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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 123 毫秒
1.
提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证。此外,在2~50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4%,这也证明了所提出建模方法的高建模精度。  相似文献   

2.
对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2~8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。  相似文献   

3.
一种新的HEMT小信号模型参数提取方法   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数,其次介绍了多偏置点优化算法。最后,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试,实验采用一系列随机起始值,结果表明,提取的参数值与经验值相差小于1%。  相似文献   

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5.
当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应).提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高了大信号模型的精度.  相似文献   

6.
刘新  杨克武  吴洪江 《半导体技术》2010,35(4):329-332,336
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据。模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真。测试和仿真结果表明模型具有很高的精度。  相似文献   

7.
用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。  相似文献   

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介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。  相似文献   

10.
基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5~15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。  相似文献   

11.
12.
In this article, a complete empirical large-signal model of GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) is presented. The developed nonlinear model employs differentiable trigonometric function continuously to describe the drain-source current characteristic and its higher order derivatives, making itself suitable for the simulation of intermodulation distortion (IMD) in microwave circuits. Besides, an improved charge-conservative gate charge model is proposed to accurately trace the nonlinear gate-source and gate-drain capacitances. The model validity is demonstrated for different 0.25-µm gate-length GaN HEMTs. The simulation results of small-signal S-parameters, radio frequency (RF) large-signal power performances and two-tone IMD products show an excellent agreement with the measured data.  相似文献   

13.
马腾  郝跃  陈炽  马晓华 《半导体学报》2010,31(6):064002-5
本文提出了一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型,此模型可在20GHz以内对栅偏源结构HEMT进行精确模拟。模型中的寄生参数由零偏及截止两种偏置下的S参数来决定,本征部分采用直接提取的方式得出。本模型中的所有参数及比例系数均由器件结构决定,并不涉及任何优化算法,因而保证了模型参数值与物理意义的统一。  相似文献   

14.
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型.模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则.提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性.根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑.模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具.验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合.  相似文献   

15.
鲁净  王燕  祃龙  余志平 《半导体学报》2007,28(4):567-572
为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻RIgs,RIgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.  相似文献   

16.
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Mat-lab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1~40 GHz频率范围内吻合良好.  相似文献   

17.
A millimeter wave large-signal model of GaAs planar Schottky varactor diodes based on a physical analysis is presented.The model consists of nonlinear resistances and capacitances of the junction region and external parasitic parameters.By analyzing the characteristics of the diode under reverse and forward bias,an extraction procedure of all of the parameters is addressed.To validate the newly proposed model,the PSVDs were fabricated based on a planar process and were measured using an automatic network analyzer.Measurement shows that the model exactly represents the behavior of GaAs PSVDs under a wide bias condition from -10 to 0.6 V and for frequencies up to 40 GHz.  相似文献   

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