半导体蓝光激光器

本文详细论述了半导体蓝光激光器的应用前景，国内外研究动态以及量子阱半导体蓝光激光器件的结构与种类等。     

硅基键合激光器的研究进展

硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键事方法克服了异质结外 可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件。特别是年来来发展起来的低落曙直接合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。     

更长寿命的蓝光激光器

在宣布第一个连续输出氧化镓（GaN）蓝光半导体激光器（室温运转）之后的不到一年时间里，日本日亚化学工业公司的Nakamura等人又报导了演示寿命为3000h和估计寿命超过10000h的蓝光激光器[1]。现在这种激光器已达到商品化应用范围，在此应用中，10000到20000h的寿命是需要的。日亚估计，商品化GaN激光二极管将于1998秋推向市场。据我们所知，Nakamura最近发展的以GaN为基础的紫、绿、蓝绿发光二极管和激光二极管对世界肯定有巨大影响，它已为科学和商品化应用开辟了一种新的材料体系。这种器件有巨大的现成商业市场：如用于显示器、高密…     

蓝光半导体激光器的发展

蓝光半导体激光器的发展过去十年，半导体激光器的应用和开拓都有爆炸性发展，包括从光盘用的几毫瓦半导体激光器到千瓦级条形列阵激光器。现在使用的绝大多数激光器，发射波长都在７８０～１５５０ｕｍ之间的近红外区，且以ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ和有关合金为基础...     

硅基拉曼激光器的研究与进展

硅基激光器实现的问题一直是硅光电集成的主要障碍。实现硅基激光器的有效方法之一是采用拉曼散射原理实现硅基拉曼激光器。本文详细阐述了硅基拉曼激光器的工作原理、波导结构,并介绍了近几年来已经实现的脉冲和连续波拉曼激光器的结构和工作性能。     

氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功

由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,     

脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的     

紫外激光器能否取代蓝光激光器

研制新一代小型光盘（CD）读出器的竞争持续白热化。在上月旧金山举行的材料研究学会会议上，一个科学家组报告关于一种新型芯片激光器的发明，这种激光器能产生紫外光。如果这种实验性激光器能成为现实，它所产生的短波长光就能够读取CD和比现在存储量要大得多的CD．ROM。目前CD激光器是用一束近红外线扫视CD上存储数据的凹槽，上述发明会使新设备在竞争中脱颖而出，取代目前的CD激光器。过去几年中，全世界研究人员争先恐后想办法使另一种芯片激光器商业化，这种激光器发射比红光波长短的蓝光，CD盘就可以采用更小的凹槽，使光盘数…     

美国防部投资百万开发硅基激光器

美国麻省理工学院的微光子中心近日正式启动硅基激光器和纳米光子学的研究项目，该项目由美国国防部资助，启动资金分3年共360万美元，且很可能再延长两年，总计资金达6百万美元。这个多校研究创新项目包括26个与基础科学和工程相关的主题领域，其中就有硅基激光器和纳米光子学。     

全固化蓝光激光器

本文介绍了半导体，ＳＨＧ与频率上转换三种全固化蓝光激光器的现状与发展趋势，并从理论上作了相应的分析。     

蓝光激光器光辉的未来

蓝光激光器光辉的未来最近，研制蓝光二极管激光器和蓝光发光二极管的突破预示着更高容量ＣＤ－ＲＯＭ光盘、更亮投影显示器和替代现今短寿命光源日子的到来。虽然今后３～４年时间还不能使蓝光激光器商业化，但研究人员确信，到本世纪末，蓝光激光器将取代较为低效的红光...     

基于447nm蓝光激光器基模热稳腔的设计与实验

在基模热稳腔实现条件的基础上,借助于计算机软件辅助,设计出一种用于实现447nm蓝光激光器基模热稳定输出的谐振腔。并采用大功率激光二极管侧面抽运方式,利用Nd∶YAP晶体作为增益介质,选用Ⅰ类角度匹配LBO和Ⅱ类角度匹配KTP分别进行腔内倍频与和频,实现了447nm蓝光的基模热稳定输出,获得了83.5mW的连续稳定输出,输出功率稳定度为1.5%。     

蓝光激光器满足过硬的商品化要求

波长短于红色（＜６３５ｎｍ）的发光二极管（ＬＥＤ）和激光二极管（ＬＤ）对于全息存储、光盘（ＣＤ）、打印机和其它器件具有重要的意义,因此许多开发致力于研制发射蓝光的ＬＤ。氮化镓和基于其它Ⅲ－Ⅴ族氮化物的半导体具有对发射蓝光器件合适的直接带隙。在室温下,...     

窄线宽蓝光半导体激光器研究

由于有色金属对蓝光激光光源具有良好的吸收效率,因此蓝光半导体激光器逐步成为研究热点。针对激光加工纯铜、纯金、高强铝等高反射金属材料的市场需求,采用体布拉格光栅作为外腔反馈元件,压窄激光线宽,稳定激光波长,并基于空间合束技术将6片单管蓝光激光芯片聚焦耦合进芯径为105μm、数值孔径为0.22的光纤中,研制出窄线宽蓝光半导体激光光纤耦合模块。当工作电流为3 A时,该激光模块的输出功率为26.32 W,稳定输出波长为444.29 nm,光谱线宽被压至0.18 nm。     

我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器

2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaS）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

全固体蓝光激光器

由长春新产业公司研制的全固体蓝光激光器是一种具有自主知识产权、质量稳定可靠的全固体蓝激光器.产品属国内首创,总体性能居国际先进水平.     

基于表面等离子体激元的硅基激光器

研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1～36 cm-1.     

超高精度DVD用蓝光半导体激光器的发展

激光波长是限制DVD记录密度提高的关键因素,研制短波长激光器是超高密度VD用光源的重要发展方向。这里介绍这种短波长蓝光激光器（如GaN,ZnSe,SHG等）的特点及应用展望。