SiGe半导体推出大功率2GHz 802．11bgn WLAN功率放大器

SiGe半导体现已推出2GH0无线LAN功率放大器（PA）模块。型号为SE2576L的全新IEEE802．11bgn器件．是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器．发射功率为26dBm。SE2576L瞄准需要大射频（RF）发射功率的网络应用,如家庭影院或数据传输、企业和室外网络,以及公共上网热点,能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算,实现更快速、更高效的数据传输。     

TOSHIBA推出高性价比中功率放大器TA4401CT

东芝公司日前发布了新型中功率SiGe双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）功率放大器TA4401CT。这种新器件适用于频带为1．9GHz到2．5GHz的无线应用，包括丰富的无线局域网（WLAN）、小灵通电话系统（PHS）与蓝牙（BT）应用等。     

基于 SiGe 工艺的线性功率放大器设计

基于SiGe Heterojunction Bipolar Transistors（HBT）工艺设计了一款线性射频功率放大器．该功率放大器采用三级级联结构,每一级采用自适应偏置网络,级间匹的网络集成在片内,匹配网络中的电感由绑定线实现．该功率放大器工作在2G Hz ,带宽50M Hz ,增益30dB ,在1dB压缩点输出功率（P1dB ）为27．1dBm ,功率附加效率（PAE）为36％．该功放由3．4V电压供电,芯片尺寸1mm ×0．7mm ．     

WLAN数据安全技术攻防

随着Internet和WLAN(无线局域网)技术、WLAN市场、服务和应用的快速发展,人们在扩展了获取和发布能力的同时,也带来信息被污染和被破坏的危险。通过对WLAN安全技术的介绍,让使用者对WLAN的安全性有一个了解。     

SiGe半导体推出最新功率放大器有效地降低WLAN和ISM频带应用的功耗

SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor）宣布推出专为2．4GHz ISM（industrial scientific medical,ISM）频带应用而设计的功率放大器（power amplifier,PA）产品SE2597L。这款高集成度的硅器件是SiGe半导体享誉业内的分立式2．4GHz硅功放系列的最新产品。     

基于SiGe HBT的射频功率放大器

基于国内的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,针对该工艺下SiGe HBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究,给出了功率放大器的设计优化过程,比较了功率SiGe HBTs在共射和共基两种结构下的频率与最大功率增益性能.实现了一款应用于2.4GHz无线通信的全集成A类功率放大器.测试结果表明:S11-13dB,S22-10dB,S21=13.8dB,输出1dB压缩点为10.97dBm,饱和输出功率为16.7dBm.     

构建WLAN的几点探讨

首先阐述了无线局域网(WLAN)具有安装便捷、移动性好、使用灵活、易于扩展等优点,但在WLAN的规划设计、测试及安全管理中也产生了很多新问题。通过对WLAN的规划设计原则、WLAN在不同阶段的测试设计、日常维护与管理等方面问题进行探讨,论述了前期构建WLAN及后期管理维护WLAN的注意事项及方法。     

ZigBee网络拓扑对WLAN抗干扰性能影响

研究了具有不同网络拓扑结构的Zig Bee设备在不同场景和应用环境中与无线局域网(WLAN)共存时的通信性能。丢包率被用作评价通信质量的指标,实验数据表明星型网络具有更低的丢包率。分析了不同网络拓扑通信丢包率和无线局域网信道间的关系,得出WLAN信道中心频率对Zig Bee通信质量影响很大。     

基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.     

一种基于0.13 μm SiGe工艺的77 GHz功率放大器

提出了一种采用0.13 μm SiGe工艺制作的77 GHz功率放大器。该放大器采用两路合成结构提高输出功率,采用两级差分放大结构提高增益。功率级选择Cascode结构,提升功率级输出阻抗,便于匹配。驱动级选择共射极加中和电容的结构,便于提升增益。在输入端,通过两路耦合线巴伦结构进行功率分配,得到两对差分信号,经过两路放大之后再通过两路耦合线巴伦结构进行功率合成,最后输出信号,级间匹配采用变压器匹配。该功率放大器采用ADS软件仿真。结果表明,在77 GHz的工作频点处,小信号增益为19.6 dB,峰值功率附加效率为11%,饱和输出功率为18.5 dBm。     

多媒体中WLAN技术的跨层设计分析

随着移动通信技术的快速发展,无线局域网（Wireless Local Area Network,WLAN）技术成为人们日常生活中的重要组成部分。然而由于无线信道的不稳定性和带宽资源的有限性,如何提高多媒体传输的效率和质量成为一个重要的研究课题。跨层设计作为一种有效的解决方案,可以在不同的网络层之间进行信息交互,从而提升整个系统的性能。基于此,文章主要分析跨层设计在WLAN无线网络通信技术中的应用意义和策略,并展望未来的发展方向。     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN/蓝牙前端模块

SiGe半导体公司（SiGeSemicOnductor）宣布扩展其无线局域网（WirelessLAN,WLAN）和蓝牙（Bluetooth）产品系列,推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（FrontEndModule,FEM）,专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场,包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.     

SiGe半导体全新高集成度前端模块为WLAN芯片组产品增添集成功率放大器选择

SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor）宣布扩大其无线LAN和蓝牙（BluetoothTM）产品系列,推出带有蓝牙端口的高性能单芯片集成式前端模块（front end module,FEM）产品,型号为SE2600S。     

802.11b WLAN的功率放大器设计

<正> 自1997年IEE 802.11标准被采纳后,WLAN经历了一个长足的发展时期,其数据速率由1～2MbpS提高到11Mbps,并在近期将达到22Mbps、进而在5GHz频段速率达到54Mbps。2.4GHz 802.11 WLAN PC卡的价格已由600～800美元降至129美元,而且可以方便地通过互联网购得。许多供应商均可提供经过Wi-Fi鉴定的(兼容于802.11b)WLAN卡,同时这些产品具有互操作性,WLAN卡的价格有望在2001年降至100美元,到2002年可能降至50～60美元。     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN／蓝牙前端模块

SiGe半导体公司宣布扩展其无线局域网（Wireless LAN,WLAN）和蓝矛（Bluetooth）产品系列,推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（Front End Module,FEM）,专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场,包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.     

SiGe半导体推出全新高集成度WLAN／蓝牙前端模块

SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor）宣布扩展其无线局域网（Wireless LAN．WLAN）和蓝牙（Bluetooth）产品系列,推出高性能、高集成度SE2579U前端模块（Front End Module,FEM）,专门瞄准快速增长的嵌入式应用市场．包含WLAN功能的手机、数码相机和个人媒体播放器（PMP）等。     

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4~2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。     

面向WLAN的MPC852T嵌入式系统设计

MPC852T是Motorola新近推出的MPC866/MPC859T家族中面向低端的一款通信处理器.嵌入式Linux由于其费用低廉及开放源码而具有广阔的发展前景.文中在分析了MPC852T通信处理器和嵌入式Linux操作系统的基础上,将二者结合给出了一种嵌入式硬件系统的设计与实现,以及该硬件系统在无线局域网WLAN中的一种应用.实践证明,该硬件系统具有性能稳定、廉价、可扩展性强、适用面广等优点.