具有动态偏压的甲类放大器

具有动态偏压的甲类放大器小电一、电路性能简介由电路图可知，这部功放的输入级是一对场效应管，输入阻抗高、动态范围大、噪声低。Ｖ３、Ｖ４组成第Ｍ差分放大级，ＶＳ提供１．８ｍＡ的电流给Ｖ１、Ｖ２；Ｖ６提供９．５ｍＡ的恒定电流给Ｖ３、Ｖ４。由于ＬＥＤ的导通（...     

GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

在方波情况下测试电压表误差的研究

真有效值响应的电压表可以测量任意波形的电压有效值，可是检验这种电压表还缺乏统一的规范和有效的手段。文章通过分析这类特殊电压表所采用的真有效值转换器的原理及误差，得出了检验这种电压表应采取的方法——用标准脉冲源的标准源法。所研制的脉冲源输出脉冲的波峰因数在１，２，３…１０上可调，频率在１０Ｈｚ～２０ｋＨｚ范围内可调，幅值在１Ｖ，２Ｖ，３Ｖ…１０Ｖ上可调，输出脉冲的上升时间及下降时间为３０ｎｓ，最大电压摆率为２．６７×１０８Ｖ／ｓ，短期不稳定性小于０．０１％。     

数字电压表新技术

本文论述当前国内外数字电压表（ＤＶＭ）和数字万用表（ＤＭＭ）产品中所采用的新器件、新技术，供设计、研制和选用ＤＶＭ／ＤＭＭ时参考。     

一类具有椭球误差的多元线性模型参数的Bayes估计

本文讨论下列线性模型Ｙｍ×ｎ＝βｍ×ｐＸｐ×ｎ＋βｍ×ｎ其中ε服从一类特殊的矩阵椭球分布，特征矩阵为Σ＾～ｍｎ×ｍｎ＝Σｎ×ｍ⊙Ｖｍ×ｍ。给出了在Σ＞０已知；Ｖ＞０，已知，Σ＝σ＾２Ｉｎ，σ＾２＞０未知；Ｖ＞０未知三种情形下参数矩阵β的Ｂａｙｅｓ估计。     

利用直流数字电压表测量直流比较仪式电位差计的绝缘电阻

由检定规程ＪＪＧ５０５－８７的表１可知,绝缘电阻是直流比较仪式电位差计的周期检定项目之一。ＪＪＧ５０５－８７第１０条指出,０－０００１级直流比较仪式电位差计的绝缘电阻应分别不低于１ＧΩ、２ＧΩ。规程规定测量上述绝缘电阻用直流电压１００～２５０Ｖ的绝缘电阻测量仪或高阻电桥,测量误差不大于２０％。但是这样的绝缘电阻测量仪或高阻电桥,很多计量技术机构不具备,而准确度较高的数字多用表（ＤＭＭ）或直流数字电压表（ＤＶＭ）比较多见,可利用ＤＭＭ的直流电压功能（或ＤＶＭ）测量上述绝缘电阻。现以用７０８１ＤＭＭ…     

曝光时对DCG中Cr2P3／2XPS谱的影响的研究

通过对不同曝光量的重络酸盐明胶（ＤＣＧ）中的Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）的测定发现，Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ谱随曝光量呈规律性的变化；在０￣１９５ｍＪ／ｃｍ＾２曝光量范围内，它的１／５高密度（ＦＷＦＭ，即：ｔｈｅ ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｆｉｆｔｈ ｍａｘｉｍｕｍ）和５７６．４ｅＶ附近的峰的相对强度先随曝光量的增加而减小；相反，它的５７９．４ｅＶ和５７７．４ｅＶ附近的两个峰的相对强度却     

δ－Al_2O_3纤维／Al－12Si复合材料室温拉伸强度分析

对δ－Ａｌ２Ｏ３纤维／Ａｌ－１２Ｓｉ复合材料室温拉伸强度的分析表明，在实验条件下该复合材料存在δ－Ａｌ２Ｏ３纤维的最小体积分数Ｖｍｉｎ和临界体积分数Ｖｃｒｉｔ，并求出其基体强度σ＇ｍ和室温强度σｃ－δ－Ａｌ２Ｏ３纤维体积分数Ｖｆ直线方程及纤维的临界长度ｌｃ和复合材料的剪切应力τｉ．确定复合材料的ＲＯＭ预测曲线，应首先判断σ＇ｍ是否等于未增强合金的强度σｕｍ才能得出正确的结论     

ANALYSIS ON ROOM TEMPERATURE TENSILE STRENGTH OF δ-Al_2O_3, FIBER / Al-12Si COMPOSITE

对δ－Ａｌ２Ｏ３纤维／Ａｌ－１２Ｓｉ复合材料室温拉伸强度的分析表明，在实验条件下该复合材料存在δ－Ａｌ２Ｏ３纤维的最小体积分数Ｖｍｉｎ和临界体积分数Ｖｃｒｉｔ，并求出其基体强度δｍ和室温强度σｃ－δ－Ａｌ２Ｏ３纤维体积分数Ｖｆ直线方程及纤维的临界长度ｌｃ和复合材料的剪切应力τＰ确定复合材料的ＲＯＭ预测曲线，应首先判断σｍ是否等于未增强合金的强度σｕｍ才能得出正确的结论。     

NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

介绍了用ＮＨ３－ＭＢＥ技术在蓝宝石Ｃ面上外延的高质量的ＧａＮ单层膜以及ＧＮ／ＡｌＮ／ＧａＮ极化感应二维电子气材料。外延膜都是Ｎ面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。ＧａＮ单层膜的室温电子迁移率为３００ｃｍ＾２／Ｖｓ。二维电子气材料的迁移率为６８０ｃｍ＾２／Ｖｓ（ＲＴ）和１７００ｃｍ＾２／Ｖｓ（７７Ｋ）,相应的二维电子气的面密度为３．２＊１０＾１３ｃｍ＾－２（ＲＴ）和２．６ｘ１０＾１３ｃｍ＾     

VO2薄膜的主要制备工艺参数研究

通过正交试验设计对制备ＶＯ２薄膜过程中的部分影响因素（膜厚，最终热处理温度和热处理保温时间）进行了分析研究。ＶＯ２薄膜由无机溶胶－凝胶法制备Ｖ２Ｏ５凝胶膜经真空热处理而成。试验结果表明，ＶＯ２薄膜的最终电学性能明显受到膜厚、热处理温度和保温时间的影响。其中以热处理温度的影响最为显著。当真空度为３Ｐａ、升温速率为２℃／ｍｉｎ时，在试验参数范围内（真空热处理温度３４０￣５００℃，保温时间４０￣２４０ｍ     

等离子体苯胺聚合膜离子注入层的电阻率

等离子体苯胺聚合膜经１００ｋｅＶ，５×１０１５Ａｒ＋／ｃｍ２或２４ｋｅＶ，１×１０１６Ｉ＋／ｃｍ２离子注入后，室温电阻率下降１２个数量级。用范德堡（Ｖａｎ－ｄｅｒ－Ｐａｕｗ）法在１７３Ｋ～３０３Ｋ温度范围内，测量了温度对注入层体电阻率的影响。实验表明，注入层内电荷载流子的输运过程可用Ｍｏｔ的可变自由程跳跃（ＶＲＨ）模型给以解释。根据此ＶＲＨ理论得到Ｆｅｒｍｉ能级处的态密度及电荷载流子最可能的跳跃距离。     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

四点法快速测定碳钢的腐蚀速度

采用四点法测试计算了碳钢在Ｈ２ＳＯ４及加入缓蚀剂中的腐蚀速度，结果表明，该测试方法的最佳极化范围为－５０－－１０ｍＶ和１０－５０ｍＶ；在此范围内应用四点法能够快速简便地测定碳钢的腐蚀速率并评选缓蚀剂，结果与Ｔａｆｅｌ直线外推法一致。     

高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

低价钒—锶氧化物系的相关系和电导率

研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系。用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００－１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率。结果表明在该系统内，在还原气氛下形成的低价钒化合物有六方的Ｓｒ８Ｖ８Ｏ２５，立方的Ｓｒ２Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ３，三在１５０Ｋ以上均具有１０＾０－１０＾１Ω·ｃｍ的电阻率。Ｖ２Ｏ３相在低于１５０Ｋ附近电阻率有一个约１０＾４数量级的跃升，显示了在降温时由     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

一类具有椭球误差的多无线性模型参数的Bayes估计

本文讨论下列线性模型Ｙｍ×ｎ＝βｍ×ｐＸｐ×ｎ＼＋βｍ×ｎ其中ε服从一类特殊的矩阵椭球分布，特征矩阵为。给出了在Σ＞０已知；Ｖ＞０，已知，Σ＝σ２Ｉｎ，σ２＞０未知；Ｖ＞０未知三种情形下参数矩阵β的Ｂａｙｅｓ估计。     

KF稳定性判据的进一步分析

对ＫＦ稳定性判据做了进一步分析，得到一个新的界面稳定性判据：Ｇ≥ｍＧｃ－ｋΓＶ２／Ｄ２Ｖ／Ｄ，发现绝对稳定性不只出现在凝固速度极高的条件下，极高的温度梯度也会导致绝对稳定性．这个结果对快速凝固和激光表面处理技术具有指导意义．     

CeO2-Y2O3固体氧化物燃料电池的电化学性能

以Ｙ２Ｏ３掺杂的ＣｅＯ２为固体电解质,制备了电解质支撑的固体氧化物燃料电池。测定了Ｈ２－Ｏ２电池的电压－电流密度（Ｖ－Ｉ）和输出功率－电流密度（Ｐ－Ｉ）关系曲线。为抑制ＣｅＯ２基材料的电子导电性的影响,采用溶胶凝胶技术,在阳极与电解质间制备了一层１μｍ厚的ＹＳＺ薄膜,７５０℃时,电池开路电压由０．７３Ｖ上升到０．８２Ｖ,最大输出功率密度从３６ｍＷ／ｃｍ＾２增加到５４ｍＷ／ｃｍ＾２,增大５０％,证明ＹＳＺ阻挡膜确定能改善电池的电化学性能。