光电子技术

TNZ,TN911.75 00040220用半导体激光器和PIN光电探测器设计和实现的光互连链路/井文才,周革,张以漠,刘卫,田劲东,华锋,张xun(天津大学)刀光电子·激光.一1999,10(5).一440一443采用半导体激光器和PIN光电探测器,设计和实现了用于计算机P Cl总线井行互连的光互连链路.在链路的网络接口卡上设计和实碗了激光器的电流源驱动电路以及具有宽动态范围的光电探测器放大整形电路,实现了激光器的自动功率保护.通过时分复用技术,实现了P Cl总线的并行数据在一根光纤中的虚拟并行传输.图4表1参7(木)制.这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,…     

甚短距离光互连模块技术的发展动态

甚短距离光互连技术作为一种突破铜线互连传输瓶颈有效方法,受到了广泛关注。半导体光学器件技术、高速化集成电路技术和光电模块封装技术作为实现光互连的关键技术发展较为迅速。首先阐述了垂直腔面发射激光器的电路模型,然后针对光信号发送模块介绍了预加重补偿技术以及开环方式稳定光功率输出技术,并对如何提高光信号接收模块带宽性能的电路技术进行了分析。其次结合光互连模块技术标准的发展,以NEC公司的实用化甚短距离并行光互连模块为例,对其光电封装技术进行了说明,最后就甚短距离光互连技术所面临的课题及发展前景进行了总结。     

用半导体激光器和PIN光电探测器设计和实现的光互连链路

本文采用半导体激光器和ＰＩＮ光电探测器,设计和实现了用于计算机ＰＣＩ 一并行经连的光互连链路。在链路的网络接口卡上和实现了激光器的电流源驱动电路以及具有宽动脉的光电探测器放大整形电路,实现了激光器的自动功率保护。通过时分复用技术,实现了ＰＣＩ总线的并行数据在一根光纤中的虚拟并行传输。     

SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成

成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V族半导体材料。综述了近期III~V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号,是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理,旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

新功能半导体光电器件研制动向

在半导体光电器件发展的历程中,首先研制成了发光二极管,接着很快过渡到了半导体激光器。由于低损耗光纤的问世,集中力量研制出了室温连续工作半导体激光器和高速半导体光探测器。除了1微米波段半导体光探测器外,目前光通信对上述器件特性的要求,基本上都能满足。然而,并不只是通信才是利用光纤作传输线的光领域。能利用光的领域非常多。光探测器是光接收器件,半导体激光器是发射器件。除了利用光传输信息外,为了利用光作信息处理,希望研制出新功能半导体器件。本文首先介绍在现有光探测器和激光器的基础上,经过改进后制成的新型器件,接着讨论了有放大作用和双稳作用的器件及其发展动向。     

新型光电探测器列阵的实验研究

本文对一种适用于光互连网络的新型光电探测器件列阵进行了实验测试工作。设计了一个测试列阵器件的光互连系统,系统的时钟光点阵由二位相光栅产生,测试所需的信号光点阵由一个２×８的ＳＥＥＤ器件对时钟光进行调制产生。对一个２×８的探测器列阵进行了实验测试工作,该探测器列阵中的探测单元的工作频率可达１００Ｍｂｉｔ／ｓ。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号，是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理，旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

半导体光电器件工艺技术概述

半导体光电器件主要包括半导体激光器，半导体发光管，半导体探测器以及半导体光放大器等基于半导体材料的光电器件，它们体积小，可靠性高，便于集成，光电，电光转换效率高，在光通信系统中完成发射，接收，放大和监控等功能，是通信系统重要的组成部分。     

基于π型结构的光电探测器功率合成阵列北大核心

针对ROF(光载无线通信)基站需要高功率大带宽光电探测器的问题,提出π型光电探测器阵列功率合成电路。通过将探测器嵌入在用电感互连的人工传输线上,即按照阵列式结构将单个π型光电探测器电路组合起来构成所需电路,实现功率合成,从而得到高功率大带宽的信号。电路首尾支路级联两个二极管来降低等效结电容以达到电路的最佳阻抗匹配。仿真结果表明,π型光电探测器阵列能在保持大带宽的同时对各级光电二极管功率进行有效地合成,相比于同级的行波探测阵列合成效率更高。     

