解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

超薄基区SiGe HBT电流传输模型

从玻尔兹曼方程出发,分析了ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中载流子温度,扩散系数等参量的变化,建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅＨＢＴ电流传输模型．     

SiGe与SOI：模拟／混合信号电路的先导技术

ＳｉＧｅ与ＳＯＩ：模拟／混合信号电路的先导技术亦然摘编在当今众多模拟／混合信号工艺技术中，又出现两种新兴技术。这就是正在崭露头角的硅－锗异质结双极晶体管（ＳｉＧｅＨＢＴ）工艺和已经在大多数先进的互补双极（ＣＢ）工艺中大显身手的绝缘体上硅（ＳＯＩ）技术...     

毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下,ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时,连续波输出功率为５Ｗ,集电极转化效率为６３％,功率增益为７．４ｄＢ．     

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下,ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时,连续波输出功率为５Ｗ,集电极转化效率为６３％,功率增益为７．４ｄＢ．     

射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用

介绍了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺,对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。     

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．     

适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型

提出了一个模拟ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ器件特性的物理模型。在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ｇｅ组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响；在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ器件的电流和电荷公式。同时开发了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的ＳＰＩＣＥ程序模拟了实际ＳｉＧｅ基区     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

3GHz硅双极型微波静态分频器的设计

本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钻硅化物和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３ｐｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ．讨论了提高分频器工作频率的一些有效方法并给出了３．２ＧＨｚ硅静态分频器的电路设计和版图设计．     

宽带高性能频率合成器设计

随着移动通信测试仪器的发展,宽带高性能频率合成器成为其设计的难点,文中利用双锁相环（PLL）结构和Σ-△小数分频技术,设计出一种高性能频率合成器。实现了2 000～4 000 MHz的频率覆盖和低于003 Hz的频率分辨率,全频段相噪均在-105 dBc/Hz@10 kHz以下。测试结果满足宽带高性能频率合成器的设计要求,具有较高的实用价值。     

Bucket-brigade shift-register operation-exact correlation between experimental data and a computer model

A detailed analysis of the IGFET bucket brigade is presented covering its low frequency, midfrequency, and high frequency performance. Attention is first focused on those factors giving rise to performance limits in the midfrequency range of operation. The concept of an optimized threshold voltage V/SUB TO/ is introduced and related to the array parameters. It is shown that if the threshold voltage V/SUB T/ of the IGFET's in the array are below V/SUB TO/, then transfers become incomplete. The effect that substrate resistivity has on the array performance is also considered. It is shown that conventional IGFET channel length modulation is not the only factor to be considered in analyzing this performance limit. It is shown that high frequency and low frequency limits can be accounted for using conventional IGFET theory. Calculations resulting from a simple model that includes all these effects are presented. They are shown to correlate exactly with the experimental data from operating arrays.     

2.4 GHz载频FMCW信号发生器的设计与实现

随着FMCW雷达的应用领域越来越广泛,对于FMCW信号发生器的性能要求也越来越高。采用了DDS激励PLL的混合式频率合成技术对合成器相位噪声、杂散损耗和线性度等性能指标进行分析,在此基础上设计并实现了2.4 GHz载频FMCW信号发生器。其中DDS芯片AD9910产生低频段的线性调频信号,PLL芯片HMC820LP6CE通过倍频将低频段调频信号倍频到高频段,STM32为控制器。实测结果表明,该系统具有频率分辨率高、相噪低、杂散损耗小、捷变频时间短、线性度高的特点。其近端杂散为-59.64 d Bc,远端杂散为-55.02 d Bc,相位噪声在100 k Hz处为-95.57 d Bc/Hz,在400 k Hz处为-118.38 d Bc/Hz。     

2D numerical investigation of the impact of compositional gradingon the performance of submicrometer Si-SiGe MOSFET's

Computer simulation is used to establish the impact of design parameters on the subthreshold characteristics, hot carrier injection, and high frequency performance of Si-SiGe FET's. The results indicate that by fully grading the Ge content in the channel of a MOSFET, short channel effects are reduced and high frequency performance is improved as compared to devices with uniform Ge channels. A cutoff frequency of 38 GHz and a maximum frequency of oscillation of 160 GHz are predicted for fully graded p-channel MOSFET's with 0.25 μm gate lengths. Energy balance simulation reveals that hot carrier injection at the Si-SiO₂ interface is considerably suppressed if a fully graded channel is employed     

一种低附加相位噪声的频率合成方法

频率源的相位噪声水平直接制约雷达的性能上限,因而低相噪频率合成技术是高性能雷达系统的一项关键技术。现有低相噪频率合成方法常用高次倍频实现,整体性能上严重依赖于低相噪晶振,成本一直居高不下。对此,提出一种低附加相位噪声频率合成方法,即采用最小化链路上附加相位噪声的技术,用普通恒温晶振级联低相噪放大器、梳状谱发生器和锁相环,最终实现低相位噪声的频率合成。实测数据表明,本文方法以100 MHz普通恒温晶振为参考,积分区间[1 kHz, 30 MHz]的时间抖动为11 fs,频率合成在5.8 GHz载波的相位噪声为-119 dBc/Hz@1 kHz,积分区间[1 kHz, 30 MHz]的时间抖动为13.7 fs,总附加时间抖动为8.17 fs,附加相位噪声仅1.9 dB,达到了业界领先水平,能够有效提升毫米波雷达系统的成像性能,优于传统频率合成方法。     

调频遥测信号载波频率的精确估计

传统调频遥测信号载波频率估计算法对输入信号降采样后直接进行快速傅里叶变换，实现方法虽然简单，但测量精度较差，无法适应高动态、低信噪比等复杂场景。为此，提出了一种调频遥测信号载波频率的精确估计算法。两并联补偿支路先分别采用正、负调频频率对输入信号进行频率预先补偿，低通滤波后完成降采样处理，削弱调频频率的频谱影响；频率搜索状态对采样数据进行载波多普勒变化率的频率补偿，经过快速傅里叶变换、非相干积分和频谱重心搜索完成频率解算，提高载波频率的检测性能。试验与分析表明，所提算法在高动态、低信噪比等复杂场景下可显著提高调频遥测信号载波频率的估测性能。     

10.7 GHz frequency divider using double layer silicon bipolarprocess technology

A high-speed bipolar process is described which offers high performance, low capacitances and high packing densities. The performance of the process is demonstrated by a 1/8 frequency divider operating at a room temperature frequency of 10.7 GHz. This is considered to be the fastest for any silicon bipolar circuit     

温度对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响

研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT器件直流和微波性能随温度的变化。研究结果表明,器件直流性能随着温度升高逐渐下降,350°C时直流性能依然良好,从350°C冷却到室温后,器件直流特性除欧姆接触电阻改善外,其他都得到了恢复;微波测试表明,器件fT,fmax都随温度升高而下降,180°C时,fT从室温的11.6GHz下降为7.5GHz、fmax从24.6GHz下降为19GHz,通过外推得到350°C时的fT为3.5GHz,fmax为12GHz。证明了AlGaN/GaN HEMT具有良好的热稳定性,适合在高温下进行高频工作。     

一种超宽带捷变频源的研制

本文介绍了一种超宽带捷变频源的设计与实现过程，该频率源采用直接模拟合成方式，通过合理的频率划分和高性能的开关滤波组件技术实现了超宽带、捷变频、低相噪、低杂散的优异性能，并给出了最终测试结果。实测结果表明该频率源在 Ku 波段 6GHz 带宽范围内具有杂散抑制优于-70dBc，相位噪声优于-103dBc/Hz@1kHz，跳频时间小于 200ns 等的性能。