封离式高重复率铜蒸气激光器

本文主要报告以CuCl为介质的高重复率铜蒸汽激光器。激光放电管内径8毫米,放电间距30厘米,两端有布儒斯特窗,由石英制成。在管子的靠近阳极端有CuCl贮池。激光管连同CuCl在排气等真空处理后内充20托氖气作为缓冲气体,然后从排气台上封离下来,即为封离式激光管。电源采用Blumlein线路,谐振充电。充氢闸流管ZQMI-400/16作为开关元件。电容量c=1.5nF,电源电压V=3～5.5KV,脉冲重复率f=10～30KHz。实验研究了5106A和5782A铜原子跃迁的激光平均输出功率P与CuCl贮池温度     

抗红外烟幕遮蔽剂CuCl2-NiCl2-GIC的研究

采用定量混合法,以微粉石墨为主体材料合成出2、3阶CuCl2-NiCl2-GIC,应用XRD技术对其层间结构进行表征,结果证实所得产物以混阶形式存在,其中2、3阶CuCl2-NiCl2-GIC的特征层间距为1．474nm和1．753nm。用扫描电镜观测样品的表观形貌,并进行选区成份分析。通过考核CuCl2—NiCl2—GIC的粒度分布、沉降速度及质量消光系数,证实该物质对工作在红外波段的军用电子器材具有良好的干扰功效。     

氯化亚铜铜蒸汽激光器

本文报导了阐流管的触发电路经过改进之后所获得的CuCl蒸汽激光器的实验研究结果。获得最大平均输出功率为1.5W。     

氯化亚铜激光器泵浦的高重复率染料激光器

报道了用CuCl激光器泵浦的几种若丹明染料的研究结果,激光辐射复盖了从5630到6230约600的波长范围,最高转换效率达到33%.     

相干检测偏振共焦扫描显微成像技术

描述了相干检测偏振共焦扫描显微成像技术的原理、方法和实验结果,给出了成像条件,并用这种技术分析测试了掺杂半导体纳米材料CuCl和TiO2聚乙烯薄膜的局域双折射性质和偏振特性.     

氯化亚铜激光器的计算模型及脉冲重复频率对输出功率的影响

本文对CuCl激光器的计算模型进行了探讨,分析了脉冲重复频率对输出功率的影响,发现在一定频率范围内,电子温度具有决定性影响,但在此频率范围之外,电子密度、亚稳态铜原子浓度等超重要作用。     

密封放电自热式CuCl激光器研究

本文论述了长寿命放电自热式CuCl激光器设计思想。提出了一种凹槽型石英放电管结构,获得了平均激光功率700mW、体积能量密度1.46μJ/cm~3、效率0.16％和连续运转170小时的结果。其寿命与国外水平相当。对实验结果作了简要讨论。     

CuO,CuCl对P2O5-ZnO-Na2O玻璃性质的影响

包边技术是提高大尺寸激光玻璃饱和增益系数的关键.为获得优质包边玻璃,以CuO和CuCl分别作为Cu2 的引入物质,采用传统的玻璃熔制方法,研究了Cu2 掺杂量和不同引入物质对P2O5-ZnO-Na2O体系玻璃形成区、析晶稳定性、物化性能以及吸收系数的影响.研究结果表明,CuO和CuCl都能增大P2O5-ZnO-Na2O体系的玻璃形成区、提高玻璃样品的析晶稳定性.玻璃样品的吸收系数随Cu2 掺杂浓度的增加而明显增大,当Cu2 掺杂摩尔分数达到6%时,样品在1053 nm处的吸收系数为59.46 cm-1,基本上达到了饱和状态.     

Synthesis of CuInSe2 nanoparticles by phase transformation of In2Se3 via wet chemical process in low temperature

Chalcopyrite-type CulnSe2 nanoparticles are successfully prepared by using In2Se3 nanoparticles as a precursor reacted with copper chloride （CuCl） solution via a phase transformation process in low temperature. The reaction time is a key parameter. After the reaction time increasing from 0.5 h to 8 h, In2Se3 and CuCl react with each other gradually via phase transformation into CuInSe2 without any intermediate phase. The crystalline structure and morphology of the CuInSe2 nanoparticles are characterized by X-ray diffraction （XRD） and field emission scanning electron microscopy （FESEM）. The diameter of CuInSe2 nanoparticles with good dispersibility ranges from 10 nm to 20 nm. The band gap of the CulnSe2 nanoparticles is 1.04 eV calculated from the ultraviolet-visible （UV-VIS） spectrum.     

