电子级多晶硅循环氢气深冷分离除杂技术研究

通过分析多晶硅还原炉尾气回收装置循环氢气中杂质的种类、来源、去除工艺,确定采取循环氢气深冷分离除杂技术解决磷化氢、砷化氢在氢气循环过程中的累积趋势,可以有效分离循环氢气中70％ 磷化氢和95％ 砷化氢,保证还原炉化学气相沉积过程中循环氢气的纯度.     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

电子级多晶硅生产技术探讨

介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后处理等工序。结合电子级多晶硅生产技术的成功工程应用实践,介绍了电子级多晶硅项目的技术特点。     

电子级多晶硅生产技术

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。     

电子级多晶硅生产技术分析

电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛.电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺.从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一步对电子级多晶硅的生产技术进行改良,促进我国电子工业的稳定发展,提升工业生产效率.主要对电子级多晶硅...     

集成电路用电子级多晶硅大规模产业化技术实践

国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展.江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体系,在高等级硅料产品实现、新工艺体系构建、高效产品评价等方面填补国内空白,达到了国际领军企业...     

浅析多晶硅杂质引入因素及解决方案

如何进一步降低卤硅烷中杂质含量,使国内多晶硅的质量达到国外电子级水平一直是行业关注的话题。本文首先阐述了改良西门子法生产多晶硅流程中杂质的主要来源,其次概述了近些年国内外关于痕量硼、磷等杂质高效去除的技术方案,着重探索了络合法、吸附法、部分水解法等杂质去除机理;最后提出了电子级多晶硅国产化进程中应侧重的提纯技术研究方向。     

电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工艺研究

对电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅产生原因进行分析,从还原炉工艺优化调整、尾气回收系统过滤除尘方面研究相对应无定型硅的去除工艺,可以有效降低无定型硅含量,进一步提高循环氢气质量,有助于提升电子级多晶硅产品质量.     

深能级瞬态谱检测电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量的研究应用

本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符合测试预期。虽然整体变温结果仍然无法进行有效数据拟合,但从测试结果表明,测试条件在137K时,发现有一相对较强特征峰,根据该峰对应的瞬态测试曲线推定是Zn元素产生的,浓度约在2×10¹⁴cm^-3。     

多晶硅原辅料中碳杂质的分析

碳杂质是多晶硅产品的重要杂质之一。为了更好的控制多晶硅产品中的碳杂质,需要明确碳杂质在生产中的分布及转化原理,寻找控制产品中碳杂质的途径。通过分析多晶硅生产中原辅料中碳杂质的来源和控制方式,进而控制产品中碳杂质。     

转化工序冷换热器的清洗与检修

1 冷换热器出现堵塞 我公司一期工程200 kt/a硫磺制酸装置采用"3+1"两转两吸工艺流程和进口催化剂,于2005年11月投入生产.开车初期因操作人员操作不熟练,曾有升华硫进入一吸塔,以致转化工序冷换热器管程出现堵塞.堵塞后冷换热器的操作数据如表1所示.     

电子级多晶硅生产工艺的热力学分析

基于Gibbs自由能最小原理,对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算,重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析. 对于SiHCl3还原反应子系统,适宜的操作温度为1323~1473 K,压力为0.1 MPa;温度高于1323 K,H2/SiHCl3比大于6.6,低压下有利于SiHCl3还原生产多晶硅. 针对传统的SiHCl3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便,提出了用Cl2部分氧化使SiHCl3还原反应体系实现能量耦合的新工艺,即反应过程不需外部加热就可完成,从而节约电耗,同时还发现平衡时体系中加入的Cl2能反应完全,不会影响后序工艺的进行. 对于SiCl4转化反应子系统,高压、低H2/SiCl4比有利于生成SiHCl3.     

我国电子级玻纤市场前景浅析

电子级玻璃纤维布 (简称电子布 )是覆铜箔板必不可少的材料 ,也是印制电路板的基础材料。近几年来 ,我国电子信息产业的迅速崛起 ,大大地促进了我国电子布市场的繁荣 ,市场需求量逐年增长。因为我国已经加入世界贸易组织 ,各行各业都在逐步与国际接轨 ,国内市场与国际市场紧密相连 ,两个市场相互渗透 ,相互作用 ,相互弥补 ,同经风险 ,同步发展。为此 ,欲分析我国电子布市场前景 ,首先要了解国际市场动态。1　国际市场动态据国外最近报道 ,全球现有 4 0多个国家和地区生产电子布。全球电子布产量 1999年为 10 5亿m2 ,2 0 0 0年上升为 12亿m2…     

半导体级多晶硅隐性指标研究

对于半导体行业对多晶硅产品的需求而言,6寸及以下晶圆用原生多晶硅料,国内光伏行业的生产技术全面提升至极致,可初步满足下游用户需求。而8寸、12寸晶圆用原生多晶硅料,不仅对产品的显性指标要求十分苛刻、还对产品的隐性指标要求极高,这已突破光伏行业的认知。对于半导体级多晶硅的隐性指标,目前业内相关技术研究十分少见。本文将对其相关隐性指标进行探究,为本领域的技术创新抛砖引玉。     

ICP-MS法测定电子级高纯异丙醇中痕量金属杂质

用电感耦合等离子体 质谱 (ICP MS)的标准状态 (STD)和冷焰状态 (PS)测定电子级高纯异丙醇中的 18个痕量金属杂质 ,用铟作内标可补偿基体效应。方法检出限为 0 1× 10 -12 ～ 10 0× 10 -12 ,加标回收率为 80 %～ 12 0 % ,长时间相对标准偏差 (RSD)小于 7%。ICP MS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致 ,但ICP MS提高了分析的准确性和工作效率     

电子级多晶硅生产中氯硅烷精馏工艺的设计和优化

比较目前多晶硅生产中氯硅烷精馏的国内传统工艺和引进国外工艺;通过研究和借鉴,结合专家意见并进行模拟计算,设计和优化氯硅烷精馏工艺;简化流程,降低能耗,减少精制三氯氢硅中的杂质,从而提高多晶硅产品的品质。     

高分辨等离子体质谱仪测定常用电子级有机试剂中29种金属杂质

建立了常用电子级有机试剂中29种金属杂质同时测定的方法,样品经蒸发氮吹处理后,高分辨等离子体质谱仪(HR-ICP/MS)检测,29种金属杂质的检出限为0.1μg/kg,线性相关系数均≥0.999,加标回收率在98%～110%,相对标准偏差在0.39%～1.62%。该方法操作简便,能够灵敏、快速、稳定地测定有机试剂中的29种金属杂质,符合电子级试剂的检测需求。     

电子级氯化氢气体研制的进展

新型材料,其中包括高纯化学试剂和高纯化学气体等,被视为是近代新技术革命的重要标志之一。例如高纯氯化氢气体就是电子工业中用量较大的一种化学气体。英、美、德、法、日等国均有电子级氯化氢气体商品出售,但对其提纯技术和分离方法极少见有文献报道。近年来,我国电子工业所需的化学气体的研制,在技术上已有不少突破和发展。