用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究

用热灯丝辅助化学汽相沉积（HFACVD）法，以H2＋CH4为原料在钼基板上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜，X射线衍射，激光Raman光谱和光荧光谱对所得金刚石膜进行了分析。实验结果表明，钼基板表面先生成了1层Mo2C，然后，金刚石再在此Mo2C上形核生长。所沉积的金刚石膜中仍含有一定的SP^2态碳和中性空缺等缺陷。     

MOCVD—YBCO/Ag膜(带)的组织结构与超导性能

采用三源蒸发静态沉积、单溶液源超声波雾化静态沉积２种ＭＯＣＶＤ工艺，在轧制抛光的Ａｇ基带上制备了ＹＢＣＯ超导膜，同时综合分析了典型样品的组织结构特点与超导性能的关系。采用这２种工艺制备的ＹＢＣＯ膜皆呈强烈ｃ轴取向的１２３相为主相，其Ｊｃ值为１×１０４Ａ／ｃｍ２（７８Ｋ，０Ｔ）。采用第２种工艺制备的典型样品，尽管其成分偏离１２３相较大，但杂相不显，具有细小而高密度的晶粒组织，其Ｊｃ值达到２２×１０５Ａ／ｃｍ２（７８Ｋ，０Ｔ）；在呈（１１１）织构（（１１１）面平行于表面）的Ａｇ带上较具有其它织构的Ａｇ带更适于生长空隙少、ｃ轴取向性好的ＹＢＣＯ膜（带）。     

低温电铸人造金刚石孕镶钻头试制工艺

低温电铸人造金刚石孕锒钻头就是利用电镀的原理，采用镀镍的基本方法，沉积金属主要是镍（百分之七十几），还沉积一定量的金属钴（百分之二十几），当然如不沉积一定量的金属钴，还可沉积一定量的金属锰或金属钨等。人造金刚石用人工的或者机械的方法     

D-D结合型金刚石聚晶晶界结构及其生长模式

利用ＳＥＭ,ＥＰＭＡ（ＷＤＳ）观察分析了聚晶金刚石层中ＤＤ结合聚晶晶界结构、组成和性能,讨论了晶界金刚石微晶的形成机制,证明了聚晶金刚石层中存在ＤＤ结合的网络状结构,在此基础上提出了ＤＤ结合界面的２种生长模式重结晶金刚石搭接生长模式和原始金刚石接触面沉积生长模式。     

预植入金刚石微粉的WC-Co合金表面金刚石薄膜沉积特征

通过提高金刚石薄膜与硬质合金基底间的粘结力，可提高涂层工具的使用寿命。实验结果表明，在预植入金刚石微粉的硬质合金表面沉积金刚石薄膜，金刚石既在预植入金刚石表面同质外延生长，又在硬质合金上结晶生长，两者交互生长，且相容性较好，最终生长为致密均匀的金刚石薄膜。     

孕镶人造金刚石钻头磨损机理的模拟试验研究

本文评介了国内外金刚石和金刚石切削具磨损机理的研究方法和成果。在此基础上,采用微钻模拟钻进方法对此题目进行了较为深入的研究。通过试验、观测、分析得出或证实了如下认识,钻头胎体的磨损由磨蚀磨损和微切削磨损构成,其中,磨蚀是胎体磨损的基本类型;金刚石磨损从广义上可分成两大类:宏观型和微观型。宏观型磨损包括脱粒和脆性破裂;微观磨损包括研磨磨损、氧化磨损和石墨化磨损。作者认为,研究金刚石钻头的磨损机理对深入探究金刚石破岩机理和优化钻头结构参数设计有重要的理论意义和实际意义。     

高压辊磨机粉碎行为研究进展

高压辊磨机粉碎原理为层压粉碎，具有处理量大、节能高效等特点。与传统破碎方式相比，高压辊磨机粉碎产品细粒级含量高、微裂纹发育、矿物解离度高、邦德球磨功指数低，还有助于下游选别或浸出作业。随着辊面抗压强度和抗磨蚀性能不断增强，高压辊磨机已经广泛应用于冶金矿山领域，如金刚石与围岩解离、球团原料铁精矿预处理、金属矿磨前（超）细碎，（半）自磨工艺顽石破碎等。高压辊磨机的成功应用与其粉碎行为密切相关。文章依次从高压辊磨机的研发背景、工作原理、辊面压力分布、宏观粉碎过程、料床应力响应、粉碎产品特性等方面系统评述了高压辊磨机的粉碎行为，并分析了边缘效应和辊面磨损的产生机理、负面影响及其应对措施，旨在全面地阐述高压辊磨机粉碎行为。     

