迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会

2006年10月24日，上海张江开发区龙东商务酒店，继“成品率提升研讨会”“晶圆清洗技术研讨会”后，《半导体国际》年度第三个研讨会“光刻技术研讨会”成功举办。     

迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》第二届“光刻技术研讨会”

光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，决定了整个IC工艺的技术水平。随着半导体技术沿着ITRS继续向前发展，新的先进光刻技术也逐渐从理论走向实践，与之相应的新材料的研发和应用也从未间断。光刻技术正变得更加复杂．特征尺寸的减小对于光刻是机遇也是挑战。浸没式光刻在近几年内得到了迅猛的发展，已经从实验室向大批量生产迈进．前景怎样？193纳米光刻还能走多远？先进光刻技术如何应对更小节点尺寸。     

2006年国际化合物半导体制造技术会议简介

2006年国际化合物半导体制造技术会议（International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology）于4月24日至27日在加拿大美丽的海滨城市温哥华举行，来自世界各地的297名代表参加了这次年会。会议共有71篇报告，涉及到世界各地的超过50个企业、政府和高校，另外会议还收到约80篇学生论文，其中有12篇被录用，显示出化合物半导体事业正健康地发展。     

化合物半导体材料制片技术探讨

本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。     

光学光刻新设备与技术介绍

1　瑞士推出一种新颖的高分辨率光刻技术　　瑞士苏黎世ＩＢＭ实验室的研究人员已研制出一种十分简单的光学光刻技术 ,它可以印制比所用光波长 1 / 2还要小的特征尺寸。无需复杂而又昂贵的聚焦光学系统。含有图形的“光图章”直接置于晶片上 ,不同于传统的接触式光刻技术要采用玻璃上铬掩模 ;ＩＢＭ实验室开发的新方法采用橡胶式掩模 ,与晶片均匀地接触。当光透过这种掩模时 ,将图像传入衬底 ,并在凹进区域被封锁或反射。通过起推进作用的聚焦效应和“光图章”与抗蚀剂间的紧密接触来减小光散射 ,使其与折射率匹配。工作人员采用 2 48ｎｍＫ…     

用于图像传感器制造的光刻技术

引言任何一种数字成像的核心都是图像传感器。它的基本结构包括一个能把光转换为图像的有源像素矩阵。数码相机和带相机的移动电话带动了图像传感器需求市场的快速增长,它们已成为主要IC制造商大量生产的产品之一。制造成像阵列通常采用两种主要的工艺技术——电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器(CIS)。在形成工艺层次组合和电学设计方面,这两种技术有很大差别。但是,两者都需要优化,以俘获到达的光线,并将其更有效地转化为电信号。CCD器件在象素区把光子转换为电荷。CIS器件则可以看作为改进的存储器单元,每一单元包含一个可以产生…     

基于半导体光刻技术的自动调焦

提出了基于图像处理的半导体光刻技术自动调焦的方法,利用图象处理算法实现半导体光刻技术的自动调焦。实验结果表明,这种方法可以实现高精度(200nm)和良好的重复性(400nm)的调焦。     

半导体激光器及其在军事领域的应用

文中阐述了半导体激光器的研究进展情况,简要介绍了半导体激光器在激光测距,激 光制导跟踪、激光瞄准告警,激光雷达和激光引信等军事领域的应用。     

纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅

分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。     

Applications of Semiconductor Lasers

1 Introduction The world first diode laser was developed in 1962, only two years later than the demonstration of the first world ruby laser. The diode laser had moved from the pure re- search laboratory to the consumer market not until the 1980s, mainly driven by the demand from optical infor- mation storage and optical communication. Most diode lasers are made of semiconductor materi- als from groups III (Ga, As, In) and V (N, P, As) of the Periodic Table[1]. They are also diode lasers b…     

国外军用大功率半导体激光器的发展现状

由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激光引信、激光测距、激光通信、激光模拟武器、激光瞄准告警和光纤陀螺等军事领域得到广泛应用.概述了近年来美国和欧洲等国家在半导体激光器方面的主要研制计划及其所取得的成果,重点介绍了GaAs基和InP基近红外大功率半导体激光器、中远红外及太赫兹量子级联半导体激光器等的发展现状和最新研制成果.随着新型半导体材料、激光器结构和热管理等技术的发展,展望了未来半导体激光器技术的发展趋势.     

用于雷达的高速半导体激光器和探测器

介绍用于雷达的高速半导体激光器和探测器的特性,综述了这类器件的研究进展,重点讨论具有高的调制带宽的高速量子阱激光器和具有高的收集效率的高速PIN光电探测器.     

3D Micro‐ and Nanostructures via Interference Lithography

Interference lithography (IL) holds the promise of fabricating large‐area, defect‐free 3D structures on the submicrometer scale both rapidly and cheaply. A stationary spatial variation of intensity is created by the interference of two or more beams of light. The pattern that emerges out of the intensity distribution is transferred to a light sensitive medium, such as a photoresist, and after development yields a 3D bicontinuous photoresist/air structure. Importantly, by a proper choice of beam parameters one can control the geometrical elements and volume fraction of the structures. This article provides an overview of the fabrication of 3D structures via IL (e.g., the formation of interference patterns, their dependence on beam parameters and several requirements for the photoresist) and highlights some of our recent efforts in the applications of these 3D structures in photonic crystals, phononic crystals and as microframes, and for the synthesis of highly non spherical polymer particles. Our discussion concludes with perspectives on the future directions in which this technique could be pursued.     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

现代半导体研制的内建可靠性方法

为满足半导体技术的高速发展与进步的要求以及客户对产品的性能、服务、运送、质量及可靠性等方面的期望，我们有必要尽早地把有缺陷的产品从生产线上鉴别出来，并采用更为有效的方法来开发、验证及监控工艺过程。传统的测试式可靠性方法，主要在生产线末端通过老化、品质管理、可靠性测试和失效分析等手段来鉴别或评估可靠性失效率，由于其测试周期长，已不再适用于现代半导体工业。内建可靠性方法正好相反，它具有迅速反馈、早期预警和循环控制等优点。对半导体制造业来说，内建可靠性方法由两大部分组成：圆片级可靠性系统和内建可靠性数据库。我们已经成功地运用此方法完成了从0.35-0.13μm技术的产品可靠性认证和工艺监控。     

制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术

在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一.本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点.     

Semiconductor Composites: Strategies for Enhancing Charge Carrier Separation to Improve Photocatalytic Activity

The formation of semiconductor composites comprising multicomponent or multiphase heterojunctions is a very effective strategy to design highly active photocatalyst systems. This review summarizes the recent strategies to develop such composites, and highlights the most recent developments in the field. After a general introduction into the different strategies to improve photocatalytic activity through formation of heterojunctions, the three different types of heterojunctions are introduced in detail, followed by a historical introduction to semiconductor heterojunction systems and a thorough literature overview. Special chapters describe the highly‐investigated carbon nitride heterojunctions as well as very recent developments in terms of multiphase heterojunction formation, including the latest insights into the anatase‐rutile system. When carefully designed, semiconductor composites comprising two or three different materials or phases very effectively facilitate charge separation and charge carrier transfer, substantially improving photocatalytic and photoelectrochemical efficiency.