InP—MIS界面特性的研究

通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ４所造成陷阱，而是低温淀积ＳｉＯ２中的ＳｉＯ２，ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象，从而可望制作出性能较为稳定的ＩｎＰ－ＭＩＳ器件。     

nMOSFET中界面陷阱产生电流的电容效应

研究金属氧化物场效应晶体管nMOSFET中界面陷阱引发的产生电流的电容特性,基于产生效应生成的泄漏电流实验曲线提取电容曲线,发现其呈现出一正一负两个尖峰。这种现象为在积累区到耗尽区、耗尽区到反型区的两个过渡区域中陷阱产生的载流子受到栅压的控制程度最强所致。理论分析发现,正、负尖峰峰值绝对值分别为2.8×10~(-16) A·s/(m·V)和4×10~(-16) A·s/(m·V),且负峰值的绝对值大于正峰值,该结果反映出从积累区进入到耗尽层初期时栅电压下的电容能力要强于从耗尽区进入到反型区时的电容能力。     

氮化硅陶瓷连接的研究进展

氮化硅陶瓷以其优良的抗弯强度、抗腐蚀、抗热震、抗氧化和尺寸稳定等性能,在航空航天、能源、冶金和半导体等领域表现出巨大的应用潜力和市场前景.然而,加工性差、界面难润湿等特点极大阻碍了氮化硅陶瓷的应用.为此,人们不断探索研究氮化硅陶瓷的连接,以期通过可靠的连接方法促进其应用发展与突破.本文综述了近年来氮化硅陶瓷连接的研究进展,指出当下氮化硅陶瓷连接的研究主要集中在调控界面结构和控制界面应力以提高连接强度,其中根据Si₃N₄陶瓷的特点,评述例举了固相扩散、部分瞬间液相扩散、金属钎焊和玻璃钎焊等方法在氮化硅陶瓷接头界面结构调控方面的研究进展,归纳总结了氮化硅陶瓷接头界面应力控制的研究现状,最后展望了今后氮化硅陶瓷连接的研究重点与方向,旨在为氮化硅陶瓷连接的研究提供参考.     

氮化硅陶瓷高温蠕变试验研究

本文研究了以6wt%Y_2O_3和2wt%Al_2O_3为烧结添加剂的氮化硅材料在1300—1400℃温度范围内的蠕变特性。研究表明该材料系统的蠕变指数n等于2,激活能Q等于700kJ mol~(-1) 。实验结果分析和计算都显示蠕变速率控制机理为氮沿晶界玻璃相扩散的扩散型控制机理。     

氮化硅陶瓷动态损伤性能研究

利用零普金森杆加载系统对氮化硅陶瓷的动态冲击应力－应变特性作了实验研究，并与氮化硅陶瓷的静态压缩应力－应变特性作了比较，结果表明，氮化硅陶瓷在动态冲击应力作用下，应力－应变关系呈现非线性行为，而在静态压缩应力条件下，应力－应变关系主要表现为准线性行为。     

玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究

为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH_4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650 W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45 nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7 nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜.     

现代陶瓷氮化硅断裂韧性强度测量计算—直接压痕法

对4种无压氮化烧结及热等压氮化硅材料在常温下断裂韧性强度的测量方法—直接压痕法进行评价,不同公式计算出的断裂韧性强度系数K_(Ic)值存在着一定差异,计算结果表明,各公式具有不同的载荷依赖性;压痕载荷、试样表面光洁度及抛光质量在很大程度上影响K_(Ic)的测量值,本文方法和其它测量方法所获得的K_(Ic)值相一致,这证明压痕法是测量氮化硅材料K_(Ic)值一种简单可靠的方法。     

DC—PCVD法沉积的非晶态氮化硅的显微硬度研究

对用直流等离子体化学气相沉积(DC—PCVD)法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。对氮化硅薄膜的表面显微硬度和剖面显微硬度进行了测试,并对非晶态氮化硅硬度高于晶态氮化硅硬度的原因进行了探讨。     

烧结氮化硅陶瓷的显微结构

通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧结Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ＭｇＯ在烧结过程中会自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ＭｇＯ，当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次Ｓｉ３Ｎ４晶粒，从而使烧结Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的性能下降。并观察到了其中的亚晶粒、晶界及位错等微观结构。     

搭接梁的干摩擦力分布规律研究

研究具有干摩擦搭接区的弹性梁在拟静态轴向力作用下,搭接区内干摩擦力的分布及变化规律,导出首次加载过程中,摩擦力分布的数学表达式及轴向力和搭接区两端轴向相对位移的关系,并讨论卸载和重新加载的情形,给出在周期载荷作用下的滞后曲线。     