人造卡邦金刚石研究

人造卡邦金刚石是用特种石墨和触媒在７７ｋｂ（７７００ＭＰａ）以上压力和１５００°Ｋ左右温度下合成的。经微观和宏观检测，它具有结构致密、晶粒间以金刚石键相结合的微观特征，与天然卡邦结构相近；它在宏观上表现出显微硬度高（相当于天然单晶）、抗压强度高、耐磨性好、颗粒大、可指定成形等优点及耐热性差的不足。人造卡邦金刚石的研究成功并将它应用于工业、国防和科技各个方面，使当今人造金刚石发展跃上新台阶。     

金刚石产品的脉冲激光制备与应用

详细介绍了用脉冲激光法制备金刚石产品的发展过程,并总结了脉冲激光沉积（ＰＬＤ）、液体靶脉冲激沉积（ＬＹＰＬＤ）以及脉冲激光诱导液－固界面反应（ＰＬＩＩＲ）等几种典型的实验方法、实验装置以及所取得的成果。在脉冲激光沉积法（ＰＬＤ）制备金刚石薄膜方面重点总结了最近比较新颖的液体靶脉冲激光沉积技术,而在金刚石纳米晶的制德方面综述了脉冲激光诱导液－固界面反应法,此法在制备亚稳态主晶体方面显示出了较独特的优     

锌钻异常共沉积机理研究

用电化学方法研究了锌钴异常共沉积机理。实验结果表明，单独电沉积时，在不同电极上，钴离子的沉积电位都比锌离子正１００ｍＶ至２００ｍＶ；当锌钴共沉积时，钴受到抑制，其沉积电位变得比更负。用锑微电极跟踪电极表面附近ｐＨ值发现，钴沉积时，电极表面附近ｐＨ值升高。同时，Ｚｎ＾２＋生成Ｚｎ×２＋生成Ｚｎ（ＯＨ）２，并吸附在电极表面上，阻碍Ｃｏ＾２＋的进一步放电。据此阐明了锌钴异常共沉积机理。     

CVD金刚石薄膜钻模套的制备与试验研究

以硬质合金为衬底,采用化学气相法(CVD),通过改进预处理方法和优化沉积工艺参数,在钻模套内孔表面沉积金刚石薄膜涂层。利用扫描电子显微镜、表面粗糙度测量仪、激光喇曼光谱仪和洛氏硬度计对金刚石薄膜涂层的表面形貌、质量、均匀性和涂层附着力进行检测。结果表明,钻模套内孔表面可以沉积分布均匀、质量优异的金刚石薄膜。同时也为该技术推广应用并实现产业化生产提供一定的试验依据。     

Study on morphology of copper deposited onto aluminium by immersion plating from an oxalate bath containing perchloric acid

The structural characteristics of copper deposits resulting from immersion plating of copper are presented. In this study halide is replaced by perchloric acid, which is found to effectively break down the impervious oxide film from aluminium surface and to facilitate copper plating. Increase in copper concentration results in a smooth deposit, showing layered structure where crystallite grows in fine globular shape. Perchloric acid concentration has a significant effect on the deposit morphology. Increase in its concentration mainly affects the crystallite size and its distribution on the substrate surface. At higher perchloric acid concentrations no dendrite formation is observed but surface corrosion is initiated. Increase in plating temperature results in the nodular growth and also surface corrosion. The activation energy calculated from the Arrhenius plot is found to be 34.19 kJ mol⁻¹.     

金刚石表面真空盐浴镀覆金属的试验研究

对金刚石表面真空盐浴镀覆金属的工艺进行了研究,通过试验得出了盐的添加类型、添加量、真空度、镀覆温度、保温时间。结果表明金刚石经真空盐浴镀覆以后,单粒抗压强度明显提高,并且在金刚石表面形成了碳化物层     

