大功率管的再生

许多大功率管由于H_(FH)太低(≤10)而无法使用。还有些饱和压降太大,实际上也是H_(FH)太低所致。此时只要在测V_(ces)(饱和压降)时加大基极注入电流I_b,V_(ces)就迅速减小了。对于这类管子,可加接一只小功率管组成复合管,就可当作一只理想的大功率管使用,如图。加接管的BV_(ceo)应大于原大功率管,为了安全起见,最好等于取1.2～1.5倍。因小功率管BV_(ceo)高一些价格增加不多,而大功率管BV_(ceo)稍大一点则贵不少。此外,后加管的f_r、T_(off)、I_(ceo)、H_(FE)均应优于原大功率管,这在选用正品小功率管时很容易到达。当电路要求很高,即高H_(FE)、趴高反压BV_(ceo)即使用正品大功率管也难满足要求时,也可用这种方法来到达。国外某些产品如2SD961、2SD962在管壳内就做成复合     

SEBISIT——一种新型高压抗辐射功率晶体管

SEBISIT器件充分利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区内的扩展,实现了高压薄基区;另一方面保证了器件有接近于BV_(cbo)的BV_(ceo),实现了较薄外延层下有较高的BV_(ceo),本文对此器件作了较全面的分析。实验验证了SIT屏蔽效应的存在,并试制出BV_(ceo)为225V,f_T大于400MHz的功率加固器件,其φ0.5为常规高压器件的60多倍,有效地改善了高压晶体管的抗辐射加固性能。     

超高频双差分对管DQ401

1.DQ401主要参数指标I_(CEO)≤0.1μA(V_(CE)=10V);BV_(CEO)≥20V(I_(CE)=1mA);BV_(CBO)≥25V(I_(CB)=10μA);BV_(EBO)≥5V(I_(EB)=10μA);β≥40(V_(CE)=6V,I_C=10mA,f_O=200MHz);(β_1-β_2)/β_2≤5%,V_(BE1)-V_(BE2)≤2mV(V_(CE)=6V,I_C=10mA);f_T≥1000MHz(V_(CE)=6V,I_C=10mA、f_O=200MHz);I_(CM)≥20mA(单管最大工作电流);P_(CM)≥100mW(单管功耗).     

半自动晶体管管芯磁分选仪

晶体管制造中管芯的测试分类是一项大量重复,急需提高效率,减轻劳动强度的工序,据我厂需要,学习了兄弟单位的先进经验,试制了半自动晶体管管芯磁分选仪。 这个仪器使用一个探针,将探针对准管芯发射极,按微动开关起动仪器后,即按予定程序依次对四个参数(BV_(ceo)、BV_(eb)、Ⅰ_(eb)、Ⅰ_(ceo))进行自动测量,只要其中一个参数不合格,即以灯光显示,并记忆在电路中,在下一个管芯的测量中进行打磁。考虑到二极管正向压降很小,故只用一个探针,在基极悬空的条件下,改变所加测试电压的极性,就可测出以上四个参数,从而减少了对准探针的麻烦。测试一只管芯约需0.5秒,四个参数的合格标准可以在一定范围内予先调整。     

硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析

一、概述我们采用电分析和显微分析相结合的方法,在大量解剖分析失效的硅平面大功率晶体管D402、D10管芯的基础上,对表面引起失效及体内引起失效的机理进行了较为详细的分析和讨论.D402和D10晶体管是npn型硅平面低频大功率管,其主要技术性能:P_(CM)为2～5W;I_(CM)为1A;BV_(ceo)≥100V(I_C=0.5mA):I_(ceo)≤0.1mA(V_(ce)=20V);V_(ces)≤0.6V(I_c=0.5mA,I_b=0.05mA).其主要用途是作十二英寸、十四英寸黑白电视机伴音功放,以及部分电源推动和激励,其外壳采用D-1C管座封装,     

晶体管的串接使用

当晶体管的耐压BV_(oco)或额定功率不够大时,可以将两只或两只以上的晶体管串接使用.这里对如何选择这些串接晶体管的耐压和放大倍数β,以及如何在线路中设定其它的参数的问题作一简要的分析.(一)晶体管串接使用形式由图1可知,流过BG_1和BG_2的c极和e极的电流为I_0,流过R_1的电流为(I_0+I_(b1)),流过R_2的电流为I_0.(二)计算和分析设:AB之间最大电压为V_(AB)=200伏,BG_1和BG_2的β均为20,R_1=R_2=50千欧.     

集电极扩散隔离工艺

本文介绍集电极扩散隔离工艺的特点,叙述该工艺的实验,并给出用此工艺技术制作的晶体管(β≥100,f_T>1000MHz,BV_(ceo)≥6V)和E/T转换器的结果。     

双外延材料选取实验——400兆50瓦硅大功率管外延材料探讨

1.双外延材料选取原则400兆50瓦硅大功率管选用外延平面工艺制作,对外延层提出了要求.首先要求BV_(ceo)较高,这就要求外延层的电阻率高,厚度厚些为好.但同时要求大电流工作时h_(FE)和f_T高,这又要求外延层的电阻率低,厚度薄些为好.这对外延层的要求是一对矛盾.如何调和这对矛盾是外延材料选取的中心环节.根据外延平面工艺的特点,分析BV_(ceo)更多地受表层电阻率的限制,而大电流下工作的h_(FE)和f_T特性主要取决于正对发射区电阻率,如图1斜线部分.所以我们考虑选用n~-/n/n~ 的双外延结构来调和这对矛盾.     