八面体形Cu2O微晶的超声制备与表征

以CuCl2·2H2O、C6H12O6·H2O和NaOH混合溶液为水相,环己烷（C6H12）为油相,正丁醇（C4H9OH）和三甲基十六烷基溴化铵（CTAB）分别作助表面活性剂和表面活性剂,配制成水包油型微乳液体系,通过超声辐照技术,于70℃、100％功率下超声反应1h,成功地合成了具有八面体形状的Cu2O微晶。所得产物的物相、形貌和尺寸可通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（SEM）等手段进行表征。研究显示,CuCl2·2H2O、CTAB的用量及不同的实验方法都对最终产物的形貌产生影响。八面体形的Cu2O微晶还是一种良好的光降解催化剂,在波长254nm的紫外光照射下能很好地降解有机染料吡咯红B。     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

长寿命封离式CuBr激光器

卤化铜激光器给铜蒸汽激光器发展提供了另一种颇具前景的发展途径。卤化铜激光器在比较低的温度下工作，因此它可使用简单的石英管结构，并使达到最佳工作范围的时间明显缩短(短于10分钟)。一些研究工作已经证明，在近似相等工作条件下，CuCl、 CuBr激光器和纯铜激光器的输出特性彼此差别不大。但卤化铜激光器存在寿命过短的问题。     

长寿命密封CuBr激光器

卤化铜激光器是发展铜蒸气激光器的另一种很有前途的途径。这类激光器在低温下运转，只需使用构造简单的石英管，并且大大缩短了达到最隹运转阶段的时间（少于10分钟)。某些研究已经表明，在大致相同的运转条件下，CuCl、CuBr激光器和纯铜激光器的输出特性并无多大差别。但是卤化铜激光器却存在着一个实际问题，即它们的寿命较短。     

用CuCl调制10.6微米的激光辐射

使用有效的CO2激光器时需要10.6微米的调制器。在此波长上用GaAs、ZnTe、CdS和CdTe等作调制试验的结果已有报道。本文叙述用另一种较有前途的材料一氯化亚铜(CuCl)进行的电-光调制。氯化亚铜一直作为可见波段的电光调制材料使用。其宽广的透过波段(从0.4~20微米)指出它能用于10.6微米的光调制。     

Cu/Sb掺杂SnO2纳米晶薄膜的H2S气敏特性

以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明:r(Cu:Sb:Sn)为1:5:100,工作温度为140℃时,薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性,敏感浓度下限可达0.7×10–6。     

激光直接成像技术(Ⅴ)--化学镀Sn和直接覆铜板上的LDI

4 在化学镀锡上的LDI 这是指经制备的在制板铜箔上涂覆上一层厚度为0.8μm的锡箔,接着通过UV激光蚀去不需要的锡镀(涂)层及其底下的铜箔厚度3～5μm所形成的图形,最后以锡层为抗蚀剂进行碱性蚀刻(如常规的碱性CuCl2蚀刻液),便可得到所期望的精细导体图形.     

用于卤化亚铜激光器的双向脉冲放电触发器

以囟化亚铜为工作物质的铜激光器在脉冲放电后,分介出囟素和铜原子。铜的电离电位比较低,在15kHz 连续脉冲放电下容易电离变成正离子铜,它向阴极方向漂移,在靠近阴极的放电管中和阴极附近,和电子复合形成铜原子,并冷凝。在我们研制的 CuCl 激光管中,观察到这种轴向电泳效应:在一只放电长度为500mm 的激光管中,明显地看到沿着轴向气     

黄铜矿结构CuInS_2薄膜的液相可控合成及电学性能表征

以无机盐作为金属源(InCl3、CuCl以及CS2),采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜(厚度约为1.5μm)。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。     

基于电纺纤维的CuO/SnO_2薄膜及其气敏特性

研究了一种基于静电纺丝纳米纤维制备异质结薄膜的方法。采用静电纺丝技术在硅衬底上依次沉积PVP/CuCl2.2H2O和PVP/SnCl4.5H2O纳米纤维,经过氧等离子体刻蚀并高温退火处理后得到了基于多孔纳米纤维的CuO/SnO2异质结薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射技术(XRD)对纤维的形貌和结晶状态进行了表征。电学特性及气敏特性测试结果表明,该异质结薄膜具有明显的整流特性,在100℃的工作温度下,对H2S气体响应和恢复速度快、检测限低、选择性好。     

Cu2O多面体的制备及其气敏性能研究

在碱性条件下,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,CuCl2.H2O为前驱体,维生素C为还原剂,于55℃采用液相回流法制备了氧化亚铜粉体。利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品的组成和形貌进行分析,同时对其进行了NOx气敏性能测试并探讨了其气敏机理。结果表明:所制备的氧化亚铜呈立方相的Cu2O多面体结构,且粒子大小均一,粒径为400~500 nm。该材料在室温下对NOx有较好的气敏响应,对体积分数为9.7×10–5的NOx的灵敏度可达到20.9%,响应时间为10.2 s,是一种很有潜力的气敏材料。