不同金属/氢终端金刚石（100）界面结构的第一性原理研究

金刚石薄膜/金属的接触界面结构直接影响到其在微电子器件领域的应用。良好的欧姆接触和较强的结合力是决定金刚石薄膜电子器件性能的关键。通过基于密度泛函理论的第一性原理方法构建了不同金属(金、钛、铜、铝、钨)/氢终端金刚石(100)基底的界面模型,研究了其结合性能。结果表明,虽然所有金属/金刚石界面均呈现稳定的界面结构,但是金、铜、铝三种金属与氢终端金刚石基底的结合能较低,金属层驰豫较小,电荷在吸附表面并没有明显转移,结合能力较差。相比之下,钨、钛与氢终端金刚石基底具有较好的结合力,结合能较高,金属层呈现明显驰豫现象,呈现较强的界面结合力。     

合成自锐性磨料级金刚石用触媒研究

本文研究了合成自锐性磨料级金刚石用触媒材料。通过实验优选出R26触媒,它是一种镍铜基多元、奥氏体单相固溶体合金。X射线分析为面心立方(f·c·c),点阵常数3.59。对石墨润湿性能良好。批量合成证明,R26触媒能稳定生产无定形块状、表面粗糙感强的金刚石(RVD—S)。磨削和冲击强度测定表明,RVD-S的自锐性远优于JR_1。高温高压合成条件下,固溶于R26触媒中的铜大量结合到金刚石里。提高了自锐性。     

SiC多孔陶瓷管的抗热震性能及过滤特性研究

微观结构和孔隙参数对于SiC多孔陶瓷管的过滤性能至关重要,采用压汞法和X射线衍射法对使用前后的多孔陶瓷管孔径变化进行了量化研究。通过水淬法对SiC多孔陶瓷管的抗热震性进行了评估,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)等手段分析了SiC多孔陶瓷管的表面形貌、微观结构和物相组成。结果表明,SiC多孔陶瓷管结构均匀,膜表面形貌粗糙复杂,适用于微米级过滤。在200~250℃的工作温度下,SiC多孔陶瓷管的抗弯强度保持率在75%以上。在冶金烟气除尘过程中,粒径小于膜孔径的SiO2和Fe杂质会穿过膜层进入到支撑体层,在支撑体孔隙表面吸附沉积,使其孔径减小28.8%左右;膜层表现良好的稳定性,不会被污染。     

甲烷浓度对金刚石膜表面形貌及其热导率的影响

以甲烷为碳源气体，用直流等离子射流法制备了金刚石膜，研究了不同甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌和热导率的影响。结果表明，在甲烷浓度φ（CH4）为1．5％时，可以获得较高热导率的金刚石膜。     

氯化钠对氧化镁水化产品形貌的影响

为考察以NaCl为晶型诱导剂,常压下水化反应制备一维状氢氧化镁的可行性,以六水氯化镁低温煅烧生成的活性氧化镁为原料,常压下水化合成氢氧化镁。结果表明:NaCl浓度为0.034 mol/L时,水化反应产品主要呈片状;NaCl浓度为0.171 mol/L时,水化产品呈槽沿的凹槽状;NaCl浓度为0.342 mol/L时,形成半管状产品,且分散性较好。即随着NaCl浓度的提高,水化产品逐渐向一维状趋势发展。当NaCl浓度较低时,新生成的氢氧化镁只能任意吸附在已生成的氢氧化镁晶体上,生成分散性较好的规则片状氢氧化镁;当NaCl浓度较高时,NaCl能够选择性地吸附在氢氧化镁的特定晶面上,使片状颗粒沿着垂直的晶面优先生长,最终发生定向排列形成槽状;随着NaCl浓度的进一步提高,Na~+易于扩散到[Mg(OH)_6]~(4-)八面体中,取代部分Mg~(2+)的位置,降低氢氧化镁生长的梯度能量,进而改变氢氧化镁晶体在不同方向的生长速率,有利于诱导晶体沿一维方向生长,可快速诱导生成一维管状产品。     

高钴硬质合金基体上生长金刚石薄膜组织结构及成分的研究

采用XRD, SEM, Raman 光谱仪等分析检测手段, 研究了YG₁₅ 硬质合金基体经表面二步法浸蚀后, 在其表面用热丝法沉积出的金刚石薄膜的晶体结构、组织及化学纯度等。结果表明:硬质合金基体表面一定深度范围内Co 含量的变化, 对金刚石薄膜的晶体结构取向、组织形态及化学纯度等有很大影响。CVD 沉积温度从900 ℃降至800 ℃, 后一温度下的金刚石薄膜的晶粒尺寸是前一温度下的1/5 。沉积温度降低至700 ℃左右时, 薄膜的金刚石纯度大大降低。