智能型溶解氧分析仪的研制

介绍了溶解氧分析仪的硬件结构和软件设计。该仪器由极谱型复膜氧电极传感器和ＡＴ８９Ｃ５２单片微机系统两大部分组成，软件采用模块式编制，结构紧凑，操作简便。仪器的测量范围为：溶解氧：０～１９．９９ｍｇ／Ｌ（温度为－１０℃～４０℃）；测量精度：溶解氧±０．３ｍｇ／Ｌ（温度±１℃     

高精度模拟光纤传输线

本文是根据电压／频率（Ｖ／Ｆ）转换及频率／电压（Ｆ／Ｖ）转换原理，采用ＰＩＮ－ＦＥＴ混合集成光电接收器及相应模拟集成电路，完成了满量程达到１００ｋＨｚ，传输失真度〈０．１％的模拟光纤传输线的研制。     

高效94GHz0.15μm InGaAs／InAlAs／InP单片功率HEMT放大器

介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。当电源偏置成更高的输出功率时，在９４ＧＨｚ处可得到功率附加效率为２０％的５４ｍＷ的输出功率。这些结果表明，在此频率下，这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

高速InGaAsHBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ＿０．４８Ｉｎ＿０．５２Ａｓ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

Mo和Mo—0.5HfC合金的高温拉伸性能

钼的熔点是２９８０Ｋ，有较好的室温加工性能，同其它难熔金属相比密度小，为１０．２２ｇ／ｃｍ＾３。钼作为高温结构材料的主要障碍是在０．５Ｔｍ以上温度时强度较低。目前发现弥散强化是提高难熔金属强度的有效方法＾「１－３」。碳化铪（ＨｆＣ）的结构类似于氧化钠（ＮａＣｌ）所有碳化物中它熔点最高，对于钼来说是一种理想的强化剂。以前的研究表明弥散粒子ＨｆＣ能使钼的再结晶温度提高６００Ｋ＾「４」。因此，在高温应用     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究

总结了阴极铝箔化学腐蚀工艺较电化学腐蚀工艺的优点。就引进的Ｓａｔｍａ化学腐蚀工艺，测定单位表面积的腐蚀失重（ｍｇ／ｃｍ２）与比容关系作为对工艺水平的判据。在原工艺槽液中添加质量分数ｗ为０．５％～２．０％硫酸，使国产箔比容提高２０％～３０％以上。     

ROHM公司CD／CDROM用集成电路一览表（续）

ＲＯＨＭ公司ＣＤ／ＣＤＲＯＭ用集成电路一览表（续）音频数模转换器品名电源电压（Ｖ）功能２倍转发器数字滤波器去加重衰减器特点封装ＢＵ９４８０Ｆ３．０～５．５电阻串方式○○小型封装，适应２ｆｓＤＩＰ８ＳＯＰ８ＢＵ９４８３ＦＳ５．０电阻串方式○○○用于３...     

表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

光通信

２００２０３０１３７光通信中波分复用／解复用技术犤中犦／葛文萍．．．∥飞通光电子技术．—２００１，１（１）．－３０～３３２００２０３０１３８并行计算机系统的光WDM互连链路犤中犦／党明瑞．．．∥中国激光．—２００１，２８（１０）．－９３２～９３６２００２０３０１３９２１世纪的电信发展对集成电路技术的要求犤中犦／魏少军∥半导体情报．—２００１，３８（１）．－８～１１２００２０３０１４０用于光通信的GaAs集成电路犤中犦／成英∥半导体情报．—２００１，３８（６）．－２２～２３，５８２００２０３０１４１通…     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

低耗散功率HBT

低耗散功率ＨＢＴ日本ＮＥＣ公司已开发成功耗仅为以前１／１０（０．５Ｗ）的ＨＢＴ。ＨＢＴ具有比硅系更好的高速应答特性，但前者由于耗散功率大，高集成化很困难，只能达到１０００门规模的集成电路。为此，该公司采用０．７μｍ的发射极面积，比以前的减小３０％，以...     

HA868（Ⅲ）P／T型电话机电路分析及故障检修（上）

ＨＡ８６８（Ⅲ）Ｐ／Ｔ型电话机电路分析及故障检修（上）李考明，张明大ＨＡ８６８（Ⅲ）Ｐ／Ｔ型按键电话机是一种脉冲／双音频兼容拨号全集成电路电话机，主要由振铃电路、拨号电路、收发话电路组成。１集成电路引脚功能说明及各脚参考电压１．１振铃集成电路ＫＡ２４...     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法，用ＰＩＮ二极管和检波二极管，在很小的腔体内制作了小型化夫源微波限幅器。电参数为：频率ｆ＝２．５～３．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．３９ｄＢ，电压驻波比ＶＳＷＲ≤１．３，漏功率Ｐｌｉｍ≤０．５５ｍＷ（输入连续波１Ｗ）。     

全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究

本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．     

三菱四通集成电路有限公司奠基

我国北方大规模集成电路的中坚企业──三菱四通集成电路有限公司于８月８日在北京市上地信息产业基地举行了奠基典礼。该项目由我国最大民间企业──四通集团公司（出资３０％）与日本知名企业三菱电机株式会社（出资６０％）和三井物产株式会社（出资１０％）共同建立。项目总投资预计为２０亿美元，分二期建设。第一期工程为后道封装、测试工程，预定９７年１０月投产，月产半导体集成电路１１００万块。第二期工程为前芯片加工工程，前道工程在９７年开始筹划，预计２０００年投产。生产水平为８英寸硅片，０．３５～０．５微米精度，月…     

音频测量用—dBu表

在广播电视中，音频指标测量极为关键。文章介绍了一种音频测量用－ｄＢｕ表的设计方案：根据广播对伴音信号的数学定义即ｄＢｕ＝２０ｋｇ（Ｖ音／０．７７５），采用芯片５３６ＡＫ、ＣＨ７１１７等组成电路，完成对音频信号的前端处理和对数变换以及模／数转换，达到数字显示音频信号的ｄＢｕ值。     

低温电镀铁层的XTEM研究

低温电镀铁层的ＸＴＥＭ研究许晓磊王亮扈心坦黑祖昆（大连海事大学，大连１１６０２４）低温电镀铁广泛用于修复受磨损及腐蚀的零部件。镀层与基体的结合强度可达３５．６ｋｇ／ｍｍ２。表面硬度根据要求可达ＨＶ０．１５００—７００。镀铁层较厚，外层晶粒细小，制备完...     

激光测长定位中的软件补偿

本文论述了大规模集成电路制造设备关键技术之一的激光测长定位补偿技术中，如何解决由温度、压强、湿度等因素造成激光测长定位中的误差，并定量的分析给予补偿。激光当量为λ／３２时，工作台的重复精度可达±０．２μｍ（３σ）。