大体积同轴Ge(Li)探测器制备工艺及表面处理的初步研究

为了满足微量元素γ射线能谱测量的需要,制备高分辨率,高效率的实用Ge(Li)探测器是必要的。大体积Ge(Li)探测器的制备工艺相对小体积的有其特殊的要求。本文重点论述了130cm~3的单开端同轴型Ge(Li)探测器的制备工艺及其特点,表面处理的初步研究以及最后的封装结果。并就表面处理,探测器对能量分辨率的影响、探测器效率等问题进行了讨论。     

密闭式电热增压液氮自动注入器

HPGe,Si(Li)及Ge(Li)等半导体探测器有良好的能量分辨率,已广泛用于γ、X射线谱的分析。这类探测器不仅要在低温下工作,有的还需要在液氮温度下保存。因此,定期地向低温恒温器内充液氮是采用这类探测器后     

在回旋加速器上用α束进行在束测量时的γ本底研究

随着加速器技术的发展以及高分辨、高效率半导体探测器的不断提高,在束γ谱学越来越受到人们的重视,因为它是研究原子核高自旋态的有力工具,可以为研究核结构提供更丰富的信息。在一定人射能量的核反应过程中,往往可以同时打开几个反应道,用Ge(Li)探测器进行在束测量时,就会记录到许多γ射线,使在束γ谱变得相当复杂,在这样测得的γ谱中,还附加了许多本底γ峰,它们主要来自Ge(Li)探测器中的非弹性中子散射和中子核反应所产     

Ge(Li)γ射线探测噐的研制

高分辨率Ge(Li)γ射线探测器有两个固有的缺点:一是锂的迁移率太大,探测器必须长期保存在液氮温度,其次是锂离子漂移过程很长。为了得到在室温下稳定的Ge探测器,进行了大量的探索。在高纯Ge问世之前,1964年采用γ射线在Ge中产生受主缺陷来补偿N型Ge的方法构成辐射型Ge探测器[简称Ge(γ)探测器]。这种探测器在室温下是稳定的,工艺周期短并有薄的入射窗。有些实验室还得到了能量分辨率高达(0.5—0.2)％(γ射线能量为662keV)的Ge(γ)探测器,并构成     

样条函数在实验核物理中的一种应用

本文应用三次样条函数来求解某一核素特定能量γ跃迁的内转换系数值。用三组三次样条函数拟合Ge(Li)探测器的实验测定效率,给出该区域中任一能量γ射线的探测效率。     

应用Ge(Li)探测器能谱仪分析铀、钍矿石

使用Ge(Li)探测器的能谱仪具有很高的能量分辨率,因此被广泛地应用于放射性矿石的γ能谱分析。例如,根据矿样的γ辐射仪器谱的特性,便可按一次测量结果确定样品中的     

~(67)Ga衰变的某些K壳内转换系数的测定

使用Si(Li)电子谱仪和Ge(Li)γ谱仪测定了~(67)Zn的5个跃迁的K内转换系数α_K。测量中使用归一化γ峰比电子峰的方法(NPG)。对以上二种探测器进行效率刻度,用BASIC语言编制γ谱和e谱的寻峰、求面积程序,在DIDAC-MULTI(8)系统上运算。     

在正电子湮灭辐射多普勒加宽能谱测量中降低本底的初步尝试

在Ge(Li)γ射线能谱仪上,连接一个NaI探测装置进行正电子湮灭辐射的多普勒加宽能谱的符合测量时,测到能谱的本底可以降低。这将有利于观察高动量电子在能谱中的贡献,并能给低能尾部谱形分析带来好处。 NaI晶体尺寸是φ40×30mm,光电倍增管型号是GBD44,主放大器是FH-430,单开端同轴型Ge(Li)探测器的灵敏体积是136cm~3,测量时,把NaI探测器与Ge(Li)探测器放在同一条轴线上,~(22)Na正电子源和样品置于二个探测器之间。NaI探测器一边的信号经单道分析器选择能量(窗在0.4～0.6MeV)作为多道分析器     

用于γ能谱测井的Ge(Li)探头

本文论述用于γ能谱测井的Ge(Li)探头的结构和性能。该探头为柱状体,直径8.9厘米,长160厘米。探头中装有一个体积为22厘米。的同轴Ge(Li)探测器。探测器用液氮冷却。装好探头后,保持时间超过10小时。探头的能量分辨率为2.3千电子伏(对122千电子伏光子)和2.6千电子伏(对1333千电子伏光子)。此探头已用于兰斯塔德铀矿山的地面实验和钻孔模型中对中子活化谱进行研究。本文提出了实验结果并加以讨论。应强调指出,Ge(Li)探头将会成为钻孔活化分析的有用工具。     

一个效率经验公式对高钝锗γ探测器的适用性及其应用

一、经验公式 在Ge(Li)γ探测器全能峰效率ε和灵敏体积V_(ac)之间存在如下关系 ㏒ε=c+slogE (1) s=alogV-(ac)+b (2) 式中E为γ射线能量,a=0.629,b=-2.14,s是双对数坐标系中效率曲线的斜率。     

