电路板与模块

IDT新型DDR2产品Integrated Device Technology公司推出多款DDR2-667寄存器双列直插存储器模块(R-DIMM)。新产品包括系列锁相环路(PLL)时钟驱动器和寄存器产品,以及DDR2-667MHz寄存器验证板(RVB)。IDT的DDR2产品系列支持新的高性能速度等级标准,扩展了其业界领先优势,为用户提供了完整的DIMM产品和测试平台。R-DIMM的典型应用包括工作站、服务器、存储设备和诸如路由器的电信产品。DDR2-667RVB是IDTJEDEC验证任务组为满足当前JEDEC标准所规定的严格工业要求的元件性能而设计的。新的DDR2寄存器和PLL产品能处理…     

高价、高性能创见256MB DDR333内存

内存市场最为抢眼的是DDR内存,DDR内存本身倍频快速地发展,导致了SDRAM内存在市场上给人一种节节败退的感觉.在大家刚刚熟悉DDR266内存的时候,DDR333、DDR400内存又火速登场,让人觉得应接不暇.这次的采购特集中收集了不少的DDR333、DDR400内存产品,这就是其中一款,此款产品是由创见科技推出的创见256MB DDR333内存.     

DDR2-新主流内存标准

目前PC市场，主要使用的内存是DDR1，其中以DDR333和DDR400为最主流的产品。预期在今年年中时，DDR2的内存将被使用在服务器、工作站以及PC市场中(见图1)。英特尔公司和英飞凌等DRAM内存的主要供应商将成为DDR2技术的主要推动者，这种转变主要是为了适应更高速度的需     

IDT推出DDR3内存模块温度传感器,进一步扩展云计算产品组合

IDT公司推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘（SSD）和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了IDT的PCI Express、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品,从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。     

新闻

Pmi DDR 400内存问世 有着“终身保固”之称的著名内存品牌Pmi推出了支持DDR400标准的全新内存产品,为迎接即将到来的DDR400芯片组主板上市热潮做好充分的准备。本次推出的DDR400内存包括128MB、256MB和512MB等多种容量,可以满足不同用户的使用需求。另外,购买Pmi DDR400内存的用户还可以通过刮开内存上的防伪标志,以打电话、上网查询等多种方式直接辨别其所购买产品的真伪,最大限度保护了消费者的合法权益。     

新一代内存的新选择

<正>亿能DDR3带来省电及高性能内存全球内存领导供货商奇梦达公司(NYSE:QI)旗下的渠道和零售内存品牌亿能(Aeneon)推出了新一代的内存产品DDR3系列产品。其中,亿能DDR3 SO-DIMMs为业界首批基于英特尔迅驰2代处理器技术的DDR3笔记本电脑提供省电和高性能支撑。     

亿能为笔记本电脑推出DDR3 SO-DIMMs省电型高性能内存产品

奇梦达公司旗下的内存品牌商亿能（Aeneon）日前推出新一代的内存产品DDR3 SO-DIMMs（小型双重内嵌式内存模块）。该产品为业界首批基于英特尔迅驰2代处理器技术的DDR3笔记本电脑提供省电和高性能支撑。     

DDR3内存加速3D游戏

在DDR2称雄市场一年半之后,新一代的内存技术——DDR3替代DDR2内存的历史进程正式开始。作为DDR(Double Data Rate)类型DRAM内存的第三代产品,DDR3在PC领域几乎没有挑战者,它可以顺利地与Intel P35 Express芯     

DDR3 DIMM插座：存储器模块插座

Molex公司推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM存储器模块捅座产品组合，两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。     

DRAM和闪存芯片价格反弹上涨趋势可望持续到9月

制造商和供应商表示．内存产品的合约价格．如DDR、DDR2．SDRAM和NAND闪存在7月出现反弹。256Mb的DDR－400合约价格上涨了23％．达到22美元．而512Mb的DDR－400／333／266内存价格上升3．3％．达到44美元；几家DRAM制造商表示．由于季节性需求强劲，价格向上的趋势可能会一直保持到9月份。     

比拼

DDR作为一个产品标准已经炒作了很长时间,这次我们收到了胜创科技(KingMax)送来的一条DDR和一条SDRAM,容量都是128MB。我们终于有机会使用同一厂商的产品测试它们之间的     

