英飞凌拓宽嵌入式闪存制造工艺应用范围

英飞凌科技股份公司近日宣布与IBM签订协议,拓宽公司成熟的大容量嵌入式闪存制造工艺的应用范围。IBM将获得英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺的使用许可,用于在北美地区制造全新的芯片。此外,英飞凌将利用IBM的晶圆代工服务生产基于该工艺的产品。     

凸版印刷与IBM合作开发22纳米光掩膜

来自上海凸版（Toppan）光掩膜有限公司消息,日本凸版印刷株式会社近日宣布,已与IBM签署新的开发合约,它涵盖了后期的32纳米和全部22纳米光掩膜工艺开发。该项联合开发于2008年6月开始,在IBM的英国艾塞克斯郡的柏灵敦工厂进行。在此之前,凸版印刷与IBM在2005年已开始了45纳米光掩膜工艺的开发,并且在2007年延伸到了32纳米掩膜开发。     

IBM宣布22nm半导体光刻制造工艺

正IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(Computation Scaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则     

IBM、特许联营策略暂不考虑中芯入列

晶圆双雄0.13μm以下工艺产出量持续提高，IBM微电子事业部晶圆代工部门在0.13μm以下工艺量产进度却无法满足客户需求，近期IBM积极与新加坡特许半导体共同开发90nm以下工艺平台，并以联合次要竞争者，打击主要对手的策略锁定亚太高阶工艺市场，力抗台积电、联电晶圆双雄在深次微米快速扩张。     

IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术

IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术,面向22nm及以下节点。在IEDM会议上,IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长,非常适合于低功耗应用。除了场效应管,IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。     

SiGe BiCMOS技术发展现状

以通讯领域的需求和技术发展为背景,介绍了SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术的发展历程。总结了SiGe HBT器件在器件结构和工艺步骤上的共同点。以IBM公司0.5μmSiGe BiCMOS为例,介绍了SiGe BiCMOS典型工艺步骤,分析了BDG和BAG两种工艺集成方式在不同技术节点上应用的利弊。最后,以捷智半导体和IBM产品线为例,对SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术划分技术节点。     

IBM以新工艺加入300mm晶圆阵营

尽管全球半导体业何时复苏仍未明朗，IBM还是在最近向外界宣布启用其耗资巨大的芯片制造工厂，厂房位于纽约北部，距曼哈顿区约60英里，占地14，000平方米，计划投入资金将超过25亿美元，是IBM有史以来最大的单项投资项目。该Foundry将首先用于300mm晶圆(wafer)的生产，预计将在明年达到量产。在此之前，intel和SamSung等已经生产300mm晶圆，采用0.13mm工艺，而IBM只是生产200mm晶圆。因此业界认为IBM此举是不甘落后，争取技术领先的重大举措。IBM新启动的工厂据认为是一家全自动化的Foundry，将首次采用0.1mm以下的先进工艺批量生…     

积层(Build-up)封装工艺的发展及其设计挑战(1)

回顾了自1988年以来的逐次积层(SBU)层压基板的发展过程。文中报告了IBM自2000年采用的这种工艺的开发过程。这些层压基板是一种非均匀性结构,有3部分组成:芯板,积层和表面层,每一部分都是为满足封装应用的需求而开发。薄膜工艺极大提高了SBU层压基板的绕线能力,同时也使得这种工艺非常适合高性能设计。本文着重阐述了IBM在将该工艺用于ASIC和微处理器封装时,在设计、制造和可靠性测试等各个阶段所遇到的挑战。     

IBM生产出首个22nm工艺SRAM芯片

IBM近日宣布,已生产出首个22nm工艺SRAM（静态存储器）单元。据国外媒体报道,SEAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备,速度更快、体积更小且技术更复杂,主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。IBM认为SEAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SPAM芯片将使22nm处理器性能大幅提高,并减少耗电。IBM希望,到2011年能够制造出22nm制程处理器。     

