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脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密度的版图结构使单位面积的有效宽长比与普通结构的MOS管相比提高了一倍。芯片的电源效率可达87%,与以前设计的串联饱和型半导体照明LED恒流驱动芯片[1]相比提高近25%。 相似文献
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介绍了一种LDO型串联大功率白光LED恒流驱动控制器的设计.该电路包括LDO、带隙基准电压源、反馈电路、电流传感取样电路、大功率驱动电路五个部分.芯片采用9 V供电,利用片内集成的LDO电路输出5 V电压,作为控制部分的电源电压.采用台积电0.35μm 2P4M N阱CMOS标准工艺完成设计.Spectre仿真结果表明,当电源电压在±10%之间跳变或环境温度在0℃~100℃之间变化时,芯片可为3 W白光LED提供350 mA恒定驱动电流,误差小于±0.5%,电源利用效率可达76.17%以上. 相似文献
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半导体照明光源恒流驱动芯片的研究 总被引:1,自引:2,他引:1
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。 相似文献
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滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计 总被引:3,自引:1,他引:3
设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5~9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。 相似文献
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精密比例采样模式LED驱动电路设计和研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计研制了一种精密比例采样模式的LED驱动电路,电路通过运算放大器反馈控制使采样MOS管和功率MOS管的三端电位相等,实现采样电流对输出电流的精确传感,达到更好的恒流特性。通过电路的小信号模型分析,得到精密比例采样模式的小信号等效输出电阻远大于传统比例采样模式,同时保证了系统的稳定性。经电路仿真及流片测试,表明当LED驱动电流为350mA,电源电压6V并正负波动10%时,改进的精密比例采样模式LED驱动电路比传统比例采样模式LED驱动电路的恒流特性稳定度提高了41%。 相似文献
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LED恒流驱动电路研究与设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于CSMC 0.5μm BCD工艺给出LED恒流驱动电路.利用MOS管饱和区恒流特性以及电流负反馈结构,给出三种恒流驱动方案.比较三种方案的恒流工作电压,确立最终结构.采用的方案能够有效降低恒流工作电压并实现利用外接电阻控制恒流输出的大小,驱动电流范围为14.5mA到91.5mA.驱动电流可以通过外接PWM数字信号实现输出使能控制,控制响应时间为7ns.可用于LED显示屏.通过Hspice软件进行仿真,5V的电源电压波动±10%时驱动电流波动小于1.85%.环境温度由25℃变化到85℃时驱动电流变化2.14%.外接电压由0V变化到5V,此时的驱动电流变化小于5.5%.当驱动电流为91.5mA时,恒流工作电压仅为0.38V. 相似文献
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设计了一款降压型LED恒流驱动芯片的滞环控制电路.该芯片采用高边电流检测方案,运用滞环电流控制方法对驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均驱动电流.设计采用简单的设计理念实现恒流驱动,不需要复杂的电路分析,能实现精确的电流控制,且自身具有稳定性.芯片采用0.5μm 5V/18V/40V CDMOS工艺研制,电源电压范围为4.5V-28V,工作温度-40℃~125℃,可为LED提供恒定的350mA驱动电流,通过调节外部检测电阻,可调节恒定LED驱动电流.外部提供DIM信号,通过DIM的占空比来调节LED的亮度.Hspice仿真结果显示:LED驱动电流为滞环变化的三角波,恒流精度小于6.2%. 相似文献
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基于HV9910B的LED降压驱动电路设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
LED照明需要稳定、可靠的恒流驱动电路。应用LED驱动芯片HV9910B设计了大功率高亮度LED驱动电路。提出了基于该芯片的设计方案,采用DC/DC降压型拓扑结构,以输出恒定电流的方式驱动LED。重点解析了整个电路的详细设计过程。该电路的输入电压为12 V,可驱动2个1 W的大功率LED发光,驱动电流达350 mA,并具有PWM调光功能。对该设计的测试结果表明,电路的效率可达89.2%,优于大部分同类电路,且电路的PWM调光线性度良好,性能稳定可靠。该电路所需的外围元器件少,电路结构简单,设计方便,广泛适用于通用的LED照明场合。 相似文献
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基于RT8482的大功率LED驱动电路设计 总被引:1,自引:1,他引:0
根据发光二极管的V-I特性,设计了一款基于RT8482芯片的升压恒流大功率LED驱动电路,其输出电压自适应。该电路主要包括输入电源反接保护单元、LED升压恒流驱动单元、PWM数字调光与变阻模拟调光单元、扩流输出单元等,电路同时还具有过压保护、过流保护等功能。测试结果及实际使用表明:该电路在12V输入电压下驱动84w大功率白色LED灯珠阵列时输出电流恒定,其效率可达89.16%,且亮度调节范围宽、精度高,适用于通用与景观照明、汽车照明、室内装饰及电子设备背光等大功率LED照明应用领域。 相似文献
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采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30~130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。 相似文献
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一种反激式LED恒流驱动电路的设计与实现 总被引:1,自引:1,他引:0
设计了一种输出功率达120W的反激式变换LED恒流驱动电路,其输出电压范围为33~37V,可为120只功率为1W的LED管采用10串12并混联方式组成的LED阵列提供驱动电流。对其功率因数校正电路、反激式变换电路、恒流控制电路进行了设计和试制,性能测试表明,其输出恒流效果较好,电流稳定度约2.7%,输出电压纹波低,可用于恒流驱动混联方式组成的多只LED阵列。 相似文献
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根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8V,仿真软件为Hspice。 相似文献
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结合电荷泵型LED驱动器的工作要求,从减小输出电压纹波、稳定输出电压出发,设计了一款误差放大器。该误差放大器具有较大的工作电压范围,使电荷泵型LED驱动器高效率低噪声工作。基于CHRT0.35μm CMOS MIXED SIGNAL TECHNOLOGY进行仿真,结果表明,在2.7~5V工作电压范围内,开环电压增益约等于72dB,相位裕度约等于65°,单位增益带宽约等于4.6MHz,共模抑制比CMRR约等于113dB,电源抑制比PSRR约等于100dB。 相似文献