电喷涂离子交换树脂薄衬垫层制备4π薄膜源

本文把两根医用皮下注射针头锡焊在普通的圆珠笔铜头上,加上几千伏直流高压,使阴、阳离子交换树脂酒精悬浮液在圆珠笔铜头中混合,并喷涂在金属化的VYNS薄膜上、形成树脂的薄衬垫层,制备了高计数效率、重复性较好的4π薄膜源。在电喷涂时,将喷头垂直向上,克服了最初一滴液体喷到薄膜上引起的树脂堆叠现象,从而改善了树脂分布的均匀性。用此法制备了~(60)Co、~(95)Zr、~(95)Nb、~(99)Mo、~(144)Ce-~(144)Pr、~(147)Nd和~(153)Sm薄膜源,均能满足高准确度的绝对测量的要求。     

用VYNS胶体溶液制备4πβ薄膜源

在制备4πβ薄膜源的过程中,将硅胶溶液与放射性溶液混合可以明显地改善源的均匀性。J.S.Merritt等用新鲜配制的1:10~4硅胶水溶液制备了~(60)Co等源,得到了较好的结果。我们向VYNS丙酮溶液加入适量的酒精(或水),制备了VYNS胶体溶液。在放射性液滴中加入这件胶体溶液,制得了计数效率高,重复性好的4πβ薄膜源。     

多阴极金属等离子体源的特性及应用研究

设计了一种新型的多阴极金属等离子体源,对离子流分布均匀性、导管偏压和约束磁场电流进行了测试和优化.采用该装置制备了TiAlSiN多元复合薄膜,利用EDX、XRD、XPS和纳米探针对薄膜的组成、微结构和力学性能进行测试分析.结果表明,该装置可成功地制备复合薄膜,合成的薄膜具有n-TiAlN/a-Si3N4复合结构,具有高...     

四种源托材料~(241)Am薄源的制备及简便测量

将镀金的VYNS膜,分别套在有机玻璃片,不锈钢片、玻璃片及紫铜环上,采用电喷涂法,电喷涂硅溶胶源衬垫,制备了四种不同材料的~(241)Am薄源。分别采用α-γ符合法,2π栅网电离室法测量放射性绝对强度、材料的反散射系数及能量半宽度分辨率。结果表明,由于有机玻璃源刚性好,几何形状规则,反散射系数小,致据的精度及分辨率都达到令人满意的要求。它与通常采用的VYNS薄源相比,具有机械加工简单、成本低、不     

~(57)Co放射性标准溶液制备及活度测量

选用~(56)Fe(d,n)~(57)Co和~(57)Fe(d,2n)~(57)Co两个核反应,采用能量为8.7MeV氘核辐照电镀在铜片上的天然铁靶来制备~(57)Co,采用TBP-苯萃取和阳离子交换联合法分离纯化~(57)Co,得到的~(57)Co溶液的纯度用高纯锗γ谱仪鉴定,γ杂质含量小于0.2％。用电喷涂法在金属化的VYNS薄膜上电喷涂硅胶悬浮液形成衬垫层,称重制源,在高气压4πβ-γ符合装置上,对     

一个简便的电喷射制备4π薄膜源的装置

一、前言为了制备自吸收小、吸附均匀、β粒子计数效率高的4π薄膜源,电喷射制源技术近二十多年发展很快。但迄今为止,所看到的都是采用10000伏高压电源装置电喷射制源,因此,电喷射制源技术受到了很大限制。能否在普通的高压电源(3500伏或3000伏)     

金属化有机膜制备方法的研究

计算了真空蒸发制备薄膜时造成衬底温度升高的热量－蒸发源的辐射热和沉积时的冷凝热。总结了制备金属化有机膜时防止衬底软化的各种方法，包括提高蒸发距离，降低沉积率，减少蒸发源尺寸和采用挡板等。     

