E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需要。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制

提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。     

E^2PROM的新应用

介绍了怎样通过硬件和软件的配合实现一片E^2PROM同时兼作程序存储器和数据存储器。     

串行E^2PROM AT24CXX的原理及应用

本文分析了美国爱特梅尔（ＡＴＭＥＬ）公司生产的最新二线式串行ＣＭＯＳＥ＾２ＰＲＯＭ芯片ＡＴ２４Ｃ０１／０２／０４／０８／１６的内部结构性能特点，读写时序，并说明了使用方法。     

一种简单实用的E^2PROM——AT24C01的应用

从实用的角度，详细介绍了串行Ｅ＾２ＰＲＯＭ－ＡＴ２４Ｃ０１的操作时序及其使用方法，并配以实用的读写程序。     

延长E^2PROM使用寿命的一种方法

延长Ｅ￣２ＰＲＯＭ使用寿命的一种方法王永臣，王有发，王秀兰在以单片机为核心的测控装置中，常常需要保留一些数据，要求系统掉电时信息不丢失，通电时又可改写这些数据。此时一般的＊＊Ｈ和＊＊＊ＯＭ就显得无能为力。自从８０年代初Ｅ’ＰＲＯＭ问世后；这个问题才得...     

串行E^2PROM—93C46在微机系统中的应用

本文介绍串行Ｅ＾２ＰＲＯＭ－９３Ｃ４６与８０Ｘ８６系列微机的两种接口方案给出了相应的接口电路和软件流程，探讨了用ＦｏｘＢａｓｅ＋等高级语言访问该芯片的方法，具有一定的实用价值。     

一种逻辑加密卡安全体系的实现

介绍并讨论了一种逻辑加密卡安全体系实现的设计方法，针对加密卡成本较低、使用方便、安全性较好、用途广泛等要求，提出了包括密码认证体系和写保护体系在内的安全系统，给出了密码认证过程的几种模拟结果     

便携式E2PROM读写器的设计

以计算机并行口，结合MAX856，提出了一种便携式的E^2PROM读写器的设计。该设计具有功能丰富、操作方便、硬件电路简单、体积小和成本低的特点。同时在实际的电表控制系统中得到了良好的应用。     

一种3V CMOS音乐集成电路的设计原理

介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设计出一种数字音频程控频率合成器，时钟为ｆ０时，可控频率范围为ｆ０２～ｆ０２Ｎ。     

一种RISC单片机的分块结构寄存器堆

介绍了一种用于ＲＩＳＣ单片机ＰＩＣ１６Ｃ５７的寄存器堆，讨论了为降低功耗所采用的分块结构，详细说明了译码逻辑、ＳＲＡＭ单元、读／写电路和文件选择寄存器等电路的形式及其工作原理     

E2PROM失效故障分析

在计算机的使用中,发现E2PROM芯片出现数据丢失问题,导致计算机无法正常工作。通过对E2PROM的失效分析,其结果表明,故障的原因是芯片失效所致。经试验验证分析,确定该E2PROM器件存在芯片某流片生产批次工艺参数RRPOLY较差,影响上电复位电路的工作状态,造成部分芯片在上电过程中出现数据丢失问题。另外在E²PROM筛选中添加了非易失性测试,发现并解决了E²PROM早期失效问题。验证试验表明该措施的有效性和可行性。     

32位RISC微处理器设计

介绍了一种与Motorola-Mcore兼容的32位RISC结构微处理器核的设计。从该处理器的整体结构的划分,到处理器内部各单元的设计,进行了比较详尽的阐述,最后给出了设计的综合结果,并对该设计进行了软件仿真和硬件验证。     

ADMC401与串行E2PROM的接口设计

介绍了ADMC401高性能电机控制器硬件结构、主要功能特性及其与串行E2PROM接口电路的设计.     

击穿电荷（QBD：监测E^2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ＾２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ〉５Ｃ／ｃｍ＾２时可获得高质量的Ｅ＾２ＰＲＯＭ电路，擦／写次数可超过１００万次。     

I2C-BUS监控E2PROM器件CAT24C021及应用

CAT24C021是美国CATALYST公司生产的电源监控复位器件，它将串行E^2PROM、监控复位电路、看门狗定时器集成在一体，采用该芯片可有效简化微控制器系统的设计。文中介绍了CAT24C021的功能和实际接口电路及其在应用中的注意事项。