在0.3～10MeV能区内Ge(Li)探测器效率的绝对刻度

对42cm~3同轴双开端Ge(Li)探测器的效率进行了刻度,γ射线能量为0.3～10MeV。计算了源-探测器距离为10cm时FEP和DEP的绝对效率曲线,并给出了改变源-探测器距离时效率值的外推计算结果。检验了适合本探测器的FEP和DEP幅度分布的函数形式及效率曲线的函数表达式。     

高分辨率HPGe探测器及其稳定性

半导体探测器具有良好的能量分辨率,在能谱分析中已引起人们广泛的兴趣。Si材料原子序数(Z=14)较小,探测能量大于30keV的射线时,其效率迅速下降,因此人们选用Ge(Li)探测器。但它在制造和使用中存在两个主要的问题,一是必需用Li离子补偿Ge材料,二是Li在Ge中固有的不稳定性,使器件严禁升高到室温,即使是偶然的一次,也会导致器件的补偿度毁坏。这两个缺点,在用高纯Ge材料制备的探测器(HPGe探测器)中是不存在的,     

变质进口Ge(Li)探测器性能的恢复

近年来,我国进口了一些Ge(Li)γ谱仪探头。在使用过程中,由于忘加液氮而使探测器回温、表面沾污或低温恒温室(即冷指)真空破坏等原因使Ge(Li)探测器性能变质而不能正常工作或根本不能使用。我们曾为用户修复变质的Ge(Li)探测器,现将情况介绍如下。     

一个高能量多线γ放射源

一、引言文献[1]已报导过用Am-Be源中子被镍俘获后产生的γ放射源,它可用于γ探测器的性能刻度,特别是Ge(Li)探测器的刻度。为了使这种γ射线源能用于更宽的能量范围和低分辨探测器,我们对样品的结构作了改进、并用NaI(Tl)和BGO探测器进行了测试。这种多线γ放射源可以对分辨率差的探测器在1～9 MeV范围内作能量响应特性的测     

高能量γ射线源

文章介绍了用Am-Be中子源得到5-10MeV能区单能γ射线,以及在反应堆上得到高能单色低本底γ射线的方法。它们可以用来刻度γ探测器如Ge(Li),HPGe,NaI(Tl)和BGO等的能量线性,能量分辨和相对效率。     

^147Pm低激发能级研究

用高分辨率、高探测效率的Ge(Li)、HPGe及高探测效率的柱状、环状NaI(Tl)探测器测量了~(147)Nd衰变的γ单谱及符合谱。为了避开本底干扰,对γ射线逐条进行了半衰期跟踪测量,结果给出了两条新能级和三条新γ射线,这是~(147)Nd迄今为止最新的一组数据。依据最新的实验结果,对各能级的J~x值及β~-衰变分支比做了系统评价。     

Ge(Li)探测器γ射线能量测量中心的几何效应

在实验中应用Ge(Li)探测器时,应确切了解测定γ射线能量的误差,这一点在各方面的应用中有重要作用。例如通过热中子(n,γ)反应研究核能级纲图时,根据Ritz原理,产生假能级的几率正比于γ射线能量的误差。因而能量误差越小,能级可靠性就越高。在瞬发和缓发中子活化分析中,要知道γ射线能量以便更好的分辨各种元素。 γ射线能量误差来源于;Ge(Li)探测系统输出的信号辐度与入射γ光子能量间的非线性,仪器的漂移,峰位拟合误差和几何效应引起的误差。几何效应是由于源的体积大     

Ge(Li)探测器表面现象的研究

对同轴Ge(Li)探测器进行不同表面处理,采用~(241)Am59.6 keV准直γ束扫描来研究探测器的表面性能。从测得的探测器表面各点脉冲谱及光电峰相对效率,说明在探测器表面存在着强弱不同的N或P型表面沟道。当探测器表面存在N型沟道时,可得到比较好的探测器特性。     

CdTe核辐射探测器及其极化效应

为寻找高分辨率、高效率的室温γ、X射线探测器,克服Si(Li)、Ge(Li)探测器只能在液氮温度下工作的缺点,人们对用化合物半导体材料(如CdTe、GaAs、HgI等)制备核辐射探测器产生了浓厚兴趣。由于它们的平均原子序数较高,禁带宽度较大,对γ或X射线的阻止本领大,能在较大的温度范围内工作,即使在室温下也有较高的探测效率和分辨率。     

用Ge(Li)γ射线谱仪测定地质样品中的U、Ra、Th的含量

一、引言在铀矿地质研究、勘探和采掘工作中,分析地质样品中的铀、镭、钍的含量是十分重要的。γ射线能谱法无需对样品进行放化分离和制成薄源,因此是测定地质样品中铀、镭、钍比较理想的方法。目前采用较多的是β—γ、β—γ—γ、β—γ—γ—γ法。由于自然界三个天然放射性衰变系列中的各核素经常处于不平衡状态,在地质样品中这些核素所发射的γ射线中,各谱线相对强度变化比较大,而闪烁γ射线能谱仪能量分辨本领差,对那些用于测定铀、镭、钍的谱线有时很难分开。为弥补上述不足,多年来不少的分析工作者尝试用Ge(Li)半导体γ射线谱仪,测定地质样品中铀、镭、钍含量。虽然在这些工作中使用的Ge(Li)半导体探测器指标不高,没有能够显示出比γ闪烁探测器更大的优越性,但也解决了一定的实际问