离子束辅助沉积制备TiN/Si3N4纳米超硬膜的工艺研究

采用离子束辅助沉积法(Ion beam assisted deposition,IBAD)在单晶硅片上进行沉积制备了TiN/Si3N4纳米复合超硬薄膜;研究了辅助束流、轰击能量和Ti:Si靶面积比等工艺参数对TiN/Si3N4超硬纳米复合薄膜性能的影响.此外采用纳米硬度计、光电子能谱(X-ray photoelectron spectrum,XPS)和x射线衍射分析(X-raydiffraction,XRD)方法研究了纳米复合薄膜的性能、成分与组织结构;采用原子力显微镜(Atomic forcemicroscopy,AFM)分析了薄膜的表面形貌,并初步探讨了TiN/Si3N4纳米复合超硬薄膜的生长机理.     

TiO2薄膜的制备及光催化活性研究

采用溶胶-凝胶法以浸渍提拉方式在玻璃管上制备了TiO2薄膜，制得的TiO2薄膜均匀、结实，催化活性好。利用此薄膜对庚烷进行气相光催化降解，结果表明：TiO2薄膜的光催化活性随焙烧温度降低而升高，300℃制备的薄膜的光催化活性较好。在此温度下制备的薄膜，光催化活性随着负载层数的增加逐渐增加。薄膜稳定性好，长期放置和反复使用光催化活性基本不降低。利用该薄膜还对丙酮、苯、甲苯和1，2-二氯乙烷进行了气相光催化降解，结果表明：苯和甲苯降解比较缓慢，而丙酮和1，2-二氯乙烷则与庚烷相似，很快降解并生成近似化学计量比的二氧化碳。     

感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究

采用感应耦合等离子体源(ICPS)成功地实现化学气相沉积硬质类金刚石(DLC)膜,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜,并且在相对较低的基片负偏压条件就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。     

感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究

采用感应耦合等离子体源 (ICPS)成功地实现了化学气相沉积硬质类金刚石 (DLC)膜 ,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜 ,并且在相对较低的基片负偏压条件下就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。     

182Taγ射线发射概率的测定

182Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一.本工作通过反应堆活化得到了182Ta放射源,制备了VYNS薄膜源.活度由4πβ 4πγ计数相加装置绝对测量,γ射线的发射率由已刻度效率曲线的HPGe探测器测量,从而得到了γ射线绝对发射概率,不确定度为0.6～1.5%.     

自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为3～4 μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用.制备过程中,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响.本工作研究采用次级离子质谱(SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响.     

具有高激光损伤阈值的光栅分光薄膜

为惯性约束聚变(ICF)实验中利用光栅分光特性间接探测激光功率研究,制备具有高激光损伤阈值的光栅分光ZrO2薄膜.采用水热法制备纳米ZrO2溶胶,在80～100 ℃下,以20 m/min速度涂敷制备出厚1～2 μm、折射率为1.57～1.70、表面粗糙度2.3 nm、激光损伤阈值为25～30 J/cm2(1 ns,1.06 μm)的ZrO2薄膜.采用Ar 激光器双光束干涉曝光技术制备光栅掩膜板,光栅周期为1～2 μm,深度70～100 nm.通过电镀工艺将光栅结构转移至镍板上,经连续模压,最终制备出光栅分光ZrO2薄膜.分析了光栅周期、模压深度及薄膜折射率等因素对光栅一级衍射效率的影响.制备出的光栅分光ZrO2薄膜有望用于高功率激光测量.     

