元器件快讯

IR推出全新30V功率MOSFET功率半导体国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ，简称ＩＲ）推出ＩＲＬＲ７８３３及ＩＲＬＲ７８２１两款ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,这两款器件以最新的条形沟槽（Ｓｔｒｉｐｅ -ｔｒｅｎｃｈ）技术设计 ,成为Ｄ -Ｐａｋ封装市场上通态电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））最低的３０ＶＭＯＳ ＦＥＴ。现同类直流 -直流变换器ＭＯＳＦＥＴ相比 ,它们能将效率提升高达２．５ %或节省多达２５ %的元件数目。两款新器件专为同步降压变换电路而设计 ,适用于服务器、台式和笔记本电脑 ,以及网络和…     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

业界风云

ＩＲ宣布ＤＣ－ＤＣ转换新技术 国际整流器公司（ＩＲ）最新推出的功率半导体,可在三个主要领域强化直流－直流应用系统性能：首先,用于新一代电信及网络功率管理的ＩＲ１ １７６同步整流集成电路,配合新型ＩＲＦ７８２２ ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,使４８Ｖ输入／１．５Ｖ隔离输出变换器能在４０Ａ全负载环境下,达到８５％的效率水平。该芯片组可简化宽频网的低压、大电流输出ＤＣ－ＤＣ转换器设计,实现更高的效率和更佳的成本效益。其次,用于隔离及非隔离（降压）同步ＤＣ－ＤＣ变换器的３０ＶＨＥＸＦＥＴＭＯＳＦＥＴ,比业…     

飞兆半导体推出新型MOSFET

飞兆半导体公司 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出七种新型高压平面型ＭＯＳＦＥＴ ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (ＳＭＰＳ)和ＤＣ/ＤＣ转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体ＴＯ 2 2 0封装 5 0 0ＶＦＱＰ18Ｎ 5 0Ｖ2为例 ,其ＦＯＭ较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0ＶＦＱＤ18Ｎ2 0Ｖ2采用Ｄ ＰＡＫ封装 ,其ＦＯＭ (ＲＤＳ(ＯＮ)…     

IR新型20VHEXFET MOSFET

国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ,ＩＲ）推出两种新型２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,可提高１２Ｖ输入直流／直流变换器效率４ %。新的ＩＲＦ３７１１和ＩＲＦ３７０４系列专用于多相降压变换器 ,为新一代ＧＨｚ级微处理器电源元件。新元件的门电荷（Ｑｇ）和输出电容（Ｃｏｓｓ）都得到优化。２０ＶＩＲＦ３７１１系列实现了同步场效应管最佳性能 ,而２０ＶＩＲＦ３７０４系列则实现了控制场效应管最佳性能。IR新型20VHEXFET MOSFET     

产品之窗

半导体和ＩＣ节省２０％元件数的ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件查询号１６９ＩＲＶＲＭ２ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件包括集成补偿回路，内部上拉电阻器和２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ，它可节省２０％的元件数。适用于２３３～２６６ＭＨｚ处理器套件的ＭＯＳＦＥＴ...     

美国快捷半导体有限公司推出20V P-Channel MOSFET

美国快捷（ＦＡＩＲＣＨＩＬＤ）半导体有限公司最近推出了专用于可携式应用市场的额定值为８Ｖ和１２Ｖ ＶＧｓ的２０Ｖ Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ系列产品，从而设立了新的表面安装型产品的低导通电阻标准。该器件可保证最大的Ｒ。导通额定值达１．８Ｖ Ｇｓ，适用于低电压转换，而无需附加所有８Ｖ门源电压器件需要的推进电路。新器件还具有出众的功率管理功能，用于蜂巢式电话系统，可使电话通话时间和便携式设备中的电池使用时间延长。据悉，该公司目前对中国市场极为重视，已在上海和深圳设立办事处，设在无锡的生产基地已具备了研发和生产…     

IR推出FlipFET(tm)功率MOSFET

国际整流公司（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ,简称ＩＲ）推出专用 ＦｌｉｐＦＥＴ（ｔｍ）功率ＭＯＳＦＥＴ器件,所有管脚均位于芯片的同一侧．开创了新一代芯片级封装超精巧功率结构。崭新的功率ＭＯＳＦＥＴ可实现１００％的硅／面积比,特别适合窝电话等空间有限的便反作用式应用系统。 如今,有许多蜂窝电话的智能锂电池组采用双ＳＯ－８ ＭＯＳＦＥＴ。 ＦｌｉｐＦＥＴ技术可大大减少路尺寸,因而能在相同体积的电池组中,将标准锂电池的３小时时通话时间延长半小时,相当于电池容量增加近２０％。 随着第三代因特网多…     

小型荧光灯用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

１主要特点随着全球节能技术的提高 ,小型荧光灯市场的发展非常迅猛。在众多的低成本解决方案中 ,用户通常选用简单的自振荡电路 ,而这些电路一般都采用ＳＴＢＶ或ＢＵＬ系列等功率双极型器件。在采用如Ｌ６５６９驱动器的应用中 ,选用ＭＯＳＦＥＴ是一个十分有效的解决方案。为此 ,ＳＴ公司专门推出了用于小型荧光灯的４００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴＳＴＳ１ＤＮＣ４０和ＳＴＱ１ＮＣ４０ ,这两种器件与传统器件相比 ,具有高效、低成本的优点 ,同时不影响产品的性能或使用寿命。另外 ,由于ＮＣ系列硅效率的提高和ＮＣ系列 (ＰｗｅｒＭＥＳＨ)上…     

