高性能高压功率MOSFET

超结型MDmeshV系列功率MOSFET晶体管拥有极低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;新产品STW88N65M5MDmeshVMOSFET又将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

高性能、低价位的新型数字信号控制器

德州仪器(TI)公司目前推出三款应用于控制市场、性价组合极佳的基于快闪的新型数字信号控制器TMS320F2801、TMS320F2806以及TMS320F2808.该系列产品将DSP超众的性能与微处理器的易用性及外设集成能力整合在一起,满足了嵌入式控制产品开发商开发创新产品时对系统复杂性的要求.     

高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

提供高性能和可靠性的DirectFET功率MOSFET技术

随着每一代新处理器的出现，对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高：为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求，此类同步降压变换器已经发展成为复杂的高频多相解决方案。现在的许多应用中，工作电流可超过100A。因此．设计人员必须处理前所未有的且仍在不断增长的大电流和功率密度．同时还必须满足不     

VHF高压双栅功率MOSFET的研制

采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计,给出了计算机数值分析结果。     

高性能低价位的家庭主音箱

随着人们物质文化生活水平的不断提高,各种视听器材在家庭得以普及。而有些发烧友为了追求音乐享受和满足自己的不同需要,热衷于动手制作各种器材。本文为此介绍一款适合工薪阶层制作的性能     

新型高压半超结功率MOSFET的优化设计

给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化.借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法.通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为32 mΩ*cm2的半超结结构.结果表明在不增加外延次数,工艺成本和难度的情况下,深宽比为5半超结MOS的特征导通电阻比VDMOS的下降了64%,比超结MOS的下降了8%.     

高性能薄型MOSFET

编号为FDME和FDFME的MicroFET MOSFET产品采用超紧凑、薄型（1．6mm×1．6mm×0．55mm）封装,可满足便携产品设计人员对效率更高、外形更小更薄器件的需求。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,     

功率MOSFET发展趋势

近年来，节能成为电源技术的主旋律，如何降低功耗也是功率分立半导体发展的主要驱动力。就功率MOSFET而言，供应商主要通过降低导通电阻和开发新的封装形式来满足新的需求。改进MOSFET性能的关键因素是改善栅极电荷、降低导通阻值RDS(on)，并通过创新封装技术增加单位电流密度。飞兆在开发诸如功率BGA和FLMP(倒装引脚铸模封装)等创新封装技术上已取得实质成果。     

超结型高压功率MOSFET结构工作原理

目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型（Super Junction）两种常用的结构。早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,     

9款汽车级功率MOSFET：功率MOSFET

意法半导体推出9款全新汽车级功率MOSFET,是STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,适合汽车应用,还可提高其他应用的电源和驱动器的能效。     

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP扫描驱动电路的高压功率LDPMOS和VDNMOS功率器件结构,此结构可用BCD工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V.     

功率MOSFET的优化设计

我们提出了一种垂直双扩散功率MOS(VDMOS)晶体管的导通电阻模型,着重于讨论单元版图的优化设计和验证实验数据。采用六种不同的网格状单元图形(包括正方形单元和六角形单元)中的任何一种结构,基本上都能得到同样的最小导通电阻R_(ono)特别是当各单元的p阱宽度相同且阱的面积与单元面积之比也相同时,各种网格状单元图形的导通电阻差不多是完全相同的。除非通过巧妙的设计使条状单元的阱的宽度比网格状单元的小1.6倍,否则在一般情况下,网格状单元的R_(on)比条状的低,我们用设计例子和实验来说明简单的优化步骤,首先选择与生产工艺相适应的最小的p阱宽度和深度,然后找出p阱间的最佳间隔距离。     

功率MOSFET的新进展

一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。     

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。