DDR3的技术介绍及PCB设计实例

DDR3是一种计算机的内存规格,是属于SDRAM家族的内存产品。2002年6月份,JEDEC就对外宣布开始开发DDR3内存标准,直到2008年才替代DDR2成为市场上的主流产品。DDR3在DDR2的基础上做出的主要改进有:起始逻辑Bank为8个;封装引脚方面有所增加;节省了20%的功耗;工作频率更高;通用性好等。     

DDR2缓慢成长

DDR2 成熟尚需耐心等待 按照Intel 的计划,2004 年应至少推出 5 种支持DDR2　SDRAM 存储技术的芯片组。目前已经推出了支持 D D R 2 　 S D R A M 存储器的芯片组——Grantsdale、Alderwood 和Tumwater,它们分别用于台式机、工作站和服务器。而另外两款DDR2 芯片组——Linenhurst 和Alviso,它们分别用于服务器和移动系统的DDR2 产品,目前还杳无音信,其中Alviso 芯片组的发布已经确定被推迟到 2005 年初 Intel 平台存储业务开发经理 Geof　Findley 表示,关于DDR2 技术,Intel 已认可了三星、美光、英飞凌、Hynix 和Elpida …     

三星量产20hm级DDR4超高速内存模块

三星电子表示已开始量产超高速内存——20nm级16GBDDR4模块,并计划加快进军企业服务器市场的步伐。20nm级16GBDDR4DRAM产品体积世界最小,最高处理速度可达2667Mb／s,和DDR3DRAM相比,耗电量减少30％以上,速度提高1．25倍。三星预计,随着DDR4的量产,市场上的企业服务器也将迅速由DDR3替换成低耗电高性能的DDR4。     

Cadence宣布业内首个DDR4 Design IP解决方案在28纳米级芯片上得到验证

Cadence公司日前宣布,Cadence DDR4S DRAM PHY和存储控制器Design IP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。为了扩大在动态随机存取存储器(DRAM)接口IP技术上的领先地位,Cadence在DDR4标准高级草案的基础上,承担并定制了多款28纳米级晶片DDR PHY和控制器的IP。     

皇朝I845 P4A845S主板

由于威盛力推DDR标准,同时INTEL向RAMBUS公司缴纳高额的内存系统的专利费,从而导致其主板芯片的价格高居不下。因此很多主板厂商都开始追随威盛的DDR标准。在此情况下INTEL推出了过渡性产品—I845主板芯片组。此款芯片组使P4系统开始支持SDRAM和DDR内存。这样既降低了成本,又可以冲击老对手威盛在DDR领头羊的地位。     

台基I845主板845S-A7

由于威盛力推DDR标准,同时INTEL向RAMBUS公司交缴纳高额的内存系统的专利费,从而导致其主板芯片的价格高居不下。因此很多主板厂商都开始追随威盛的DDR标准。在此情况下INTEL推出了过渡性产品—I845主板芯片组。此款芯片组使P4系统开始支持SDRAM和DDR内存。这样既降低了成本,又可以冲击老对手威盛在DDR领头羊的地位。     

安森美推出多种SOT-723平引脚封装器件

IDT日前宣布推出多款DDR2—667寄存器双列直插存储器模块(R—DIMM)新产品。新产品包括一系列锁相环路(PLL)时钟驱动器和寄存器产品，以及DDR2—667MHz寄存器验证板(RVB)。     

16GB DDR3模块

韩国三星电子推出高密度存储器模块，它是基于该公司的2Gb 50nm的DDR3。此次推出的18种基于DDR3的高密度高性能模块，主要用于服务器。这些产品包括16GBRIMM模块和一个8GB RDIMM模块。     

基于FPGA的DDR3内存控制器的设计

随着DDR3内存的广泛应用以及技术的不断发展,不同的DDR3内存之间速度差异逐渐减小,针对DDR3控制器的研究已成为当前计算机领域关注的焦点。Altera在外部存储器方面提出一系列的解决方案,这些方案涵盖了从高性能DDR3到低功耗DDR的每种应用[2]。Altera FPGA通过外部存储器IP来提高存储器性能,它包括PHY和控制器。设计人员可以选择Quartus II软件所列出的默认存储器解决方案,根据存储器要求选择最佳PHY和控制器IP,也可以选择定制存储器接口。因此,使用Altera公司开发出的FPGA产品进行DDR3内存控制器的设计是一种很理想的选择。