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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
日本电气公司在InP衬底上研制成InP光电器件与GaAs电子器件单片集成的1.3μm光通信用发射与接收OEIC。用这种电路块进行了1.2Gbit/s NRZ光信号52.5km光纤无中继传输,接收灵敏度为-26dBm,并保证了4.5dB的光传输余量。发射机芯片含一  相似文献   

2.
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.  相似文献   

3.
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.  相似文献   

4.
日本电报电话公司(NTT)在原有的F-400光纤系统的基础上设计出传输波长为1.5μm的新型通信系统,原系统传输波长为1.3μm,它是纵贯日本本土的远距离电话通信系统的主干线。该公司为了增加陆上系统的中继距离,并避免水下系统使用中继器,正在努力开发更长波长的光纤系统。新系统采用的是1.5μm分布反馈型激光二极管,常规1.3μm零色散单模光纤和铟镓砷雪崩光电二极管。该系统在陆上的无中继传输距离为80公里,用于海底通信时无中继传输距离达120公里。这就可以在陆上  相似文献   

5.
日本NEC公司已研制成功一种以铟-磷为主要材料的光电集成电路(OEIC),用于发送和接收光信号。这种电路能以1.2Gbit/s的速率转换电光信号。该OEIC包括一块实施光发射的350×900μm基片和一块实施光信号接收的600×600μm基片。前者集成了四只光发送元件,即1.3μm的半导体、三只供激励用的双极晶体管;后者集成了四只光信号接收元件,即PIN光电二极管和三只用于放大的场效应晶体管。  相似文献   

6.
日本电气公司开发了可以1.2 Gb/s的超高速进行电信号与光信号变轶的InP系发光和接收用光电集成回路(OEIC),用此种回路成功地进行了千兆比特级的长波带光纤传输实验。  相似文献   

7.
对于一个通信系统的要求主要是两条。一是无中继通信的距离要长;二是能传输的信息量要大;对于数字通信来说,便是在规定的误码率条件下得到最高的通信码速。当长波长(1.3μm,1.55μm)光纤传输发展起来之后,光纤的衰耗性能已降到短波长(0.85μm)光纤的三分之一到四分之一以下,从而限制长距离光纤通信的因素主要是光纤的色散。为降低光纤的色散(模间色散),这使单模传输显出它突出的优越性。由于在1.3μm 波长,单模光纤的色散可以得到最低值,  相似文献   

8.
设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.  相似文献   

9.
设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.  相似文献   

10.
光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个  相似文献   

11.
我们研制了一种中央处理机(CPU)和外设备之间的光纤传输小型计算机接口。数据字长20bit,传输速率10Mbit/s。光缆由20根突变光纤组成,可长达120米。把光电转换器件(即LED和单片集成光电二极管接收器)装配在配线的有源连接器里并牢固地固定好相应的光纤端子。连接器的插针导通TTL信号。这种光接口比通常的电接口体积小得多。在该计算机系统中,接口和设备之间用多芯导线连接,它们包括多脚连接器,驱动器、接收器集成片以及印刷电路板(PC)。通常五个IC中有一个是接口电路。这些连  相似文献   

12.
简讯     
五个波长分布反馈激光器阵列日本东芝公司已研制成一种波长调制的发射机,由世界上第一个集成型半导体激光器组成。这种激光器由五个半导体激光元件集成在单片上而构成,波长多路调制器把五条不同波长的光束会聚在一起。因此,发射机能通过一条光纤同时发送五个不同波长的红外信号。这种集成型半导体激光器用作为多路传输系统的光源,采用分布反馈结构,由GaInAs/P材料制成,发射波长稳定在1.3μm内。用激光器表面上的衍射光栅作  相似文献   

13.
本文报导了一个在1.05μm波长上进行的800Mb/S的光纤传输系统。它使用铌酸锂(LiNbO_3)导波调制器,按非归另(NRZ)码调制磷酸钕锂(LiNdP_4O_(12))激光器的单一频率输出,然后通过四公里长单模光纤进行传输。当使用锗雪崩光电管作探测器时,最小接收光电平为-30dbm。在上述系统结构中是由损耗,而不是由色散限制了中继间距,  相似文献   

14.
利用单模1.55μm光纤的低衰耗长波长窗口,用140Mb/s的随机二进制扰码进行了传输实验,无中继传输距离达60.5km,为开发1.55μm窗口,实现系统扩容和WDM提供了实验基础。  相似文献   

15.
七十年代以来,光纤通信获得蓬勃发展。这个发展过程大致上可分为三个阶段:短波长多模光纤通信→长波长多模光纤通信→长波长单模光纤通信。因光纤在长波长下(1.3μm和1.55μm)的损耗和色散均很小,故各国均非常重视。为适应长波长光纤通信的发展,必须研究光纤在长波长下的传输特性。由于长波长半导体激光器的功率小,波长几乎不能变化,在许多方面都满足不了光纤测量的需要。而Nd:YAG激光器具有下列优点:(1)输出功率大,能在光纤中传输更远的距离,故可扩大测量的动态范围;(2)可用来泵浦光纤喇曼激光器或光参  相似文献   

16.
锗(Ge)雪崩光电二极管(APD)接收机的高灵敏度,以及1.55μm最小损耗波长的无色散光纤,使得在2Gbit/s完成51.5公里光信号传输成为可能。接收光电平是-31.4dBm,误码率为10~(-9)时,由光纤色散引起的劣化仅仅0.6dB。在1.55μm波长达到了103(Gbit/s)公里的数据速率中继间隔乘积。  相似文献   

17.
本文介绍了GaAs-on-InP异质结构长波长光电集成回路(OEIC)。以InP为主要成分的光学器件和GaAs-IC都在InP衬底上单片集成,业已证明,GaAs-on-InP异质结构对于长波长高性能OEIC具有很大的潜在用途。  相似文献   

18.
<正>由于石英光纤在λ=1.0~1.7μm范围有低损耗和低色散的优点,因此长波长光通讯技术是近年来发展较快的领域.InGaAs/InP PIN光电二极管的研制成功,克服了Ge光电二极管的暗电流大和温度特性差的缺点,为光通讯的长中继传输和多重波长传输技术提供了一个质量良好的关键器件.  相似文献   

19.
日本富士通公司新近开发了由OEIC(光电集成回路)构成的光通信发送、接收组件。该组件可传输400Mb/s的高速数字光信号,居世界领先地位。所谓OEIC,则是将LD或LED与电子回路集成在一个基片上的新型光装置。它的应用将使原来的光发送机和接收机迅速达到高速化和小型化。  相似文献   

20.
一、前言目前,波长为1.06μm 的 Nd:YAG 激光器已相当成熟.并且,在1.0~1.1μm 的波长范围是光纤的二个较为重要的低损耗窗口之一(另一个低损耗窗口是0.8~0.9的波长范围).然而,在该波长范围的探测器性能差,一般的光电倍增管在1.06μm 波长的量子效率仅为万分之几,具有 S-1光电阴极的光电倍增管的量子  相似文献   

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