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任仲强弭艳井海明张红霞马兵兵 《安全与电磁兼容》2023,(3):64-68
电场辐射发射强度(RE102)指标是隔离驱动器电磁兼容试验过程中的考核指标,辐射发射强度的强弱直接影响电磁兼容试验的成败,进而影响整个任务的成败。针对电场辐射发射强度展开理论研究,并分析引起指标超标的辐射发射源头。采用一种有效降低辐射发射强度的关键技术,对比了采用关键技术前后的电磁兼容试验数据,验证了理论研究的屏蔽效果与试验测试结果相符合,屏蔽措施有效降低了辐射发射强度。通过工程应用,满足系统辐射发射指标要求。 相似文献
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黄勇陈嘉晔温宇标樊翔郑毅陈欣超 《安全与电磁兼容》2022,(2):72-75
简述了超声波妇科治疗仪的基本工作原理、工作模式及试验方法,基于电磁兼容检验中传导发射和辐射发射试验及超标情况,从整改的视角分析了超声波妇科治疗仪发射试验失败的原因,并采取了屏蔽臭氧发生器、冲洗泵的外壳接地且增加吸收式滤波电路等整改措施,整改后传导发射和辐射发射测试结果满足GB 4824-2019规定中1组B类设备的限值要求。最后总结了抑制超声波妇科治疗仪发射水平的屏蔽、接地和滤波三大电磁兼容整改措施,供检验机构和生产企业等相关技术人员参考。 相似文献
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某军品雷达项目的电磁兼容试验中,通过排除EUT(Equipment under test)配套工装带来的测试干扰,改善EUT及电缆屏蔽性能等方法,使电磁场辐射发射(RE102)测试结果大范围超标问题得到解决。本文结合试验讲述如何分析超标原因,实现整改策略。期望为其它项目的试验提供可参考的、更有效的帮助。 相似文献
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《电子技术与软件工程》2015,(8)
电磁兼容性(EMC)是指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行,并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力。因此,电磁兼容检测及整改是一项非常重要的工作。本文主要介绍了传导,辐射发射超标产生的原因及整改抑制措施,并通过一整改案例对整改措施进行了有效的验证。本文对产品的辐射,传导发射超标的整改具有有效的参考作用。 相似文献
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针对当前电子设备电磁干扰严重、问题复杂且分析困难的情况,对电磁兼容问题的影响因素和传播途径进行探究。以某机载电子设备的试验和整改过程为例,研究了电磁兼容试验中的传导发射和辐射发射问题,讨论分析了相关的测试原理和测试结果的影响因素并结合实际试验进行了验证,并以此为基础分析了电磁干扰可能的产生和传播途径,针对出现的测试结果超标情况提出了有效的改进措施,整改后的结果满足相关标准和试验要求。最后,就此类问题给出了一些其他的改进措施的优化建议。 相似文献
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随着电子技术的飞速发展,高密度、高频率的电子产品迅猛增长,势必导致电磁环境的进一步恶化,从而引起一系列的电磁兼容问题.本文以电磁兼容为主线,以消除各部分电路之间的干扰、降低印制电路板(PCB)的传导发射和辐射发射为目的,对PCB的抗干扰设计进行了综合分析,确保产品顺利通过电磁兼容测试. 相似文献
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The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde. 相似文献
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解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力. 相似文献
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《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1968,56(6):1024-1032
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature. 相似文献
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By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film
element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental
researches of large-scale models are represented. 相似文献
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Moshrefzadeh R.S. Radcliffe M.D. Lee T.C. Mohapatra S.K. 《Lightwave Technology, Journal of》1992,10(4):420-425
The temperature dependence of refractive index of polymer films was determined for a number of slab waveguides by a grating coupling method. This dependence was examined as a function of parameters such as molecular weight and glass transition temperature of the polymer. Temperature-induced changes in N TE-N TM , N being the effective index, were studied systematically for different slab waveguide compositions. It is shown that with proper device design and choice of polymeric materials, thermal effects can be reduced 相似文献
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罗晓羽 《信息技术与标准化》2008,(6):37-39
论述了推进电子行业标准制修订项目计划管理信息化的必要性.并提出了具体措施;详细介绍了电子行业标准制修订项目计划管理数据库的设计思路和实现方法.阐述了对后续工作的几点思考. 相似文献
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对影响镍镀层内应力的因素做了介绍和分析,提出了对收缩应力的一种解释,提供了排除这些因素影响的方法,指出重视镀液的管理是减少各种影响内应力因素的主要办法。 相似文献
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A. M. Emel’yanov 《Semiconductors》2010,44(9):1134-1139
A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of
the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption
edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of
determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting
radiation from the sample. 相似文献