一种InP HEMT分布小信号模型建模方法

提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证。此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4%,这也证明了所提出建模方法的高建模精度。     

射频MOSFET噪声模型研究

对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。     

一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数,其次介绍了多偏置点优化算法。最后,以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试,实验采用一系列随机起始值,结果表明,提取的参数值与经验值相差小于1％。     

一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型

当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应).提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高了大信号模型的精度.     

基于神经网络的HEMT大信号模型

运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据。模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真。测试和仿真结果表明模型具有很高的精度。     

MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。     

用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型

基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5～15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。     

毫米波GaN HEMT器件大信号模型

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。     

一种新型的砷化镓平面肖特基变容管大信号模型

A millimeter wave large-signal model of GaAs planar Schottky varactor diodes based on a physical analysis is presented.The model consists of nonlinear resistances and capacitances of the junction region and external parasitic parameters.By analyzing the characteristics of the diode under reverse and forward bias,an extraction procedure of all of the parameters is addressed.To validate the newly proposed model,the PSVDs were fabricated based on a planar process and were measured using an automatic network...     

一种新的兼容栅偏源结构AlGaN/GaN HEMT的小信号模型

本文提出了一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型,此模型可在20GHz以内对栅偏源结构HEMT进行精确模拟。模型中的寄生参数由零偏及截止两种偏置下的S参数来决定,本征部分采用直接提取的方式得出。本模型中的所有参数及比例系数均由器件结构决定,并不涉及任何优化算法,因而保证了模型参数值与物理意义的统一。     

微波HBT建模技术研究综述

本文对微波异质结双极型晶体管(HBT)发展及其应用现状、用于HBT器件的等效电路模型,以及HBT器件大、小信号建模技术、模型参数提取方法及研究进展进行述评.     

一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法

建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新方法。采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取,避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象;通过Yong Long方法对寄生源电阻进行提取,减少了模型参数提取复杂度。与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比,该方法物理意义简明清晰,提取速度快,并且对新材料、新器件结构有较强的实用性。