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硅外延层电阻率测量值一致性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题,对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题,针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试 方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。 相似文献
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分子束外延不再仅是研究工具,它已日益被用来生产Ⅲ—Ⅴ外延层。MBE系统的用户正寻求增加可靠性、生产量和重复性。 相似文献
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运用不同的液相外延生长工艺,制备了两种结构的AlxGa1-xAs/GaAs太阳电池,并结合透射电子显微镜等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明,与过冷生长技术相比,回溶工艺对衬底质量的要求不严格,且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。 相似文献
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利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN 总被引:2,自引:0,他引:2
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AIN层来减少Al2O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量,从而提高外延层GaN的质量,达到器件制作的要求。 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1998,35(12):24-25
法国汤逊一CSF公司的研究人员已用化学外延(**E)法外延生长叠层二极管激光器。他们宣称,这种方法可开发费用效益高的高功率单片叠层半导体激光器。虽然诸如二极管泵浦*d:YAG系统等高功率固体激光器正日益增多地分享以前只为普通闪光灯泵浦系统占领的市场,但如果*d:YAG激光器的市场份额要继续增长的话,它们也仍面临几个障碍需要克服,这就是它们的输出功率、亮度和费用效益必须继续改善。尽管半导体材料具有高增益和良好热导率方面的优势,但一直存在输出功率低的问题,半导体激光器的总输出功率仍然不高,这主要是由于发射激… 相似文献
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本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10~(14)~10~(17)cm~(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm. 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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1.引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术,外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进,共同发展。外延生长技术的应用与发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能,对于新材料、新器件的开发,对于半导体科学的发展都有重要的意义。反过来,对器件质量和性能的进一步要求又推动人们探索更新、更好的外延技术。外延技术首先从硅外延技术发展起来,进而到化合物半导体外延。1962年、1963年,氯化物汽相外延法(VPE)和液相外延法(LPE)相继问世,用这些方法制备的材料广泛应用于制作各种微波及光电子器件… 相似文献
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对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延(IBE)方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱(AES)深度剖析测量.结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO2和林的低价氧化物具有明显不同的热处理行为,对与此有关物理过程作了初步探讨.结果还表明IBECeO2/Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO2,而外延层内的化学配比可接近正常值,从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性. 相似文献
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在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶 总被引:5,自引:0,他引:5
研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延方法在C面及R面蓝宝石衬上外延生长CaN单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对GaN外延生长的影响提出了不同的衬底晶向对外延GaN表面形貌产生影响的机制。 相似文献