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指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试和理论拟合发现指数掺杂结构在发射层厚度和后界面复合速率相同的情况下能够有效提高阴极电子扩散长度,这主要由于内建电场能够促使光生电子通过扩散和电场漂移两种方式向表面运动,从而最终提升阴极的发射效率和表面光电压谱。利用能带计算公式和电子散射理论对这两种不同结构材料的表面光电压谱进行了详细分析。 相似文献
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本文提供了一种方法,用于测量由电压控制预热荧光灯阴极的发射时间。本方法的基础是监测电压。文中给出了热发射曲线间的差别,曲线分别是通过热冷线圈阻抗比(Rh/Rc)法和监测灯电压法获得的。人们认为Rh/Rc法曲线的差别主要是受阴极加热的非均匀性影响所至。阴极是热容由互不相同的灯丝线圈与发射材料组成的。可以确信,在初始电流冲击后,当发射涂层达到发射温度时,整个阴极很难达到热平衡,难以用Rh/Rc法来叙述 相似文献
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硅/多孔硅异结光生电压谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次报道硅/多孔硅异质结光生电压谱,发现多孔硅的激发能有不连续性,表明多孔硅量子点由一层层硅硅原子有序排列而构成,其尺寸分布是不连续的,其差值为硅晶格常数的整数倍,光生电压谱是研究多孔硅和硅/多孔硅异质结能带结构的有效方法。 相似文献
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氮化镓基薄膜材料由于外延衬底与氯化镓基薄膜材料之间存在较大的晶格失配,因此氮化镓基薄膜材料,特别是铝镓氮薄膜材料的质量还需要有很大的提高。本文利用紫外可见透射光谱,电流电压特性曲线测试,以及二维透射扫描系统来评价氮化镓基薄膜材料。利用紫外可见透射光谱,可以得到材料的截止波长、吸收边以及在可见光波段的透射率,从而对材料的组分以及材料的异质结界面作出评价;利用简单的电流电压特性曲线测试可以对薄膜材料最表层的电导能力有所了解;而利用搭建的二维透射扫描系统则可以对材料均匀性进行量化的评价。通过以上这些非损伤性的测试评价手段,对氮化镓基薄膜材料的光学、电学以及均匀性等各方面的重要性能作出定性和半定量的评价,从而对薄膜材料生长以及后续的大面阵芯片制作提供极其重要的指导。 相似文献
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表面光电压法 (SPV)是一种高灵敏度的、非破坏性的在线监控技术。能精确测量硅片的少子扩散长度、少子寿命、重金属沾污浓度等参数。对 IC生产的质量保证是非常重要的检测手段。文中介绍了用于监控 IC生产栅氧化层和氧化炉管系统的 SPV技术 ,并讨论了铁以外其它沾污的 SPV检测。 相似文献
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在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测. 相似文献
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《Electron Device Letters, IEEE》2009,30(8):799-801
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在TiO2薄膜基底上制作多碱光电阴极,发现多碱光电阴极制作工艺无法正常进行,多碱光电阴极的颜色为暗黑色,并且阴极灵敏度非常低,而正常的多碱光电阴极应为红褐色.其中TiO2薄膜基底利用原子层沉积(ALD)工艺制备在玻璃窗上,并且具有锐钛矿晶体结构.X射线衍射仪(XRD)分析发现,制作多碱阴极后的TiO2薄膜样品锐钛矿衍射峰基本消失,另外X射线光电子能谱(XPS)分析发现该TiO2薄膜样品不同深度均存在Na元素,由此表明是Na元素渗透到TiO2薄膜中,破坏了薄膜的晶体结构,并且导致多碱光电阴极灵敏度非常低.为此提出了一种在制作多碱光电阴极之前,在TiO2薄膜上利用ALD工艺制作一层Al2O3钝化膜的方法.经过实验验证,证实该方法可以有效避免Na元素渗透到TiO2薄膜,同时多碱光电阴极制作过程可正常进行,多碱光电阴极的颜色为红褐色,阴极灵敏度超过800 μA/lm.这为将来深入研究采用TiO2薄膜作为多碱光电阴极的减反膜打下了基础. 相似文献
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对注入量为 1×1014cm-2 的快中子(1.2 MeV)对氮化镓(GaN)基白光发光二极管(LED)器件的辐照效应进行研究。通过测量和分析器件的电致发光谱(EL)、光功率-电流(L-I)和电流-电压(I-U)特性,发现器件辐照后光功率降低,而 EL 谱形状几乎没有变化,表明该注入量的中子辐照主要对器件中的蓝光 LED 芯片造成了损伤。进一步分析发现,中子辐照导致蓝光 LED 量子阱中产生大量非辐射复合中心,增加了漏电流并减小了量子阱中载流子密度,从而降低 LED 的输出光功率。由此,在原有 GaN 基蓝光 LED 等效电路模型的基础上,加入由中子辐照导致的影响因素,不仅有助于理解中子辐照对 LED 光功率的衰退影响机理,还为预测辐照后光功率的变化提供了可行性。 相似文献
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用射频磁控反应溅射的方法,以Al及Al+MnF2为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了AlN多晶态徘晶态两类薄膜。发现非晶态吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动20nm,对于非晶态薄膜,通过喇曼光谱的分析,得到了AlN薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属Al和块状MnF2共溅射的方法,制备了AlN:MnF2薄膜,在退火后的多晶态样品中,测得了Mn的特征光致发光。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2013,(6)
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密度536mA/mm。器件的特征通态电阻为1.54mΩ·cm2,是相同击穿电压Si MOSFET器件特征通态电阻的二十五分之一。所制作的6mm栅宽器件击穿电压400V,输出电流2A。该器件的研制为制作低成本GaN HEMT功率器件奠定了基础。 相似文献