光学信号处理器

本专利阐述一种结构新颖的CCD信号处理器。采用CCD处理器,元件内的偏压可以直接抑制。CCD间以及读出放大器间的散射也可减少。(美国专利号:5170048)     

一类新型信号处理器件—砷化镓声电输运器件

声表面波器件(SAWD)现电荷耦合器件(CCD)是目前实现模拟信号处理的成功器件。本文介绍一种兼有SAWD和CCD两者优点,且不难把频率扩展到微波频段的新型高速信号处理器件——声电输运器件(Acoustic Charge Transport Dviece ACTD)。在简要介绍了ACTD的基本结构、工作原理和特点后,给出了基于ACT原理的几种典型信号处理器件。ACTD是一种具有很大应用潜力的新型器件。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第一部分)

本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。     

基于ARM7的线阵CCD信号采集系统设计

以ARM7内核微控制器LPC2148为核心,搭配CCD信号处理器AD9826,设计了一个线阵CCD信号采集系统.系统各部分的驱动时序都由LPC2148产生,采集到的数据通过USB向PC机传输,在PC机上的数据接收软件以坐标图的方式显示出CCD光敏面上各个像元上光强的大小.系统能够对CCD以及电路外围器件进行驱动和控制,同时也能采集到CCD输出信号,实现了CCD信号采集电路进一步的小型化和结构的简化,降低了成本.     

CCD电荷转换因子通用测试方法研究

通过分析电荷耦合器件(CCD)图像传感器光电转换、电荷转移、电荷输出的工作原理,提出了一种通用高效的电荷转换因子(CVF)测试方法。该方法采用在CCD感光区域施加直流偏压,水平区施加连续转移的驱动时序的方式,使CCD光敏区以电荷溢出方式往水平区转移电荷,水平区以固定频率不间断转移输出电荷包,从而让CCD输出强度恒定的响应信号;然后通过复位漏电流与输出信号强度的对应关系计算出CCD器件的CVF值。根据该方法的原理设计了一种适应各种CCD器件的通用测试装置,并对多款CCD进行测试验证。结果表明,该方法有效提高了CCD电荷转换因子的测试效率、测试精度和稳定性。     

光伏HgCdTe混合器件的性能

第二代红外成象系统需要供凝视应用的高密度焦平面阵列。为了满足这种要求,已研制采用HgCaTe光电二极管作探测器和Si电荷耦合器件(CCD)作信号处理器的焦平面结构。虽然一般的离子注入混合阵列已成功地与CCD多路传输器互连,但在液相外延层上制备的混合阵列却具有性能、处理能力和成品率方面的一些固有优点。用富Hg-熔体液相外延技术制备的异质结结构二极管得出了较之一般离子注入器件为优越的性能。器件具有高R_0A乘积和良好的组分均匀性。给出了为8～12μm和3～5μm应用所制器件的数据。     

数字摄像机中CCD信号处理器VSP2000

VSP2000是一个性能优良的CCD信号处理器,它采用相关双采样、空像素自动校零,以及黑色电平自动校正等关键技术,大大提高了电荷耦合器件模拟信号的处理质量,被广泛应用于数字摄像机、PC机和监控摄像头中.对这些关键技术及VSP2000使用中的注意事项作介绍.     

可编程序 CCD 相关器

本文叙述雷达和通信信号处理器中应用的一种可编程序 CCD 抽头延迟线。64级 CCD 延迟线(在每级抽头)已经用作二进制加权模拟相关器和带通滤波器。这种 CCD 是一种浅埋 n 型沟道器件,而基准码输入和存储所需要的单片逻辑电路是 NMOS 电路,试验结果表明,对于64位码米说,峰值—旁辩比接近理论值,线性良好,工作速度高(超过15兆赫)。已经实现了片上(On—ChiP)和信号电流的差分相减。     

Analog Devices发表数款单晶片CCD信号处理器

Anolog Devices日前领先业界针对数位相机与扫描器市场,发表三款CCD信号处理器,分别为10bit的AD9801和AD9805,以及12bit的AD9807,由於皆为高整合单晶片产品,在市场上甚具价格/效能的优势。号称为业界第一颗CCD信号处理器单晶片的AD9801,为10bit, 3V,     

VSP2000及在线阵CCD测量系统中应用分析

介绍了CCD信号处理器VSP2000的内部结构和功能特点,并结合线阵CCD传感器TCD1209D和ARM微处理器LPC2106等设计了线阵CCD测量系统,详细叙述了系统的基本原理、线阵CCD驱动脉冲的产生和系统应用程序的设计方法.     

