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从征 《激光与光电子学进展》1998,35(11):22-24
在宣布第一个连续输出氧化镓(GaN)蓝光半导体激光器(室温运转)之后的不到一年时间里,日本日亚化学工业公司的Nakamura等人又报导了演示寿命为3000h和估计寿命超过10000h的蓝光激光器[1]。现在这种激光器已达到商品化应用范围,在此应用中,10000到20000h的寿命是需要的。日亚估计,商品化GaN激光二极管将于1998秋推向市场。据我们所知,Nakamura最近发展的以GaN为基础的紫、绿、蓝绿发光二极管和激光二极管对世界肯定有巨大影响,它已为科学和商品化应用开辟了一种新的材料体系。这种器件有巨大的现成商业市场:如用于显示器、高密… 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1996,33(10):6-8
蓝光半导体激光器的发展过去十年,半导体激光器的应用和开拓都有爆炸性发展,包括从光盘用的几毫瓦半导体激光器到千瓦级条形列阵激光器。现在使用的绝大多数激光器,发射波长都在780~1550um之间的近红外区,且以AlGaAs、InGaAsP和有关合金为基础... 相似文献
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研制新一代小型光盘(CD)读出器的竞争持续白热化。在上月旧金山举行的材料研究学会会议上,一个科学家组报告关于一种新型芯片激光器的发明,这种激光器能产生紫外光。如果这种实验性激光器能成为现实,它所产生的短波长光就能够读取CD和比现在存储量要大得多的CD.ROM。目前CD激光器是用一束近红外线扫视CD上存储数据的凹槽,上述发明会使新设备在竞争中脱颖而出,取代目前的CD激光器。过去几年中,全世界研究人员争先恐后想办法使另一种芯片激光器商业化,这种激光器发射比红光波长短的蓝光,CD盘就可以采用更小的凹槽,使光盘数… 相似文献
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张志军 《激光与光电子学进展》2006,43(9):5-5
美国麻省理工学院的微光子中心近日正式启动硅基激光器和纳米光子学的研究项目,该项目由美国国防部资助,启动资金分3年共360万美元,且很可能再延长两年,总计资金达6百万美元。这个多校研究创新项目包括26个与基础科学和工程相关的主题领域,其中就有硅基激光器和纳米光子学。 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1996,33(4):16-18
蓝光激光器光辉的未来最近,研制蓝光二极管激光器和蓝光发光二极管的突破预示着更高容量CD-ROM光盘、更亮投影显示器和替代现今短寿命光源日子的到来。虽然今后3~4年时间还不能使蓝光激光器商业化,但研究人员确信,到本世纪末,蓝光激光器将取代较为低效的红光... 相似文献
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波长短于红色(<635nm)的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)对于全息存储、光盘(CD)、打印机和其它器件具有重要的意义,因此许多开发致力于研制发射蓝光的LD。氮化镓和基于其它Ⅲ-Ⅴ族氮化物的半导体具有对发射蓝光器件合适的直接带隙。在室温下,... 相似文献
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《激光与光电子学进展》2007,44(6):7-7
2007年4月30日,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,标志着我国氮化镓(GaS)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。 相似文献
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研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1~36 cm-1. 相似文献
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激光波长是限制DVD记录密度提高的关键因素,研制短波长激光器是超高密度VD用光源的重要发展方向。这里介绍这种短波长蓝光激光器(如GaN,ZnSe,SHG等)的特点及应用展望。 相似文献