国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点。     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型. 通过研究磁极的配置及磁化方向的调整，对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究，获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

旭创科技：专注高端光模块市场

与国内的诸多光器件厂商相比，旭创科技实属另类，其在全球高端光模块市场都占有一席之地，本次展会，其重点展示了40G光模块产品，据了解，     

赛晶自主技术IGBT模块签订首个批量订单

2月是旬,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(简称“赛晶半导体”)自主研发的IGBT模块——ED-Type取得突破,与国内光伏行业的某知名企业正式签订框架采购框架协议,包含用于其集中式光伏逆变器等产品的数万只ED-Type模块。这是赛晶自主技术IGBT模块的首个批量订单,也是取得客户认可并开始批量销售和应用的里程碑事件。目前,赛晶自主研发IGBT模块ED-Type已经陆续向约40家下游领域的知名客户送样测试。     

SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究

用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。     

光电印制电路板的发展评述（3）——聚合物光波导层的成型工艺（1）

文章简述了光电印制电路板中聚合物光波导层的制作应该遵循的原则,介绍了光波导层的主要成型工艺,包括反应离子蚀刻、平版影印、激光烧蚀和加热模压等方法。     

国外工业用光纤传感器市场状况

本文引用大量图表和数据对国外工业用光纤传感器市场状况进行了分析,并阐述了光纤传感器的研究水平和商业行情,展现了光纤传感器的光明前景。     

72．6GW的风力发电市场中有31GW是由智能功率模块驱动的热循环能力提高了5倍

纽伦堡，2007年10月——对于发展迅猛的风力发电市场，赛米控可以提供SKiiPa模块，该模块是一个集成了冷却系统、栅极驱动器、电流传感器及保护功能智能功率模块（IPM）。具有专利的SKiiPa压接技术确保了它具有高负载和温度循环能力。对于兆瓦级的功率系统，该IGBT子系统是目前市场上最具有竞争力的IPM。[编者按]     

世健科技与首尔半导体签署分销协议,正式进军LED市场

新加坡上市公司世健科技有限公司宣布与首尔半导体达成分销协议,授权世健公司在中国、印度及东盟国家和地区销售首尔半导体从最小的DC LED到世界首创的AC LED-Acriche的全线产品。     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

德国PCB市场订单1月迅速回升

近日德国媒体报道称，德国的PCB市场在今年伊始就创造了一个好的营业额，比原先的市场指数高出了8％。     

中微新产品进入半导体主流设备市场

SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。在SEMICON Japan2007开幕的前一天，中微公司（AMEC）在日本东京举行新闻发布会，宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45nm的高端芯片加工设备——Primo D-RIEf去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，正式进入全球半导体主流设备市场。