单片信号处理器的发展及功能

本文介绍微处理器与单片信号处理器发展的关系,以及两代单片信号处理器的发展概况;着重介绍了信号处理器实现的方法,以及几种典型的单片信号处理器的结构和功能。附带简介了Am-29500信号处理系列器件,在结束语中,提示了信号处理器的发展方向。     

高速面阵CCD图像采集系统的设计

高速高分辨率CCD器件的实用化是近年图像采集领域的一个研究热点.选用科学级柯达新型高分辨率可见光面阵CCD KAI-0304设计了一种高速图像采集系统.该系统采用KSC-100作为时序发生器驱动面阵CCD和信号处理器AD9840A,实现对CCD面阵输出模拟信号的高速A/D转换,并将信号快速转存至片外SDRAM存储器,经USB采集系统将数据发送到计算机.系统采用相关双采样(CDS)技术滤除信号中的相关噪声,提高了系统的信噪比,采集速度达40 Mbit/s,具有集成度高、低噪声、数据传输速度快等特点.经测试,系统工作稳定,为高端科学级CCD面阵的实用化提供了一种设计方案.     

硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应

建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型.分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1 100 nm范围的光谱响应曲线,预测探测器光谱响应峰值在1μm,峰值响应率达到0.72 A/W.实测结果表明:器件峰值响应与预测一致,反偏压对响应率的影响与预测相同,即响应率随着反偏压的升高而增大.并且在各种反偏压下的光谱响应曲线形状与预测基本吻合,证明了建立的模型可以正确地预测器件性能.     

兼有低功耗、低噪声和图像高质量的CCD信号处理器

Texas Instruments(印度)公司的工程师们设计出了一种取样速率为21MS/s的单通道12位CCD信号处理器,其型号为VSP1221。这种CCD成像模拟前端(AFE)主要用于静止的数码相机和数码摄像机。据该公司数字成像部的首席工程师Suhas Kulhalli说,VSP1221的主要设计目标是低功耗和低噪声。该器件工作时的最小功耗为70mW,处于待机模式下的功耗为4mW。它因采用专有的偏彩校正技术而只有95dB的线路噪声。VSP1221     

电荷耦合器件电极短路自动测试仪

前言电荷耦合器件(CCD)是七十年代才开始发展起来的一种新型半导体器件,它已广泛地用于各有关领域。在我国,CCD的研究工作正加紧进行,但测试手段尚不完善,由于我所科研的需要,我们研制了“电荷耦合器件电极短路自动测试仪”。我们知道,CCD管芯上各相邻电极之间间距很小,一般在几微米左右。由于工艺方面的原因,很容易造成各电极之间、电极和衬底之间的短路现象。器件一旦出现上述的     

星载偏振相机模拟前端单粒子锁定及损伤机理

单粒子锁定效应容易引起星载遥感仪器产生故障。针对空间高能粒子辐射环境诱发的偏振遥感相机性能退化问题,利用高能重离子和皮秒脉冲激光对星载偏振成像仪选用的模拟前端信号处理器开展了试验研究,获得了此类器件的单粒子锁定特点,为工程设计及试验评估提供了参考。试验结果显示:偏振成像仪选用的模拟前端信号处理器对重离子诱发的单粒子锁定比较敏感,单粒子锁定LET阈值处于4.4~13.4 MeV·cm2·mg?1之间。针对模拟前端芯片LET阈值偏低的问题,提出了一种模拟供电端和数字供电端串联大功率防闩锁限流电阻和在轨定时开关机的设计方法。试验结果表明,该方法可有效避免器件单粒子锁定造成的器件过流烧毁及仪器失效等故障。研究结果可为星载偏振相机用模拟前端信号处理器抗辐射加固设计和单粒子地面模拟实验方法的建立提供技术基础与保障。     

0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究

以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供参考。     

基于DSP和线阵CCD外螺纹几何参数非接触测量方法研究

为了提高外螺纹尺寸检测的精度并实现自动化测量,文章提出了基于线阵CCD的非接触测量方法,建立了包括图像数据自动采集和尺寸计算的测量系统,该系统通过控制高精度的线阵CCD扫描外螺纹在平行光场中的投影并结合光电编码器来获取螺纹图像。文章详细介绍了线阵CCD驱动电路的实现,以TMS320F2812为信号处理器的线阵CCD在线测量系统的硬件结构与软件设计。     

CCD-SAW器件在雷达信号处理中的应用

表面声波器件(SAW)及电荷耦合器件(CCD)是七十年代初相继问世的两类先进模拟器件,由于它们具有许多独特的优点,目前国内外已开始应用于雷达信号处理技术中。本文就CCD器件、SAW器件及CCD—SAW器件的组合在雷达信号处理中的应用作了综述,重点叙述在匹配滤波、频谱分析、动目标显示及脉冲多卜勒信号处理等技术中的应用。比较了CCD与SAW器件的性能,报导了SAW脉压、CCD动目标显示及CCD—SAW脉冲多卜勒信号处理实验结果。CCD、SAW及其组合作为新一代的小型化模拟器件,在雷达信号处理中的应用具有十分广阔的前景。     

基于高速SOC单片机的面阵CCD驱动电路设计

电荷耦合器件（CCD）是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。近年来,CCD器件在图像传感和非接触测量领域的发展迅速。CCD芯片的转换效率、信噪比等光电转换特性只有在合适的时序驱动下,才能达到器件工艺设计所规定的最优值,输出稳定可靠的视频信号。因此,产生严格的CCD驱动时序,是成功设计CCD测量系统的先决条件。