高性能纵向pnp晶体管的研制

pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向pnp管的性能与npn管的性能相媲美。我们从理论上分析了提高纵向pnp管性能的途径,并设计了一套新的工艺流程。在p型外延材料上研制出了BV_(ceo)≥90V、V_(be)≤0.8V、f_T=900MHz、V_(ces)=0.2V、β=60～150、厄利电压大于150V的纵向pnp晶体管。在P型单晶材料上研制出了BV_(ceo)≥65V、f_T≥560MHz、β=60～150的纵向pnp晶体管。具有这种性能的纵向pnp管目前在国内外还很少见。     

一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件

本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。     

850达林顿三极管及其应用电路

<正> 850(即U850)是近年进入国内市场的一只中功率NPN型高增益达林顿三极管,其主要电参数为:BV_(CEO)≥35V,I_(CM)=1A,P_(CM)=2W,β=1000～10000,f_T=180MHz。该管有两种封装形式,其外形如图1(a)和1(b)所示,它的内电路见图1(c)。由于U850的特性优良,不仅在进口录像机以及自动控制电路中应用广泛,而且还可在常见的民用电子电路中大显身手。下面介绍几种简单、新颖、有实用价值的U850应用电路。     

QUASI-PLANAR INTEGRATION OF AN InGaAsP/InP DOUBLE COLLECTION REGION HBT AND AN EDGE-EMITTING LED WITH Mn DOPED ACTIVE LAYER

A monolithically integrated lnGaAsP/lnP device including an HBT and an E-LED wasfabricated with quasi-planar structure using Mn doped active laver and selective Zn diffusion as well aspolyimide protection.300 ps rise time of the HBT was achieved together with BV_(ceo) larger than 8V and theoffset voltage smaller than 30 mV.     

高性能高压自对准双扩散横向pnp晶体管

适用于高压线集成电路的一种新的横向晶体管——自对准双扩散横向(SADDL)晶体管已经开发出来。这种管子具有一个自对准形成的窄的n型基区,以提供高的h_(FE)和高的f_T;还有一个可减小电场、提供高的击穿电压BV_(ceo)的P~-型集电极。业已证明,SADDL晶体管的f_T在不降低BV_(ceo)的情况下可以得到改进,f_T值比已经报道过的其它横向晶体管的高十倍以上。制造出的350V档SADDL晶体管,具有高的h_(FE)(约100)、高的f_T(约15MHz)和高的阿莱电压(>1000V)。     

JS-7型晶体管测试仪

该产品是上海无线电仪器厂的创优产品,深受广大用户欢迎. JS-7型晶体管测试仪可以测试晶体管的直流参数,反向截止电流I_(o??o)、I_(obo),交流参数h_(11)、β、N_F等八个主要参数.用计算的方法还可求得共发直流电流放大系数β=I_o/I_(bo)基本上可以完成一个小功率晶体管     

功率VDMOSFET研制

本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.     

用晶体管结构图示法解析BV_(CEO)=BV_(CBO)

1.前言普通晶体管的BV_(CEO)遵从如下经验公式:我们在制作超高频低噪声晶体管中,由于其结构不同,往往BV_(CEO)=BV_(CEO)或者BV_(CEO)接近BV_(CEO).本文就这一问题,试从晶体管的结构入手,用图示法进行解析.分析表明,晶体管结构不同,BV_(CEO)和BV_(CEO)将有不同的关系.2.事本结构为满足超高频低噪声晶体管的参数要求,     

硫化硅橡胶钝化工艺在大功率晶体管上的实际应用

本文介绍了硫化硅橡胶钝化工艺,简单分析了直角造型的优点,简化了钝化工艺,使器件高温特性得到改善,BV_(ceo)击穿电压比负角台面造型提高30～50V。基本消除有毒有机化学药品对人体危害,并成功应用在批量生产中。     

有问有答

问1:一台哥隆地200型彩色电视机中的两个器件ZPY10和BST CCO143H21都坏了.能否用其它型号的器件来代换?(北京翟素琦问) 答:ZPY10是10伏稳压二极管,可用国产2CW3、2CW16～2CW17或其它同类稳压二极管代换. BST CCO143H21为可控硅整流器,它在200型机中用作行输出管.在国内还很少使用这种可控硅整流元件,可用图1所示的复合管代替.图中的BG_1和BG_2都是高反压大功率晶体管,它们的BV_(ceo)都不得低于450伏.目前PNP高反压大功率管在市场上较     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

VMOS器件研制中V形槽的腐蚀

我们在研制VMOS器件中应用硅各向异性腐蚀技术,并取得成功(VMOS器件主要电参数为:BV_(DS)=50～60V,I_(DS)=1～2A)。本文着重介绍硅各向异性腐蚀基本原理和各向异性腐蚀液、氢氧化钾-异丙醇-水腐蚀液的机理、V形槽腐蚀技术和实验结果分析。