日本极紫外光刻

1.引言由于在过去的几年里人们在极紫外光刻技术发展方面做出了巨大努力,使用极紫外光刻制作0.1μm分辨率的器件的可行性已令人信服地得到证实。人们对今后八年时间内即2004年前制作出0.1μm线宽的指标充满信心。这种线宽要求能够制作出分辨率为0.1μm的图案,并且具有高产量的样机系统。     

极紫外光刻材料研究进展

极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术,光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考,综述了最近几年来文献报道的研究成果,介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求,总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类,着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理,光刻性能所达到的水平和存在的主要问题,最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。     

极紫外光刻投影光学系统的研究

本文探讨了一种可应用于极紫外光刻光学系统的离轴五反射镜系统,它在光学质量、自由工作距离方面满足了极紫外光刻商业化的要求。在此基础上,文章对精密非球面加工和计算机辅助光学装校也进行了探讨。     

极紫外光刻技术

介绍了美国和欧洲在极紫外光刻技术的开发和研究中的进展和发展极紫外光刻的关键技术,展望了EUVL作为下一代候选光刻技术的可能性     

极紫外光刻研制进展

25年前，运算能力相当于今天的笔记本电脑的计算机，其硬件可要装满一间房子，其穿孔卡载满一卡车。自那时以来，计算机已变得小巧得多，而且运算能力越来越强。这主要归功于光刻技术的进步。光刻基本上是一种照像技术，可将越来越多的部件装入计算机芯片内。将光导向一块掩模板（其上有集成电路图案），并将图案成像到有光敏光致抗蚀剂的半导体芯片上。产生电路的部件愈来愈小，便需要使用越来越短的光波长。现有的光刻技术使用深紫外波段的光，其波长约为248nm，在芯片上印出150~120nm尺寸的部件。在未来几年，制造商计划制造100~70nm部件…     

微光刻

2001040102纳米光刻技术[中]/罗先刚…//物理.-2000,29(6).-358—363,3502001040103用于高分辨大视场微光刻的全息照相技术研究[中]/冯伯儒…//微细加工技术.-2001,(1).-1—72001040104     

同步辐射光刻用的极紫外光源

讨论以极紫外(EUV，此处分别指13．5nm或11．3nm)为基础的下一代光刻用同步辐射作为光源的可能性。要求是：50W，2%带宽和这一带宽外功率最小。研究了三种选择，第一、二种用弯铁和波荡器辐射。结果证明牛津仪器公司和其他公司的早期工作：当发射过多的带外辐射时，光源带内功率不足。第三种是用500MeV直线加速器驱动的带有超导微型波荡器的自由电子激光器(FEL)。这种装置能产生带内极紫外功率超过50W，带外功率可忽略。     

远紫外光刻的进展

<正> 在为获取越来越小的特征尺寸的持续进军中,镜头设计者、步进机制造者和工艺师们必须处理好三个参数,即镜头数值孔径、照明波长和工艺的关系。这三个参数的关系由瑞利分辨率公式给出: 分辨率:K_1λ/NA式中K_1是一个取决于工艺的比例常数,λ是波长,NA是数值孔径。较高的分辨率,即较小的特征尺寸可用加大数值孔径,缩短曝光波长或改进工艺来实现减小K_1值。     

可用于极紫外光刻的三线毛细管的概念设计

极紫外光刻(EUVL)技术是目前193 nm浸没式光刻技术的延伸,有望突破30 nm或更小技术节点而成为下一代光刻(NGL)技术的主流。毛细管放电极紫外(EUV)光源可为极紫外光刻研究提供高效、便捷的光刻源头,但光源的辐射功率较低一直制约着极紫外光刻技术的发展。三线毛细管放电极紫外光源的概念设计与常用毛细管装置有着本质的区别,它们不同的工作机制将使三线毛细管放电产生的环带状等离子体极紫外光源的辐射功率明显高于常用毛细管的情形,最佳收集角也得到相应的提高。三线毛细管概念设计方案的提出不仅从技术上开拓出一片全新的领地,为极紫外光刻研究提供所需的光源,而且从效益上看更适合于大规模工业生产。     

极紫外光刻真空工件台技术研究

在极紫外光刻系统中,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素。结合极紫外光刻机的工作原理和发展现状,论述了极紫外光刻机真空工件台系统的特征、组成及其关键技术。     

极紫外投影光刻掩模技术

介绍了掩模基片的技术要求，分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施，然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程，最后介绍了掩模缺陷的检测技术并概述了极紫外投影光刻掩模技术的现状。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

下一代光刻技术的设备

下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。     

紫外纳米压印用PMMA转移层膜的制备及性能

以苯甲醚为溶剂,采用旋涂法制备PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)转移层膜。当PMMA的质量分数为5%、旋涂速度为2000～6000r/min时,转移层膜的厚度为90～150nm,粗糙度为0.3nm,可满足纳米压印要求。采用接触角测量仪测试计算出PMMA、PS转移层膜的表面能,并通过转移层膜与压印胶之间的粘附功和界面张力的计算,评价了PMMA、PS和Si片对压印胶的润湿和粘附性能。结果表明,PMMA膜可改善压印胶在基片上的润湿铺展性能和粘附性能,而PS膜虽能改善基片的润湿铺展性能,却不利于压印胶的粘附。     

均匀辐照365nm LED光源设计及其在光刻中的应用

优化设计了365nm紫外LED点光源阵列、聚焦透镜组的排布,实现了高强度均匀辐照的LED面光源。利用优化后的365nm LED面光源进行了接触式曝光光刻实验,所得刻写图形与掩模板图形一致。提出的基于365nm紫外LED阵列均匀辐照面光源的光刻方法具有结构简单、节能、环保等优势。     

光源掩模协同优化的原理与应用

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限.光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期.综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术.     

分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大。而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小。因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移。     

向32 nm迈进的光刻技术

概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。