Si-SiN界面应力

本文以用 PECVD 法在硅衬底上淀积的氮化硅薄膜为研究对象,研究了薄膜应力与淀积条件之间的相互关系,给出薄膜应力的一种测量方法,并且对薄膜应力的形成机理进行了一些探讨。研究表明:本系统淀积的氮化硅薄膜应力是 Si-SiN 界面应力,它由热应力和本征应力合成。当膜厚达0.2～0.4μm 范围时,应力最小,随膜厚增加,应力形式由压应力转化为张应力,数量级在10~8Pa 左右。     

GLQW-1型摩擦阻尼器的滞回特性分析与实验研究

从工程实际出发,查找大量资料,对Pall摩擦耗能器进行研究,针对其一些缺点进行改正.在此基础上,结合计算理论和技术经验,在试验的基础上自行开发设计了GLQW-1型摩擦阻尼器("王"形芯板摩擦耗能器),建立合适的力学模型,分析了它的整体滞回特性及受力特点,用二分法计算,编程给出理论滞回曲线,并在半足尺模型试验中得到验证,并分析了误差的原因.笔者最后给出了工程设计实例,对比使用前后大楼的动力反应结果,发现有着显著的作用效果,说明其具有应用研究价值.     

变压器线圈磁滞回环的数学模型及应用

本文对一种能准确模拟变压器线圈磁滞回环的数学模型进行了深入研究,推导了获得该模型的具体方法;同时,结合实际应用验证其准确性并阐明其在效值计算中的重要性。     

两端固定双晶片变形特性的实验研究

为利用压电双晶片构造高位移分辨力的小型运动装置,实验测试了8种不同厚度组合的接收型双晶片在两端固定条件下的变形特性.样片为矩形,尺寸70 mm×20 mm.组建了专门的测试系统,手工变换悬挂载荷后,由计算机控制自动逐级加载电压和记录数据,分别测试了负载特性、滞环特性、蠕变特性、重复特性等.实验结果表明:负载特性曲线初始段较软,负载超过某一临界点后变硬;相同电压下,金属层加厚变形减小,压电层加厚变形增大;四层压电片的复合晶片是双晶片输出推力的1.5~2倍;滞环分布范围与压电叠堆相似,在8%~16%之间;同等"伸长"条件下,两端固定双晶片的蠕变量小于叠堆.双晶片(d31)在两端固定条件下,其中心部位的变形特性和压电叠堆(d33)端部的变形特性具有可比性,可以满足亚微米级精度的定位/驱动场合对力和变形的要求.     

一种新型双稳态过温保护电路

提出了一种新型的双稳态过温保护电路及其雪崩式工作模式。从理论上对雪崩式状态转变及滞回的产生机理作了深入的分析。与传统过温保护电路相比,该工作模式使转换速度提高了3倍以上,同时由于双稳态系统固有的稳定性,电路的稳定性也得到一定的提高。     

基于空间矢量的滞环电流跟踪控制策略的仿真研究

研究了一种基于电压空间矢量脉宽调制(SVPWM)的不定频滞环电流控制方法.设计了基于该控制策略的PWM整流器和有源电力滤波器的Simulink仿真模型,仿真结果表明了该控制策略的可行性.     

再生混凝土框架顶层边节点的抗震性能试验研究

对3榀再生混凝土框架顶层边节点的抗震性能进行了试验研究。试件节点区域采用三种不同的配筋形式,在低周反复荷载下观测试件破损特点、发展过程及最后破坏形式,得到梁端荷载-位移滞回曲线,对3榀试件滞回特性、位移延性、刚度退化和耗能能力进行了研究。结果表明配筋形式对再生混凝土框架顶层边节点的抗震性能有一定影响;再生混凝土试件可用于有抗震设防要求的工程。     

磁滞陀螺电机有效层材料的研究及工作点的优化确定

本文在对磁滞电机有效层材料研究的基础上论证了工作点优化确定的方法,推导了计算公式,最后进行了实例计算.     

有源电力滤波器的正弦滞环控制法研究——滞环控制策略分析

本文分析并比较了四种电流滞环控制策略,在将其应用于电压逆变器型有源电力滤波器的电流滞环控制时,提出了降低有源电力滤波器开关频率及减小该开关频率变化范围的方法;提出了用正弦载波代替三角形载波进行控制将更为有利的观点,并通过仿真分析得以验证。本文的研究结果同样也适用于电流逆变器型有源电力滤波器的电压滞环控制问题的分析。