光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。     

365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。     

PREVAIL--下一代电子束投影曝光技术

PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术，采用可变轴浸没透镜，对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在1mm^2子场的情况下，运用步进扫描曝光方式，在100nm临界尺寸下具有较高的产量，也EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。     

提高光刻图形质量的双曝光技术

双曝光技术能提高图形对比度和分辨率,可改善焦深,从而提高光刻图形质量,介绍了双 曝光技术原理和几种双曝光方法,同时,提出采用双曝光技术,结合相移掩模和光学邻近效应校正来提高光刻分辨率,给出了双曝光光刻方法的实例及计算机模拟结果。     

利用光学移相技术进行精确对准

己开发出一种利用光学移相、傅里叶交换和空间滤波技术,使基片上的对称图形与中间掩模上的移相图形套准的新型精密对准技术。这两个标记之间的对准是用检测基片对准标记反射光的零阶空间频率先强的最小值点来确定的。此最小值是因两对准标记共心时相位将完全抵消而形成的。所进行的理论分析知计算机模拟证明,这种技术不受对准标记图形线宽和台阶高度变化的影响,也不因制有对准标记的基片材料的光学特征变化而变化。初步实验结果与计算值相当一致。从而证明,这种技术不存在利用栅光图形和检测干涉条纹图像这些技术中所存在的模糊问题。现有结果表明,这种技术的套刻精度可优于0.1μm。     

0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制

本文介绍0．7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm，缩少倍率5倍．曝光视场15mm×15mm．光刻工作分辨力0．6μm，并具有双路暗场同轴对准．又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。     

光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术

提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法,导出了相应的光学薄膜传输矩阵.该方法使得膜与膜之间解耦,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度.对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的.     

光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术

提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法,导出了相应的光学薄膜传输矩阵.该方法使得膜与膜之间解耦,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度.对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的.     

用于空间光学的高效红外抗反射涂层

已设计出用于空间光电系统中锗光学的简单抗反射涂层结构。发現这种非四分之一波结构,对光谱覆盖和剩余反射损失有好处。经试验已获成功,它的光谱特性和耐用性都很好。     

光学微细加工技术现状及发展前景

<正> 光学曝光技术在八十年代得到了飞速发展,它已成为半导体微细加工极为重要的手段。光学微细加工技术的大发展,促进了半导体集成电路制造技术的发展。 回顾半导体光学微细加工技术发展现状,探讨其发展前景,对进一步发展我国的半导体集成电路工业将是十分有益的。     

光学镀膜技术的新进展

在各种光学干涉应用和集成光学平面波导中,要求高质量的介质膜.很多无机化合物膜用普通镀膜方法沉积很难达到要求的附着力、密度、硬度和低成本等条件.现在正在研究用反应气体放电等离子体和荷能离子镀膜材料原子处理等方法对无机化合物膜进行综合研究.在光学多层膜中,介质膜很重要,因此,在光学镀膜领域主要研究和制备用于各种滤光片、反射镜和光波导的最佳化学配比、低吸收和高稳定性光学膜的方法.已经研究一种     

极端非线性光学：物质的几个光周期曝光

过去１０年,超短脉冲激光技术已取得巨大进展。新型宽带激光介质掺钛蓝宝石［１］、克尔透镜锁模的新型超快锁模技术［２］和用于超宽带色散控制的有效器件啁啾多层镜［３］的发明首次开辟了１０ｆｓ以内激光技术可靠的道路［４］。利用啁啾脉冲放大概念［５］,掺钛蓝宝...     

光学光刻技术现状及发展趋势

综述了光学光刻目前的主流技术— 2 48nm曝光技术现状 ,介绍了折射式透镜和反射折射式透镜结构及性能。结合 1 93nm技术的开发 ,比较了 2种结构的优势。最后给出了光刻设备的市场概况并讨论了光学光刻技术的发展趋势。     

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0．13μm及0．13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。     

光学探测技术上的新进展

本文介绍一种新型光学探测器件STJ,它由欧洲空间局研究中心(ESTEC)研制成功。其性能比CCD更优越、更灵敏。它能测出光子到达的位置,时间和颜色。     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构