难熔金属及硅化物薄膜特性研究

对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究。采用溅射难熔金属、热硅化反应的方法，解决了ＶＬＳＩ工艺中由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；采用硅化物阻挡层和Ａ１多层金属布线方法，解决了欧姆接触和铝的电迁移问题。     

难熔金属及硅化物薄膜特性研究

对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。采用溅射难熔金属，热硅化反应的方法，解决了ＶＬＳＩ工艺中由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；采用硅化物阻挡层和Ａｌ１多层金属布线方法，解决了欧姆接触和铝的电迁移问题。     

Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究

对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由于ＰｄＳｉｘ晶粒不断地长大，将Ｗ原子推到薄膜的外层，形成了Ｐｄ－Ｗ原子的分布反转。这样在Ｓｉ衬底的界面处形成了硅化物的浅接触，而薄膜的外层形成了...     

高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用

叙述了高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用和MBE设备高纯部件的研制。分子束源炉是MBE设备的“心脏”,它和MBE生长材料的质量紧密相关。选用电子束悬浮区域熔炼最佳工艺,我们制成纯度大于5N的钽、钼和钛并加工成棒、片、带、箔、管、丝和异型材制作分子束源炉。实验证明,这种分子束源炉是高质量的。并且进一步说明,从最大限度地降低外采杂质的污染出发对材料选择作精心的研究是很必要的。     

难熔金属激光焊接技术的研究及应用

本文论述了难熔金属零部件激光焊接工艺的研究及应用.通过大量的科学试验,成功地将激光焊接技术用于钨-钨、钼-钼、钨-钼、钨-钽、及钼-钽等零部件的焊接,均收到可喜的效果.     

难熔金属激光焊接技术的研究及应用

本文论述了难熔金属零部件激光焊接工艺的研究及应用。通过大量的科学试验,成功地将激光焊接技术用于钨—钨、钼—钼、钨—钼、钨—钽,及钼—钽等零部件的焊接,均收到了可喜的效果。     

难熔金属———电光源关键材料

目前元素周期表中有４０多种元素在照明工业用作辅助材料和固态及气态发光剂（材料）。这些所谓的“难熔金属”亦对目前各种工业光源至关重要。这些元素包括Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｚｒ和Ｈｆ。掺钾不下垂钨的钨线圈（螺旋）成了各种工业白炽灯不可缺少的部件。从固体材料工艺学方面看，卤素白炽灯线圈（螺旋）亦是具有最高能量负载的部件。提高灯泡效能和延长使用寿命等多种应用需求日趋增大。钍钨成为几乎各种放电灯（有助于     

化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物

本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。     

激光清洗技术在微电子领域的应用

本文介绍了激光清洗技术在微电子领域的应用，对该技术在清除细微颗粒方面所具有的独到的优越性进行了探讨。