锰中毒阳极,恒电流法反向电解的最佳电流密度为0.10 m A/cm~2。     

热氧化温度对Ru_(0.15)Ir_(0.15)Ti_(0.7)/Ti电极性能的影响

应用刷涂-热氧化法,在不同热氧化温度(分别为400℃、440℃、470℃)下制备Ru、Ir、Ti三元金属氧化物电极。通过电化学性能、强化寿命以及电极形貌分析得出:440℃热氧化温度下制备的Ru0.15Ir0.15Ti0.7/Ti电极析氯电位低、催化活性强、强化寿命长;且该温度下的反应电阻也最小。     

添加Ta2O5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用固相反应法制备添加Ta₂O₅的NiCuZn铁氧体, 研究了不同Ta₂O₅含量对NiCuZn铁氧体显微结构, 静磁性能和高频损耗的影响。结果表明: Ta₂O₅具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用, 可降低材料的烧结密度。随着Ta₂O₅含量的增加, 样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小, 矫顽力则逐渐增大, 截止频率逐渐升高, 而高频损耗呈先降低后增加的趋势, 其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta₂O₅含量为0.12wt%时, 样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小, 为139 mW/cm³, 其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm³和46 mW/cm³。