场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究

本文简叙了场致发射阵列真空荧光平板显示屏的发展概况,分析了这种显示器件的工作原理和驱动方式,并就这种器件的结构和工艺进行了讨论。最后,针对场致发射阵列真空荧光平板显示屏存在的问题,提出了今后改进的措施。     

场致发射显示屏及其产品设计的相关技术

本文全面介绍发场致发射显示屏的研制历史和最新进展；系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。     

三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理，基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题，荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题，在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上，成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

四脚状纳米氧化锌阴极的场致发射显示研究

以高温气相氧化法制备的四脚状纳米氧化锌作为场致发射材料，采用简易的喷涂方法将其制备为场致发射阴极。将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏，并进行了场致发射特性实验，实现了稳定的场致电子发射及全屏点亮。该二极结构的场致发射开启场强为1.5V／μm，当场强为7.5V／μm时，发射电流密度可达3．44μA／cm2。实验结果表明了氧化锌半导体纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料。     

基于AT89S51的场致发射显示器驱动电路研究

介绍了场致电子发射显示器原理,与大多数显示器一样,场致电子发射显示器的整机系统是由显示屏和驱动电路两部分组成,驱动电路主要以单片机、译码器、寄存器等数字芯片组成的,用以实现对矩阵显示的行、列逻辑控制,并给出逻辑电路图。通过倍压整流的方式设计了用以驱动场致电子发射显示器的高压电源电路,最后采用汇编语言实现了对逻辑电路控制的软件设计。     

国外场致发射器件的新构思与进展

本文叙述了国外基于Spindt阴极场致发射器件一些新近的构思与进展。较详细涉及到的这些器件包括:场致发射阵列场效应晶体管、场致发射阴极X波段调谐放大器、微米级真空管、吉赫微波管以及真空荧光平板显示部件。     

场致发射显示屏——乘风破浪会有时

迄今,场致发射显示屏(FED)的主 要目标是4～10英寸级的小型 显示屏领域,最近,简单的平面结构电子源及高达640新烛光/平方米的画面辉度已经实现,激起了厂家进军“壁挂式电视机”之类大画面彩色显示屏的雄心。 在今年5月举行的信息显示学会(SID)会议上,来自法国、德国、美国、日本、俄罗斯及台湾地区等的公司及研究机构,纷纷发表其FED的最新研究成果,内容涉及FED的阴极结构、荧光体材料、驱动方式、显示屏构造、阴极材料及制造工艺等,简直将SID开成了一次FED盛会。     

场离子显示屏—一种新型彩色平板显示屏

场离子显示屏,是一种既能够克服场发射显示屏在存在的困难,实现阴极射线显象管平板化,又能保持ＣＲＴ优良图像质量的新型彩色平板显示屏。本文先介绍场离子发射的原理,然后介绍了ＦＩＤ的结构及工作原理。     

基于计算机仿真的ZnO场致发射显示器的研究

在Spindt结构仿真方法的基础上,将四针状纳米ZnO近似处理成尖锥结构,采用C语言程序编程,求解电位、电场分布、电子运动轨迹及发射电流密度。通过计算机模拟仿真,分析了栅极孔径、栅极电压以及阳极电压等对显示器性能的影响。在理论优化设计指导下,采用丝网印刷制作带孔的介质层,用电泳方法在阴极电极上沉积ZnO发射体,制成孔状金属栅三极结构显示屏。测试了显示器的电子发射调制性能,实验表明采用计算机仿真设计的三极结构ZnO场致发射显示器具有良好的场致发射性能。     

楔形发射体的电子场发射理论

本文提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例；该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算楔形发射体的隧道势垒，然后用Ｎｕｍｅｒｏｖ方法计算其透射系数，最后用到场发射体伏安特性。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

场致电子发射技术分析

本文介绍了发射的机理致发射的几种不同类型的阴极,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点,最后对场致发射的应用进行了分析。     

场发射显示技术研究进展

介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的改进、器件寿命的提高、器件结构的改进以及样机的试制工作等。进而分析了场发射显示技术的发展前景     

利用场发射扫描电镜的低电压高性能进行材料表征

场发射扫描电子显微镜（FESEM）是一种高分辨扫描电镜,在材料分析中得到广泛应用。尤其是良好的低压高空间分辨性能和低压下良好的SE像相互结合使用,使SEM应用范围得到扩展。     

场发射平板显示技术的研究方向

本文介绍显示技术的新发展，场发射显示技术的掘起，场发射技术及真空技术，微显示技术的发展，从崦论述了我国场发射显示技术的研究方向。     

硅场发射三极管的研究

简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的Ｉ－Ｖ特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。     

冷阴极及其应用

本文介绍了场致发射阴极,次级发射阴极,自热式空心阴极,光电发射阴极的新发展,展示了其广阔的应用前景。     

场发射显示器阴极的制备方法及研究现状

目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。     

金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。