半导体光电器件应用专集

半导体光电器件主要指光发射器件和各种光传感器。前者主要有各种波长的半导体激光器、发光二极管以及以它们为主体的组件和集成器件;后者包括有以光电二极管、雪崩光电二极管为主的各类光电探测器、电荷耦合器件、液晶传感器以及包含有这些器件的组件等。近几年来,这些光电子器件的理论研究非常活跃,器件制造工艺由于和半导体电子器件相容,因此器件的生产和应用都有了很大发展。半导体光电子器件的应用领域非常广泛,由它们组成的光纤传输系统比同轴电缆有损耗低、宽带快速、抗电磁干扰等优点,因此在通讯网路、数据网路、工     

硅基PIN光电探测器的设计与模拟

介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理.设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流分别进行了模拟,对模拟结果进行了分析.设计了该光电探测器的版图,给出了其主要工艺流程,搭建了其光响应谱测试电路.最后对研究结果进行了总结.     

改善位置敏感器信噪比的信号处理系统

PSD(Position Sensitive Detector)位置敏感探测器,是一种能将人射光点位置转换为电流信号的半导体光电检测元件,作为半导体光敏探测器,其固有的缺陷就是受温度和背景光影响较大.采用可编程逻辑器件电路可以较好地减小这种影响,而且减少了传统的PSD信号处理电路中模拟器件噪声,通过仿真测试证明,噪声有效降低、改善了器件的信噪比,有利于精确测量.     

0.9微米PIN光电二极管光窗的烧铸透镜探讨

一.概论半导体光电器件不论是发光器件或是探测器件都有一个光学窗口。因此光电器件的光窗设计对半导体光电器件的光电转换效率、灵敏度及管子的可靠性影响较大,故对光窗透镜材料的选择及封装工艺的研究是很重要的。玻璃是很好的透明材料,但是玻璃对各种波长的光都表现了不同程度的吸收,其透     

异质结光电器件的液相外延生长

自60年代以来,在Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上利用液相外延(LPE)生长工艺已经研制和生产了许多半导体光电器件。采用异质结的器件在其中占有极其重要的作用。这些器件包括发光管、激光器、探测器、太阳能电池、半导体光阴极以及化合物光电集成等等。本文将就LPE生长的原理、方法、装置以及生长质量等问题进行一些简述。一、前言制作光电器件选择哪类异质结的依据:1.有源层要满足合适的带隙,以便发射和吸收合适波长的光。波长与带隙的关系为2.异质结两侧材料的晶格常数必须尽量接近,才能得到匹配完整的异质结,以减少由失配位错引起的复合中心或散射中     

MSM光电探测器研究现状

由于金属－半导体－金属光电探测器潜在的优点，用于光通信、高速片到片互连、以及光控受到极大关注，文中介绍这种光探测器及其与放大器单片集成的最新进展。     

光电混合集成光逻辑反相器及与门单元

近来,人们进行种种探索来研制各种各样的双稳光器件(BOD)。这类器件有潜力完成多种光数字处理功能。去年,我们采用光电混合集成技术,首次研制成功一种能实用的有源双稳光器件,它仅由一只半导体激光器、两只PIN光电探测器和几只电子元器     

红外电荷传输器件——硅探测器

本文评述了红外电荷传输器件应用到系统的可能性。文章表明,器件工艺将给系统带来很大的影响。计算了量子效率、量子增益、频率响应、光电导增益、工作温度、噪声以及在硅探测器上加纵向与横向偏压之间的差别。列出了硅探测器性能表。研究了将探测器耦合到电荷传输多路传输器互连电路的方法,并给出了在低背景和高背景条件下,红外电荷传输器件探测器列阵的实例。     

一种3D垂直结构的光电探测器研制

提出了一种3D垂直结构光电探测器及制作方法.将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上,上电极通过金丝连接到放大电路,使得光通过侧面进入本征工层,有效解决了重掺杂死区和金属电极的阻光问题,降低了光损失,减少了复合率,提高了响应度.结在半导体体内,减小了暗电流(表面漏电流),提高了反向击穿电压.结面积的主要部分为平行平面结,有...     

二维半导体光电性质与器件研究进展简述

二维半导体材料,如过渡金属硫族化合物,以其在光电器件方面展现出的独特性能与巨大潜力,成为后摩尔时代有极大发展前景的新半导体材料.二维材料具有独特的光电性质,如直接带隙的电子结构,谷自旋电子学特性,强激子效应等,而利用以上性质,此类材料可用于光探测器、场效应晶体管、高效微纳传感器、光电子电路等微纳光电器件中.因此,以过渡金属硫族化合物为代表的二维半导体材料无论在基础科学与未来应用方面,都是重要的备选材料.