一种新型p阱NMOS功率集成电路制作技术

提出一种新型的ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术，理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳ ＦＥＴ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成，实验结果表明，利用该技术获得的器件结构具有良好的击穿特性。     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

IR4007开关模式电源IC

ＩＲ公司推出的ＩＲ４００７芯片是一种将电压、电流控制与ＭＯＳＦＥＴ集成在一起的开关模式电源集成电路。该芯片具有２００Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ开关电源和０４Ω的Ｒｄｓ(ｏｎ）,因而可提供高效的功率转换,减少损耗,采用ＴＯ-２６２（５脚)封装。ＩＲ４００７有两种工作模式:准谐振模式和脉冲占空比控制模式。前者适用于负载电流变化较小的电路;后者多用于需要小电流或功率可调的电路。这路开关模式电源ＩＣ首先对电路的电流进行控制,其次对电压控制,具有过压、过流和温度保护功能。另外,拥有其它同类产品所不具备的完全雪崩功能。在电信系…     

全新Co-Pack IGBT器件

ＩＲ推出全新Ｍ系列６００Ｖ定位可短路Ｃｏ -ＰａｃｋＩＧＢＴ／ＦＲＥＤ器件。该器件的饱和压降（ＶＣＥ（ｏｎ））比上一代定位可短路器件低１８ % ,在５０ %的循环工作状态暂载率下 ,由于该器件的饱和压降比较低 ,因而可降低多达２５ %的传导损耗 ,同时有助于缩小散热器体积 ,以实现更精巧、更具成本效益的设计。另外 ,还可以在电路出现故障或非常规操作时保护器件 ,以增强电机驱动器的稳定性。该Ｍ系列Ｃｏ-ＰａｃｋＩＧＢＴ包括ＩＲＧ４ＢＣ１５ＭＤ、ＩＲＧ４ＢＣ２０ＭＤ及ＩＲＧＢＣ２０ＭＤ -Ｓ等型号 ,在１００℃时可提供至１．…     

MOS栅极驱动器IR2155及其在电子镇流器中的应用

ＭＯＳ栅极驱动器ＩＲ２１５５及其在电子镇流器中的应用西安理工大学周晓军一、ＩＲ２１５５的结构和功能ＩＲ２１５５是一种高压快速自振荡功率ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动器，采用８脚ＤＩＰ封装，如图１所示。内部功能框图如图２所示。在ＶＣＣ脚和ＣＯＭ脚之间有一只...     

5.5瓦AC适配器

具有通用输入（８５－２６５Ｖ ＡＣ）的 ５．５Ｗ（９Ｖ,０．６Ａ） ＡＣ：适配器电路示于图１。此适配器的关键元件是ＴＮＹ２５６（ＴｉｎｙＳｗｉｔｃｈ）控制器,它把高电压功率ＭＯＳＦＥＴ（７００Ｖ）开关与电源控制器组合在一个器件中。它不像通常的ＰＷＭ（脉宽调制）控制器那样,采用简单的ＯＮ／ＯＦＦ（开／关）控制来调整输出电压。ＴＮＹ２５６控制器由一个振荡器、使能（感测和逻辑）电路、５．８Ｖ稳压器、旁路端欠压电路、过温保护、限流电路、前沿消隐和一个７００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴ组成。ＴＮＹ２５６包括用于线路欠…     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

具有低R_(DS(ON))和低删极电压的20V MOSFET器件

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出适合低压ＤＣ ＤＣ转换器应用的ＦＤＳ6 5 72Ａ及ＦＤＳ6 5 4 74ＡＮ沟道 2 0ＶＭＯＳＦＥＴ。这些 2 0Ｖ器件是用于替代负载端 (ＰＯＬ)电源及其他低压电源管理应用中的 30ＶＭＯＳ器件的 ,特别是那些要求低删极驱动电压的场合。ＦＤＳ6 5 72Ａ/ 6 5 74Ａ是采用新生产工艺制造的首个 2 0Ｖ器件 ,它的ＲＤＳ(ＯＮ) 值较具有相同或稍小尺寸晶片的普通 30ＶＭＯＳ管要低。ＦＤＳ6 5 74Ａ和ＦＤＳ6 5 72Ａ的阀值电压 (Ｖｔｈ)分别仅为 0 .6Ｖ和0 .8Ｖ ,可在删极电压极低的情况下…     

新型SPM系列产品

飞兆半导体公司（ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，快捷半导体）推出一系列采用紧凑ＤＩＰ封装的新型ＳＰＭ（智能功率模块）系列产品，该产品可提供完整的变速马达控制功能 ,并为ＡＣ马达提供完整集成的电路保护功能 ,适用于洗衣机和空调等家用电器。该器件仅需一半的线路板空间即可提供低压控制和高压输出 ,２３０Ｖａｃ时电流达１０～２０Ａ。ＤＩＰ -ＳＰＭ采用小型（６０×３１ｍｍ）、陶瓷基座浇铸型封装 ,因此可改善来自ＩＧＢＴ的热传递 ,同时具有比传统ＴＯ -２２０Ｆ封装高２７%的额定功率。其内置的高速高压控制…     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…