声表面波器件用的一种集成化吸声膜

声表面波(SAW)器件,已经被广泛用于通讯、数据处理和传感器中,声表面波在器件基片边缘的反射,将会反过来干扰主信号,并降低器件的性能。因此,在SAW器件基片的边缘,经常涂敷一些■或硅胶之类的吸声物质。现在,SAW器件都用图形光刻工艺来制作,然而,吸声材料仍沿用丝网印刷或手工涂布工艺。集成电路技术中新材料的发展给吸声材料的开发创造了条件。一种非常有用的材料就是聚酰亚胺。这是一种在高温处理后仍可保持其吸声特性的有机材料。聚酰亚胺可以用离心涂布和光刻的方法在基片上作图形。它的厚度可以控制在0.2μm直到20μm以上,这使得它…     

声表面波器件的研究进展

声表面波器件作为一种新型的电子器件，近年来引起了人们极大的关注，在科学研究领域有了较大的进展，在现代无线通讯领域的应用范围日趋广泛。本简述了目前国际上出现的声表面波器件的制备方法、性能研究及其应用，展望了其今后的发展趋势。     

声表面波器件的研究进展

声表面波器件作为一种新型的电子器件,近年来引起了人们极大的关注,在科学研究领域有了较大的进展,在现代无线通讯领域的应用范围日趋广泛.本文简述了目前国际上出现的声表面波器件的制备方法、性能研究及其应用,展望了其今后的发展趋势.     

用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜

采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。     

用于信号处理的声表面波器件

本报告简述了声表面波横向滤波器设计的基本原理,并介绍了和信号处理有关的声表面波器件。     

声表面波器件用改性铌酸钠锂陶瓷材料

用少量多元添加物和气氛烧结工艺制得了一种致密度高、性能好、有实用价值的 LNN-20型改性铌酸钠锂陶瓷材料。其抗折强度为2300kg/cm~2,晶粒尺寸为1～2μm,无公害,工艺简便,成本低,介电、压电性能好。用这种改性陶瓷已经制成了37MHz SAW IF 滤波器,其性能达到黑白电视机使用要求,还制成了10.7MHz SAW滤波器,插入损耗<21dB,与 LiNbO_3单晶制作的同类 SAW 滤波器相仿。     

基于COMSOL的声表面波器件仿真

声表面波器件在通信、传感、射频识别等领域有着广泛的应用.以有限元方法为基础,利用有限元软件COMSOL对声表面波器件进行了仿真.从器件的模型建立入手,按由浅入深的顺序对无电极压电基片、压电基片表面沉积叉指换能器、叉指换能器表面溅射薄膜、薄膜上负载液体的4种结构进行了仿真分析.仿真研究表明:叉指换能器的电极效应会产生正、反特征频率,并且两种频率都随着叉指电极的敷金比与高度增加而向低频偏移;薄膜厚度的增加同样会导致器件频率向低频变化;当器件负载液体用于液体密度检测时,可通过器件频率变化对液体密度的灵敏程度来对薄膜厚度进行优化.其研究结果可以为声表面波器件的设计制作提供依据.     

400MHZ带宽声表面波RAC器件

一、引言 声表面波线性调频脉冲压缩滤波器以其卓越的性能在雷达与微波辐射测量系统中得到了广泛应用,随着此类系统对观测目标成像分辨率、清晰度和稳定性要求的提高,宽频带高性能的声表面波线性调频脉冲压缩滤波器的研究工作就显得更为重要.本文介绍我们最新研制可用于雷达、微波辐射测量设备的宽频带声表面波沟槽反射栅脉冲压缩滤波器(简称声表面波RAC器件),其线性调频带宽可作到400MHz.     

离子注入在声表面波器件上的应用

本文以 Ｈｅ＋注入 ＬｉＮｂＯ３晶体表面为例，给出了表面波相违随注入离子剂量和注入离子能量的变化关系曲线，并介绍了离子束注入在声表面波器件上的一些应用。     

金刚石声表面波器件的研究与进展

高频无线通讯系统的迅速发展推动了对高频声表面波(SAW)器件需求的不断增大。金刚石具有最高的声速和许多优于其他材料的特性，因此金刚石声表面波器件受到了越来越多的关注。本文介绍了金刚石声表面波器件的构成、制备方法，讨论了金刚石声表面波器件近年来国际上的研究进展，包括理论研究与实验进展的概况，并讨论了金刚石声表面波器件的未来发展趋势。     

金刚石声表面波器件的研究与进展

高频无线通讯系统的迅速发展推动了对高频声表面波 (SAW)器件需求的不断增大。金刚石具有最高的声速和许多优于其他材料的特性 ,因此金刚石声表面波器件受到了越来越多的关注。本文介绍了金刚石声表面波器件的构成、制备方法 ,讨论了金刚石声表面波器件近年来国际上的研究进展 ,包括理论研究与实验进展的概况 ,并讨论了金刚石声表面波器件的未来发展趋势     

声表面波器件在射频识别系统中的应用

1引言 自动识别技术在许多流通及服务领域得到了快速推广和应用,初步形成了包括条码技术、磁条(卡)技术、射频识别技术、光字符识别技术、生物识别技术等集计算机、光、机、电、通讯等技术为一体的高新科技技术领域.其中,射频识别(RFID-Radio Frequency Identification,RFID)系统,由于其可实现无接触的物品、人员识别,因而具有更大的发展潜力与应用空间.而声表面射频识别标签因其无线无源、有效距离较远(至少数米)、数据容量大和批量成本低等特点,倍受各国重视,发展尤为迅猛.     