NEC东芝IBM联手打造28nm忒片

IBM半导体研发联盟看来又要扩军了,东芝近日联合NEC宣布他们将携手IBM共同研发基于High—K金属栅极技术的28nm低耗能芯片。28nm工艺有助于高性能、低功耗芯片的制造,而这些芯片会用于未来移动工具和电子消费品。     

用单碳纳米管制作环型振荡器

IBM的研究人员围绕一个单碳纳米管(CNT)分子制作了第一个完整的电子集成电路:速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢,但是IBM小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘出CNT电子学的超性能潜力。IBM Research的科学     

IBM联手7大科技厂投19亿建晶圆厂

日前在美国旧金山举行的国际电子元器件会议OEDM)上，特许半导体(Chartered Semiconductor)、IBM、英飞凌(Infineon)和三星(Samsung)纷纷介绍了其65nm工艺，据称这种工艺比先前工艺的性能高出35％。     

工艺决定品质,整合创造价值IBM 2005开发者大会·8月·上海

2005年8月25日,国内顶级技术盛会——IBM2005开发者大会在上海波特曼丽嘉酒店成功举行。大会确定的主题为“工艺决定品质,整合创造价值”,这是IBM开发者大会连续第六次在中国举办。在为期两天的会议中,来自全国各地。不同行业的IT开发人员,IT咨询人员,企业IT架构规划、程序设计人员以及国内众多软件企业的应用开发人员和IT项目管理人员,与来自国内外的IBM技术精英一同分享最前沿的技术趋势,分享整合的技术盛宴。两位超重量级IT人物的登场成为本次IBM2005开发者的一大亮     

泰克公司示波器将采用IBM的9HP硅锗芯片制造技术

泰克公司日前宣布，其下一代高性能实时示波器将采用IBM的最新9HP硅锗（SiGe）芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与早前宣布的正在申请专利的异步时间插值（AsynchronousTimeInterleaving）技术将使新示波器带宽达到70GHz并实现信号保真度改善。     

国际新闻

8月份北美半导体设备市场销售依旧低迷;七月份全球半导体销售成长7．7％;NEC加入IBM32纳米芯片联盟;IBM、Mentor和Toppan共同开发22纳米光源-掩膜版优化;道康宁通过制造工艺缩减太阳能电力成本。     

IBM、GF、三星、意法四巨头同步投产28nm芯片

IBM、GlobalFoundries、三星电子、意法半导体四家行业巨头联合宣布,他们将合作实现半导体制造工厂的同步,共同使用IBM技术联盟开发的28nm低功耗工艺生产相关芯片。据了解,这种同步模式将确保客户的芯片设计能够在三个国家的多座晶圆厂内灵活生产,无需重新设计,大大降低半导体制造的风险和成本。     

开放标准联盟Power.org激发创新浪潮

在2004年秋季微处理器论坛上,IBM系统暨科技部所辖技术部首席技术专家和副总裁BernieMeyerson博士做了题为“创新驱动未来”的主题演讲。Meyerson博士指出:创新已成为工艺换代中性能提升的决定性因素。自1990年推出Power架构技术以来,经过十几年来的不断创新,IBM推出一系列基于     

IBM即将发布2 GHz石墨烯集成电路未来有可能取代CMOS电路

据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型射频集成电路。乔治亚大学纳米研究中心的教授James D.Meindl称CMOS工艺线宽在到达7 nm时将无以为继,而石墨烯工艺将是下一代集成电路制造方法的首     

泰克公司的下一代70GHz示波器将采用IBM的9HP硅锗芯片制造技术

泰免公司日前宣布，其下一代高性能实时示波器将采用IBM的最新9HP硅锗（SiGe）芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与毕早前宣布的正在申请专利的异步时间插值（AsynchronousTimeInterleaving）技术将使新示波器带宽达到70GHz并实现信号保真度改善。     

CMP在集成电路非金属材料平坦化中的应用(Ⅰ)

化学机械抛光(CMP)工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业,并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质(IMD)的平坦化,然后通过设备和工艺的改进用于钨(W)的