125I薄膜源的研制

通过各种实验条件研究了耐辐射高分子固化工艺制备＾１２５Ｉ薄膜源的方法,并利用此方法制成了＾１２５Ｉ眼巩膜敷贴器的源芯。     

~(57)Co放射性标准溶液制备及活度测量

选用~(56)Fe(d,n)~(57)Co和~(57)Fe(d,2n)~(57)Co两个核反应,采用能量为8.7MeV氘核辐照电镀在铜片上的天然铁靶来制备~(57)Co,采用TBP-苯萃取和阳离子交换联合法分离纯化~(57)Co,得到的~(57)Co溶液的纯度用高纯锗γ谱仪鉴定,γ杂质含量小于0.2％。用电喷涂法在金属化的VYNS薄膜上电喷涂硅胶悬浮液形成衬垫层,称重制源,在高气压4πβ-γ符合装置上,对不同的工作气压和坪曲线的工作电压对测量的影响进行了研究。最后,在选定的条件下,用改变甄别阈的方法来进行效率外推,准确测定了~(57)Co溶液的比活度值,测定的总不确定度为±1.2％(3σ),通过国内比对证明,该溶液是均匀稳定的,定值准确可靠。     

电喷涂硅胶薄层底衬制备4πβ薄膜源

引言为了制得高计数效率的4πβ薄膜源,除了尽量减小源斑上固体物质的含量外,还必须控制源斑上晶体粒子大小(一般小于1微米)并均匀地分布于源上。为此,洛温撒尔(G.C.Lowenthal)用电喷涂阴,阳离子交换树脂到金属化的VYNS薄膜上制成薄树脂底     

离子镀膜法制备铀薄膜的表征

研究了离子镀膜法制备铀薄膜的性质,可为改善薄膜性能、完善过程模型、优化制备参数和提高制备效率提供依据。本工作通过扫描电子显微镜和X射线衍射分别测量了离子镀膜法制备铀薄膜的表面形貌和物相结构,通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱结合Ar+溅射深度剖析,对离子镀膜法制备铀薄膜的元素成分、化学形态及纵深方向的分布进行了分析。分析结果表明:制备的铀薄膜在基体上分布连续,主要物相为CaF2类型面心结构UO2,主要形态为UO2、金属U和FeUO4化合物。     

用于放射性核素活度测量的高效γ射线探测系统

井型 NaI(T1)闪烁探测器用作γ核素活度绝对测量,具有探测效率高、位置依赖性小等优点。除了能精确测定简单衰变纲图的γ核素活度外,还可确定复杂衰变纲图γ核素的活度,以及进行混合核素的分析,总不确定度可达0.1%。这种探测器对于点源、体源、厚源、溶液源等均可测量。避免了4πβ-γ符合法测量时制备专用薄膜源的困难,大大缩短了测量周期。     

大气环境中溶剂添加剂对制备钙钛矿薄膜的影响

钙钛矿太阳能电池中有机-无机杂化钙钛矿薄膜的品质很大程度上决定了其器件效率。作为简单有效的制备方法,近几年一步溶液旋涂法不断改进工艺,迅速广泛应用于高质量钙钛矿薄膜的制备,其中在前驱体溶液中添加二甲基亚砜(Dimethyl sulfoxide,DMSO)以及旋涂过程中滴加反溶剂被普遍认为是行之有效的手段,可以大幅提升钙钛矿的结晶质量,获得均匀致密的薄膜。本文通过控制钙钛矿薄膜制备过程中前驱体溶液DMSO和旋涂过程中反溶剂乙醚的添加与否,在大气环境制备了4种不同的薄膜样品,结合扫描电子显微镜、同步辐射掠入射X射线衍射以及器件效率测试等研究了薄膜的表面形貌、结晶性与基于它们制备的器件性能的差异,探究了DMSO和乙醚两种添加剂对钙钛矿成膜的影响、机制及其构效关系。同时,进一步采用同步辐射掠入射X射线衍射研究4种薄膜样品在空气环境下原位加热过程中钙钛矿结晶、退化以及期间晶格结构的演变,发现前驱体溶液中加入DMSO对于钙钛矿结构形成具有延迟作用,而反溶剂乙醚的滴加则对薄膜形貌、结晶、晶面取向乃至器件光电转换效率具有显著的提升,并且其钙钛矿结构具有较好热稳定性。本文的发现将为改善钙钛矿薄膜制备工艺以进一步提升其器件光电转换效率与稳定性提供一定的实验依据。