声表面波单电子输运器件的频率响应研究

为减少样品盒的电磁效应对声表面波单电子输运的影响,需要优化器件的样品盒结构.我们用全波法模拟不同样品盒的声表面波单电子输运器件的频率响应,同时测试该频率响应.模拟结果与测试结果较为一致.二者表明,电磁馈通效应对声表面波单电子输运器件的频率响应影响显著.通过适当改进器件的样品盒可以较有效地抑制电磁馈通效应.这将有助于提高量子化声电电流的精度.     

新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制

本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳米级结晶度(10nm～30nm),良好的表面平整度(低于10nm),高于107Ω·cm的电阻率及较高的应力承载性,很好的满足了薄膜声表面波(SAW)器件制备及降低损耗的需要.通过改变工作气压,氩氧比等工艺参数,较系统地探索了ZnO薄膜的制备条件.采用多种分析手段,如X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),高能反射式电子衍射(RHEED),原子力显微镜(AFM)等对薄膜的微观结构及结晶品质进行了测试分析,并对薄膜的电学性能及机械性能进行了考察.     

声表面波沟槽器件反射栅的离子束刻蚀

利用数控离子束刻蚀机,在铌酸锂、锗酸铋和石英压电晶片上,溅射刻蚀等深度和深度加权沟槽反射栅,制作了声表面波谐振器和脉冲压缩滤波器。选用合适参数和刻蚀程序,槽深分布接近理论值。一、引言利用沟槽栅阵对声表面波(S AW)的反射特性制作的SAW器件,如脉冲压缩滤波器(RAC)和沟槽谐振器,具有优良的     

高频声表面波材料及器件制备工艺的研究

研究了磁控溅射和电子束蒸镀工艺对在LiNbO3基片上沉积铝膜的结构、表面形貌的影响。采用匀胶、曝光和反应离子刻蚀工艺，制备出中心频率在920MHz纵向谐振耦合换能器结构的声表面波滤波器。结果表明，电子束蒸镀的铝膜与LiNbO3单晶间具有较好的结合力，具有适合SAWF器件制备所需的微观结构，在随后的叉指换能器制备过程中表现出良好的加工性能和声传播特性。     

用于高频声表面波器件的CVD金刚石衬底的研究

使用纳米金刚石粉研磨工艺预处理硅片衬底抛光面,在低气压成核的条件下,以丙酮和氢气为反应物,采用传统的热丝辅助化学气相沉积法,制备了自支撑金刚石膜;通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜的成核面,形成氧化锌/自支撑金刚石膜结构.通过光学显微镜、扫描电镜及原子力显微镜测试自支撑金刚石膜成核面的表面形貌.研究结果表明:成核期的低气压有助于提高成核密度,成核面表面粗糙度约为1.5 nm;拉曼光谱显示1334 cm-1附近尖锐的散射峰与金刚石SP3键相对应,成核面含有少量的石墨相,且受到压应力的作用;ZnO/自支撑金刚石膜结构的XRD谱显示,氧化锌薄膜有尖锐的(002)面衍射峰,是c轴择优取向生长的.     

抑制声表面波器件中三次行程信号的阻抗失配法

本文介绍了抑制声表面波器件中三次行程信号的阻抗失效法的工作原理，分析工纯电阻负载凡对电感并联调谐和串联调谐时表面波叉指换能器的声反射损耗Ｌ１１和声电转换损耗Ｌ１３。的影响，给出了三次行程信号与表面波器件频率响应波纹的关系。     

多孔吸声矩形薄板声振特性分析的一种新模型

为了弥补现有多孔吸声材料在数值建模以及解析建模上的不足,建立了一种全新的多孔材料矩形薄板声振特性分析的半解析模型。利用薄板理论,引入与流体声压相关的薄膜力和力矩分量,由三维的Biot理论本退化导出了二维多孔材料矩形薄板的本构关系和内力-位移关系。然后,结合多孔板的骨架的平衡方程和多孔薄板内部流体的运动方程,通过Fourier变换和无量纲化处理,消去中间变量后建立了频域内多孔矩形薄板的声振控制方程,并写为一阶常微分矩阵形式,可采用高精度的齐次扩容精细积分法进行求解。该模型充分考虑了薄板面内振动与弯曲振动的相互耦合,比现有的解析模型更加接近多孔板的真实振动。同时,采用了一种高精度的齐次扩容精细积分法进行求解,可以在中高频段保证其精确性。以两端简支的多孔矩形薄板为例,分析了薄板面内振动与弯曲振动的耦合作用对声振特性的影响。     

四面体非晶碳作为薄膜声表面波器件增频衬底的研究

为了提高薄膜声表面波器件工作频率,并增强功率承受能力,采用过滤阴极真空电弧技术制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,用作IDT/ZnO/Si结构的增频衬底。通过解析层状结构声表面波传播状态方程,对IDT/ZnO/ta-C/Si声表面波器件进行优化设计,计算表明,随着ta-C层厚的增加,其增频作用愈加明显,且在层厚较薄时增幅较大,当膜厚超过一定程度,增幅趋缓。利用网络分析仪测试频率响应特征,利用纳米压痕测试薄膜硬度,并利用可见光Raman和XPS表征薄膜的结构。实验表明,ta-C膜层对IDT/ZnO/Si结构声表面波滤波器起到了明显的增频作用,膜厚越大,增幅越高,测试规律与计算结果吻合良好,ta-C能够代替化学气相沉积多晶金刚石用作薄膜声表面波器件的增频衬底。