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相似文献
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1.
采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%~65%,w(B2O3)为25%~40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tr,线膨胀系数α1以及电阻率ρ等的影响.结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550~600℃,α1从62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80~200℃,玻璃的ρ为1011~1013Ω·cm.  相似文献   

2.
共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用化学共沉淀法制备zn0压敏电阻器复合添加剂,讨论了新方法对ZnO压敏电阻器电学性能的影响.实验结果证明,合理的共沉淀配方.可以显著提高ZnO压敏电阻器的8/20μs通流能力以及2ms能量耐量值,并且对小电流性能也有部分提高.  相似文献   

3.
复合纳米添加法制备ZnO压敏电阻器   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了一种利用复合纳米添加剂改善ZnO压敏电阻的晶界效应和微观特性,以获得高性能ZnO电阻片的方案,并通过化学共沉淀法制备了多元复合纳米添加剂。实验分析表明,此方案能提高通流50%以上,并能显著改善器件的微观均一性,制得的复合添加剂选择性好,易于实现工业化生产。  相似文献   

4.
对MYD-7K820氧化锌压敏电阻瓷片银电极制备工艺进行了研究,介绍一种快速烧银工艺,不仅可提高生产效率,还有效改善产品可靠性,降低生产成本。  相似文献   

5.
液相法制备ZnO压敏电阻的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用化学共沉淀法和Sol-Gel法制备,ZnO压敏电阻器的部分添加剂粉料,经过成份验证后与其他添加剂和ZnO主料混合制备压敏元件.元件在烧结后,经过热处理和电老练,其性能较传统的固相球磨制备元件提高很多.液相法制备压敏元件,元件内部晶粒大小分布均匀、气孔率低,而经过电老练,气孔再一次减少,因此得到了高性能的ZnO压敏元件.  相似文献   

6.
微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。  相似文献   

7.
以六甲基二硅氧烷为单体,利用高频等离子体在超微细低熔磷酸盐玻璃粉体表面聚合硅氧聚合物包覆薄膜。用水和粉体压片之间的接触角变化表征了等离子体工艺参数对粉体表面能的影响。结果表明改性后粉体配制电子浆料的细度、黏度、流变特性提高显著。改性后可以改变或控制超微细粉体的表面能大小,从而可调节电子浆料的流变性和印刷适性。  相似文献   

8.
采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。  相似文献   

9.
采用溶胶一凝胶(Sol-Gel)法制备了ZnO压敏电阻器的复合纳米添加剂.用该添加剂与ZnO、Sb2O3混合球磨后按传统工艺制备出氧化锌压敏电阻器,对其电性能进行了测试,并对其结果进行了分析.实验结果表明,用Sol-Gel法制备的复合纳米添加剂制成的元件具有粉体掺杂均匀,晶粒粒径小且分布均匀的特点,其电性能也较固相合成工艺有了很大提高.  相似文献   

10.
银/导电陶瓷复合电极浆料导电性的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用银和导电陶瓷(LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3)作复合电极浆料,并研究了复合电极浆料的导电性与导电陶瓷比例及种类的关系。结果发现,复合电极浆料的电阻率随导电陶瓷比例的增加而增大,当LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3两种导电陶瓷的质量分数<15%时,两种复合浆料的导电性均变化不大。SEM观测显示,复合电极浆料制成的电极有很好的烧成表面。  相似文献   

11.
氧化锌压敏电阻器的失效模式   总被引:1,自引:1,他引:0  
在生产和应用中,氧化锌压敏电阻器经常出现的几种失效模式为:与电极层相关的失效,平均功率过应力失效与受潮失效。通过对这些失效现象的进一步分析和研究,掌握了产生这些现象的机理和规律,并可以增加压敏电阻的电极层厚度,降低其电阻;对于34mm×34mm的SPD用电阻片,可用In为15kA作为标称放电电流;受潮失效后的压敏电阻,不会导致电路故障,通过侧面绝缘处理,可防止受潮失效。  相似文献   

12.
多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向   总被引:2,自引:4,他引:2  
基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。  相似文献   

13.
对ZnO压敏电阻器高价Nb掺杂的缺陷模型进行了分析,据此模型对ZnO压敏电阻器的性质进行了讨论。  相似文献   

14.
微波等离子烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用常规微波和微波等离子对比烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻发现:两者均可快速成瓷,烧结时间由常规的20 h减少到45 min;烧结后,ZnO晶粒细小(约1μm)均匀,相比而言,等离子更有利于压敏电阻烧结。45 min等离子烧结后,压敏电阻瓷体密度为5.01 g/cm3,ZnO压敏电阻中已有尖晶石相(Zn7Sb2O12)生成,烧结时瓷体收缩均匀,漏电流小,但稳定度差。采用“液相掺杂”可以提高压敏电阻在微波等离子烧结后的电性能稳定度,液相加入比例范围为5%~15%。  相似文献   

15.
影响氧化锌压敏瓷喷雾造粒粉体性能的因素   总被引:7,自引:0,他引:7  
采用喷雾造粒技术制备氧化锌压敏电阻用粉体,其料浆的组成、造粒机的使用条件等因素对颗粒性能均有直接影响。  相似文献   

16.
ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术   总被引:4,自引:2,他引:4  
论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法,讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果表明,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比,并可降低烧结温度和成本,有广阔的推广应用价值。  相似文献   

17.
陈后胜  岳辉 《电子器件》1998,21(3):153-156
本文从含TiO2低压压敏材料入手,研究了HNO3处理及热处理工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响,并讨论了交流冲击下的电压稳定性,通过处理,其非线性系数a上升,漏电流IL下降,尤其耐冲击能力大有改观。  相似文献   

18.
氧化锌压敏电阻的湿式化学合成法   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了氧化锌压敏电阻的特性、用途及国内外用各种湿式化学合成技术制备氧化锌压敏电阻的原理及方法。  相似文献   

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