InSb红外双稳器件参数的最优化

从InSb双稳器件的双稳定态方程出发,选择InSb薄片长度L及前后反射端面的反射率R_F、R_B为最优化参数,在模拟实验条件下,用计算机进行数值模拟优化。得出透射型及反射型双稳器件的定态曲线。通过改变L、R_F、R_B得到器件工作光强、开关范围、调制幅度等变化规律,从中求出最佳L、R_F及R_B值,作为器件设计的最优化参数。获得的大量曲线     

HgCdTe红外双稳器件的参数最优化

本文用直接数值计算定态曲线的方法研究器件参数的最优化问题,得到的结果比较明确,有助于这类器件的设计。     

nBn型InSb红外器件性能仿真

从能带结构方面分析了InSb nBn结构的势垒层,并使用Sentaurus TCAD软件计算并模拟了改进前后的器件IV性能,仿真结果表明,在势垒层靠近吸收层一侧加入渐变层可以有效改进器件性能。之后模拟仿真了势垒层Al组分、厚度对器件性能的影响。最后根据仿真结果选定结构参数进行实际分子束外延生长,并给出初步的器件结果。     

红外成象器件用InSb MIS结构

研制了在 77°K测量时具有好的界面性能的InSb金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。从暗电流的测量确定,对用于CCD或CID方式工作时,其存储时间在0.2秒范围。最近器件C-t测量表明,暗电流存储时间为≤0.7秒。用红外辐照表明,单元InSb MIS结构是电荷注入作用(CID)的存储形式。然而,存储器件工作在红外应用,因为它积分背景和信号两者的辐射,所以背景光子流是个主要问题。按照恰当的界面性质的解释,提出了器件电荷存储作用中减少背景光子流影响的一个新方法。这个新技术结合电耦合原理采用多门电极结构。     

InSb电荷耦合器件和其他用于红外的MIS器件

一、器件制造已有一种工艺用于在InSb上制造多层金属-绝缘体结构,并已能制造InSb CCD、多元MIS探测器阵列、MOS场效应管和其他MIS器件。制造器件的原材料是掺碲的InSb单晶,其施主浓度为4×10~(14)/厘米~3～1×10~(15)/厘米~3。本文报导的器件均是采用标     

InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。     

InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究

用Co60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验.在5000 rad剂量下观测到二极管优值因子RoA下降了一个数量级,从3.6×105～4.3×105 Ω·cm2下降到2.5×104～2.7×104 Ω·cm2.在10000 rad及以上剂量观测到64×64元凝视焦平面热成像性能的显著退化.     

1×12元InSb混合红外CCD器件性能参数讨论

本文主要介绍一种采用时间延迟积分模式的硅CCD和1×12元InSb红外探测器互连而成的器件,并就如何提高其探测率进行了讨论。     

高灵敏度InSb红外探测器

1.前言 InSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在77°K时,禁带宽0.23电子伏,因为载流子迁移率高,在红外波段(截止波长5.5微米)灵敏度较高,适于作快速响应的探测器材料。原来的测热辐射计和热电偶,至多只能探测几十赫的信号。而InSb元件可以探测1兆赫左右的信号,最近装在红外照相机里,用     

红外器件

001 红外探测器 Bauelement der infrarottechnik,K.J.Stahl,Elek.Anz.,1972,Vol.25,no.21,pp.379-385. 研究了红外探测器及红外辐射源。提出气体激光器(He-Ne,Xe,I,CO,CO_2,H_2O,HCN)和半导体激光器(GaSb,InAs,PbS,InSb等)的辐射波长。真功率。示出光谱灵敏度曲线及热和光电器     

半导体激光器光电混合双稳装置的双稳特性与器件参量之间的关系

报导了输出反馈泵浦型双稳半导体激光器双稳物性随器件参量变化的实验结果，双稳实验曲线和理论计算曲线的对比分析表明，双稳特性随各参量变化规律安全相同，实验和理论之间的微小差别来源于光探测器的实测饱和曲线和理论模型之间的差异，以及实际的半导体激光器存在自发辐射。     

InSb混成红外CCD铟柱互连

本文介绍在InSb多元列阵和硅COD的电极上生长铟柱,用红外显微镜实现铟柱对准,以及正照射式互连结构。以上方法具有工艺简单、结构紧凑、易于实现之优点。1.铟柱生长在InSb多元列阵的金电极上和硅COD的铝电极上电镀铟柱,这一工艺比表面处理     

InSb混合红外焦平面工艺研究

InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。     

InSb红外成象器的工艺进展

介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。     

InSb光伏器件的温度特性分析

ＩｎＳｂ光伏器件的温度特性分析龚启兵（航空工业总公司第Ｏ一四中心洛阳４７１００９）锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ，且性能随着温度的变化而变化。在一定的温度范围内，载流于浓度是一定的，器件能稳定工作；但随着温度的升高，本征载流子浓度迅速增加，温度足够高...     

一种InSb薄膜型霍尔器件

霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、