新型透明导电薄膜In2O3：Mo

ＭｏＯ３的饱和蒸气压较高，可以直接用热反应蒸发法制备Ｉｎ２Ｏ３：Ｍｏ（ＩＭＯ）透明导电薄膜。ＸＰＳ和ＸＲＤ测试结果证明，ＩＭＯ薄膜中的Ｍｏ是以Ｍｏ＾６＋离子形式取代了Ｉｎ２Ｏ３晶格中的Ｉｎ＾３＋离子而存在的，没有形成新的化合物，也没有改变Ｉｎ２Ｏ３的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下，用常规的反应蒸发法，在约３５０℃，１．２ｍｍ厚的载玻片上制备的ＩＭＯ薄膜在可见光区域的平均透射     

臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用

虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约350℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2O3∶Mo(IMO)薄膜,但是随着基底温度的降低,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小.通过高频放电在反应气体中加入O3后,可以在室温下将In充分氧化成In2O3,极大地改善了IMO薄膜的透明性.而且,IMO薄膜的结晶程度也得到了小幅度提高,这有利于提高薄膜电导率.在不加热基底的情况下(约30℃),制备的约400nm厚的IMO薄膜的电阻率小于5×10-2Ω*cm;在基底温度为100℃时电阻率可以小于2×10-3Ω*cm;同时它们在可见光区域的总平均透射比(含1.2mm厚载玻片基底)都超过0.8.     

高迁移率透明导电In2O3:Mo薄膜

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响.获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4 Ω·cm,载流子迁移率高达50 cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%.X-ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性.分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制.     

透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究

采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3：Mo)薄膜和ITO(In2O3：Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明，IMO薄膜的载流子迁移率高达100cm^2V^-1s^-1以上，远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物（TCO）薄膜的载流子迁移率；IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的0.35倍；IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释，为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中，每形成一个电中性复合粒子，就会使两个掺杂的Sn^4 失去贡献载流子的电活性；而在IMO薄膜中，即使一个掺杂Mo^6 与晶格间隙中的一个O^2-结合成复合离子后，该复合离子仍然会贡献出一个载流子，故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少，从而导致价态差为3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为1的ITO薄膜，因此，IMO薄膜有可能获得较高的载流子迁移率。     

透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究

采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物 (TCO)薄膜的载流子迁移率 ;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的 0 35倍 ;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由于载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释 ,为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中 ,每形成一个电中性复合粒子 ,就会使两个掺杂的Sn4 失去贡献载流子的电活性 ;而在IMO薄膜中 ,即使一个掺杂Mo6 与晶格间隙中的一个O2 -结合成复合离子后 ,该复合离子仍然会贡献出一个载流子 ,故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少 ,从而导致价态差为 3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为 1的ITO薄膜 ,因此 ,IMO薄膜有可能获得较高的载流子迁移率     

室温直流反应磁控溅射制备透明导电In2O3:Mo薄膜

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm.     

应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜

本工作说明，在低压氧气氛中。应用铟源的反应蒸发很容易淀积高质量的Ｉｎ２Ｏ３透明导电膜．旦然没有使用锡杂质，但所得膜的性能可以和最好的掺锡的Ｉｎ２Ｏ３膜相比．膜电阻率达２～３×１０￣４Ω·ｃｍ，可见光透过率超过９０％，并且膜生长速率高达２１９／ｍｉｎ．文章对成膜过程作了分析，报道了膜的最佳淀积条件，对由于偏离最佳淀积参数而导致的异常膜的形成机制也进行了讨论．     

新型透明导电ZnO:Mo薄膜

采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnOMo(ZMO)透明导电薄膜.研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的结构和光电性能与钼含量以及基片温度有关.x光衍射图谱(XRD)显示薄膜具有六角纤锌矿结构,并且在基片温度为200℃,钼含量(Mo/Zn Mo)为1.5wt%时薄膜具有较好的c轴取向.制备出的ZMO薄膜最低电阻率为1.97×10-3 Ω·cm,相应载流子迁移率达37.0 cm2V-1s-1,载流子浓度为8.57×1019 cm-3,在可见光区域的平均透射率达到80%左右.     

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2的研究进展

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料.本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响.     

室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3∶Mo薄膜。研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%~18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响。结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感。分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性。原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜。室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4Ω.cm。     

ZnO：Al透明导电薄膜的研制

介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明并研究了其特性，阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景，并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ＺｎＯ：Ａｌ薄膜的制备情况：靶的制备及薄膜的制备过程，测量了薄膜的光电特性，包括透射比，折射率，消光系数，方块电阻，电阻率，载流子浓度和迁移率等参数，并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。     

ZnO:Al透明导电薄膜的研制

介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性，阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景，并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况：靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性，包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数，并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。     

近红外区高透射率In2O3:W透明导电氧化物薄膜的研究

采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3W,IWO)透明导电氧化物薄膜.薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差.与相同电阻率的ITO(In2O3Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响.制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4 Ω·cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%.     

AZO透明导电薄膜的特性、制备与应用

本文综述了ＡＺＯ透明导电薄膜的结构特点,电学和光学的特性,薄膜研究、应用和开发现状,认为ＡＺＯ薄膜具有较好的开发前景。     

氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响

采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能.结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势.在可...     

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.     

氧化锌透明导电薄膜的制备及其特性

氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关。以２％氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶,采用ＦＲ磁控溅射技术制备的透明导电薄膜,其电阻率４．５＊１０＾－３Ωｃｍ,载流子浓度２．８＊１０＾２０ｃｍ＾－３,霍尔迁移率１５．８ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ平均透射率大于８０％。     

透明导电氧化锌薄膜的制备

简单回顾了透明导电氧化锌薄膜的发展历程，着重介绍了各种氧化锌薄膜的制备方法和各自的优缺点，以及改进方案和在实际生产中的应用，分析了透明导电氧化锌薄膜存在的问题和解决问题的思路，最后对于氧化锌这种极具替力的材料进行了展望。     

透明导电薄膜材料的研发态势

简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态，材料设计原理及其应用进行了重点介绍，并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论。