IR推出优化版车用DirectFET2功率MOSFET芯片组

国际整流器公司日前推出了一款优化版车用DirectFET2功率MOSFET芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用.新型40V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736 M2MOSFET,有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗.这些器件也可用于更普遍的重...     

IR推出优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组

IR推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。新型40 V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET,有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用,如泵和风扇的变频驱动器,以及替代接线盒应用中的继电器。     

AUIRL7732S2／7736M2：功率MOSFET

国际整流器公司推出了一款优化版车用DirectFET2功率MOSFET芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的DC／DC应用。     

FDS6298：30V同步降压芯片组

飞兆半导体公司推出同步降压转换器芯片组，设计采用最新的IMVP(英特尔移动电压定位)技术规范，在笔记本电脑中优化了效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术，高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此     

电源管理

IR推出新型160A D2Pak MOSFET,高效照相闪光灯电容充电器,高通增加电源管理芯片组产品,ANADIGICS拓展HELPWCDMA功率放大器系列。     

IR针对高频率DC-DC开关应用新推25V DirectFET芯片组

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

25VDirectFET芯片组为高频率DC—DC开关应用带来业界领先效率

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

通用集成电路

882003.10/下半月 www.eepw.com.cnIR超小型优化DirectFET MOSFET芯片组国际整流器公司(IR)推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(RDS(on))为8.5毫欧,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积比标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高…     

IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了IRF6708S2和IRF6728M 30 V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19 V输入同步降压应用(如笔记本电脑)而设计。     

分立器件

IRF6646/35：DirectFET MOSFET芯片组,HSMF-C114：0.35mm顶部发光三色LED     

30V同步降压芯片组在IMVP4/6 VCORE设计中优化效率和空间

飞兆半导体公司推出同步降压转换器芯片组,其设计特别利用最新的IMVP技术规范,在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrenchMOSFET技术,高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)会构成一个芯片组,为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外,FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术无须使用外部肖特基二极管,因此能节省电路板空间和装配成本。这种集成芯片组的米勒电荷(Miller)Qgd极低,并具有快速的开关速度和小于1的Qgd/Qgs比,以限制交叉导通损耗的可能性。除了Vcore设计…     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

IR推出DirectFET MOSFET芯片组专为注重成本的DC-DC应用而设计

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出了IRF6708S2和IRF6728M30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用（如笔记本电脑）而设计。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少部件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。     

新产品新技术

功率半导体专家国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出突破性表面贴装功率MOSFET封装技术——DirectFET(双侧直焊)功率封装。它是为高效顶侧冷却而设计的首个SO-8占位的表面贴装封装。 全新封装结合经改善的底侧冷却技术,与SO-8型解决方案相比,可作双面冷却,减少多达60％的MOSFET元件数目,并缩减多达50％的主板空间,从而有效地将电流密度(A/in2)提高一倍。 双面冷却的 DirectFET 芯片组结合一对 MOSFET,     

放大器用集成保护式D类音频芯片组

国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）推出采用IRS2092集成式音频驱动器IC的芯片组。具有保护式脉宽调制（PWM）开关和IR完整的数字音频MOSFET等特性。该芯片组主要针对从50W至500W的中功率、高性能D类音频放大器应用。例如家庭影院、家庭立体声音响、有源扬声器、乐器和专业音频应用等。     

同步降压转换器中的短路现象分析与解决方案

同步降压电路被广泛应用，为CPU、芯片组、外设等提供针对“工作点”的高电流、低电压供电。在同步降压转换器中，功率电路中具有为电感充电的“高边”(图1中的Q1)MOSFET，以及为电感电流提供低损耗续流通道的“低边”MOSFET，替代常规降压调节器的续流二极管。短路 (Shoot-through)是指两个MOSFET同时完全或部分导通时，VIN至GND间有短路电流通过的情况。为了将短路减至最少，同步降压调节器IC通常采用以下两种方法来确保Q1和Q2按照“先开后合”的步骤操作，以减少短路的情况。 固定“死区时间”：一个MOSFET断开，在一个…     

飞兆半导体的30V同步降压芯片组

在IMVP4/6VCORE设计中优化效率和空间飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出同步降压转换器芯片组,其设计特别利用最新的IMVP(英特尔移动电压定位)技术规范,在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrenchMOSFET技术,高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)会构成一个芯片组,为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外,FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术毋须使用外部肖特基二极管,因此能节省电路板空间和装配成本。在同步降压转换器应用中,性能通常由效率来衡…     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

基于UC3724／25的功率MOSFET驱动电路的设计和研究

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／3725的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。     

基于UC3724／25的功率MOSFET驱动电路的设计和研究

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／3725的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验，实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。