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利用多功能离子束增强沉积设备,采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜,并对制备的TiN薄膜进行了AES,XPS,XRD,RBS和TEM等分析。结果表明:所制备的薄膜都有很好均匀性,TiN薄膜处在压应力状态;在溅射沉积的同时,在0-20keV范围内,N^+和Ar^+离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向;随着N^+离子轰击能量的增加,制备的TiN薄膜的晶粒增大。 相似文献
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离子束增强沉积TiN薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用多功能离子束增强沉积设备,采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜,并对制备的TiN薄膜进行了AES,XPS,XRD,RBS和TEM等分析。结果表明:所制备的薄膜都有很好均匀性,TiN薄膜处在压应力状态;在溅射沉积的同时,在0~20keV范围内,N 和Ar 离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向;随着N 离子轰击能量的增加,制备的TiN薄膜的晶粒增大。 相似文献
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新型离子束增强沉积技术 总被引:2,自引:0,他引:2
离子束增强沉积技术是近年在离子注入技术基础上发展的新型材料表面改性技术,本文简要介绍多功能离子束增强沉积设备和应用技术研究,设备具有金属离子注入、气体离子注入、离子束增强沉积、磁控溅射沉积功能,进行材料表面改性和制备各种材料薄膜科学研究。 相似文献
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用离子束增强沉积法(IBED)在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱(AES)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍(XRD)研究了膜的微结构,并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出:(1)离子束轰击使薄膜晶化,从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能;(2)离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。 相似文献
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用离子束增强沉积法(IBED)在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱(AES)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍射(XRD)研究了膜的微结构,并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出:(1)离子束轰击使薄膜晶化,从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能;(2)离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。 相似文献
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离子束增强沉积氮化硅薄膜的超显微硬度 总被引:1,自引:0,他引:1
利用测试负荷小于10^-1N的UMHT-3型超显微度测量仪,测试了不厚度的离子束增强沉积氮化硅薄膜的硬度。详细了薄膜和其底对在工测试的影响,并提出了临界负荷的概念,只有当测试负荷小于监界负荷时,才能获得薄膜的真空硬度。对三种不同厚度的氮化硅薄膜,给出了相应的监界负荷值。 相似文献
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Ti-Ta-O复合薄膜的制备及抗腐蚀性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用离子束增强沉积法在NiTi基体上合成了具有不同组分比的Ti-Ta-O薄膜。研究了组分比对薄膜的相结构、力学性能和抗模拟体液腐蚀性的影响。SEM,AFM和XRD分析表明,所有薄膜均由纳米粒子堆积而成,膜层连续光滑,纯Ti-O膜为金红石结构,而Ti-Ta-O膜为非晶态,划痕实验、显微硬度分析和电化学测试研究表明,加入Ta后,膜与基体间的结合强度、韧性和抗腐蚀性增强,显微硬度下降。Ta含量为36%(原子分数)的膜使NiTi的抗蚀性显著提高。 相似文献
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用实验的方法研究了PVD,IBAD和IBAD-PVD复合等不同方法在硅基底上镀制Cu膜的结构特点及真空退火时的结构变化。利用XRD,RBS,SEM等分析手段对比研究它们的结构变化特点,发现IBADCu(20nm)层+PVDCu膜(350nm)的复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,且不同于通常Cu-Si退火系统中首先生成γ相和η”相,然后再由γ和η”反应生成ε相的相序。分析认为在Cu-Si界面退火反应系统中,ε相的形核是得到稳定相结构的关键。 相似文献
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氧化钛薄膜的血液相容性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构,成分,表面能,以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。实验表明,血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质的吸附量,功函数决定蛋白质的变性。 相似文献
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用离子束辅助沉积合成了TiN薄膜,背散射、X射线衍射和透射电镜实验的结果表明,在本实验条件下,薄膜Ti/N比接近于TiN的化学计量比,和氮离子束流密度无关。薄膜存在<100>择优取向,在一定条件下,可以形成只有(100)取向的TiN薄膜。 相似文献
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铜薄膜与Al_2O_3陶瓷界面结合力的IBAD过渡层增强 总被引:1,自引:0,他引:1
利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄膜的附着力比没有过渡层的薄膜附着力分别增加了5倍和8倍。 相似文献