一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究

本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

一种简化的E~2PROM存储管I—V模型

提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。     

击穿电荷（QBD：监测E^2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ＾２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时给同了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ〉５Ｃ／ｃｍ＾２时可获得高质量的Ｅ＾２ＰＲＯＭ电路，擦／写次数可超过１００万次。     

串行E^2PROMX2444在微机中的应用

本文介绍了Ｅ＾２ＰＲＯＭＸ２４４４的内部结构，管脚功能和工作原理，并详细阐述了典型应用电路。     

RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

X5045可编程看门狗监控E^2PROM的应用

本文介绍了可编程看门狗监控Ｅ＾２ＰＲＯＭ芯片Ｘ５０４５的功能介绍及使用技巧，并附带了相关Ｃ代码源程序。     

串行E^2PROM AT24CXX的原理及应用

本文分析了美国爱特梅尔（ＡＴＭＥＬ）公司生产的最新二线式串行ＣＭＯＳＥ＾２ＰＲＯＭ芯片ＡＴ２４Ｃ０１／０２／０４／０８／１６的内部结构性能特点，读写时序，并说明了使用方法。     

E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需要。     

A 16K E/SUP 2/PROM using E/SUP 2/ element redundancy

A new LSI memory redundancy technique using E/SUP 2/PROM cells as the programmable element has been developed. Yield enhancement with this technique has been demonstrated using two redundant rows on a 16K E/SUP 2/PROM chip. This paper describes the structure and operation of the circuit blocks used, and how these circuits interface with the memory chip to produce the observed yield enhancement. The method for programming the redundancy elements is described, along with circuit advantages and capabilities unique to E/SUP 2/PROM redundancy. Device performance and yield enhancement for the 16K E/SUP 2/PROM are summarized.     

E~2PROM擦/写特性的PCM研究

使用薄隧道氧化层浮栅器件逐渐成为在电可擦除稳定的存储器中一个标准[1]，根据E~2PROM工艺特点，本文着重分析了E／W后学元开启电压和E／W时间。E／W电压、隧道扎面积的关系。给出了开发和研究E~2ROM器件模型的工艺评价用PCM及常规用PCM的测试结果，为E~2PROM的工艺开发和实现提供有力的帮助。根据浮栅E~2PROM的物理模型[2]，建立了存储单元的阈值电压模型，利用该模型研究了存储单元E／W后同值电压与物理尺寸、E／W电压、E／W时间的关系。通过对这一关系更深入的认识，一方面在单元设计上有利于了解不同类型的E~2PROM，为减小器件尺寸以及今后开发业微米的设计规则作准备；另一方面，在工艺上建立一个准确的单元添件参数模型，得到各层次各关键工序的工艺评价参数，为制造高性能高可靠性的存储单元打下坚实基础。     

ROM在数字电路设计中的应用

介绍了E^2PROM的工作特性以及用E^2PROM设计数字电子电路的方法。     

An enhanced 16K E/SUP 2/PROM

An enhanced 16K E/SUP 2/PROM is described. It makes the E/SUP 2/PROM to microprocessor interface simple to implement. It frees up the system bus during e/SUP 2/PROM programming by latching addresses, data, and all control signals on chip. It provides minimum ERASE/WRITE, time via a novel feedback subsystem that monitors the amount of charge on the floating gate of the cell and signals to the system by the READY/BUSY output pin when enough charge has been added to or removed from the gate. With an external V/SUB pp/ voltage fixed supply, the E/SUP 2/PROM generates its own RC ramp during ERASE/WRITE, increasing the endurance of the storage cell. On-chip control circuitry provides ERASE before WRITE, making writing appear as a single step to the user.     

电视机上I2C通信的E2PROM设计稳健性应用研究

在电视机中,E2PROM常用于保存系统关键数据和用户数据,其工作的可靠性对电视系统非常重要.针对I2C接口的E2PROM在电视机上的应用,从硬件、软件两方面系统介绍了提高设计稳健性的关键技术.     

I~2C串行通信E~2PROM在电视产品中的设计应用

E2PROM保存大量的工作数据,是彩电系统的核心器件.分析E2PROM AT24CXX数据丢失以及物理损坏原因,提出E2PROM在彩电产品设计与应用中的软、硬件的改善方法,进而保证产品的可靠性.     

便携式E2PROM读写器的设计

以计算机并行口，结合MAX856，提出了一种便携式的E^2PROM读写器的设计。该设计具有功能丰富、操作方便、硬件电路简单、体积小和成本低的特点。同时在实际的电表控制系统中得到了良好的应用。     

A 256-kbit flash E/SUP 2/PROM using triple-polysilicon technology

A high-density 256-kb flash electrically erasable PROM (E/SUP 2/PROM) with a single transistor per bit has been developed by utilizing triple-polysilicon technology. As a result of achieving a novel compact cell that is as small as 8/spl times/8 /spl mu/m/SUP 2/, even with relatively conservative 2.0-/spl mu/m design rules, a small die size of 5.69/spl times/5.78 mm/SUP 2/ is realized. This flash E/SUP 2/PROM is fully pin-compatible with a 256-kb UV-EPROM without increasing the number of input pins for erasing by introducing a novel programming and erasing scheme. Programming time is as fast as 200 /spl mu/s/byte and erasing time is less than 100 ms per chip. A typical access time of 90 ns is achieved by using sense-amplifier circuitry.     

一种逻辑加密卡安全体系的实现

介绍并讨论了一种逻辑加密卡安全体系实现的设计方法，针对加密卡成本较低、使用方便、安全性较好、用途广泛等要求，提出了包括密码认证体系和写保护体系在内的安全系统，给出了密码认证过程的几种模拟结果     

A 40 ns CMOS E/SUP 2/PROM

New high-performance CMOS circuit techniques have been developed and used to build an 8K E/SUP 2/PROM with an access time of 38 ns at 5 V. Using standard CMOS/SOS technology, the device dissipates only 0.8 mW quiescent power at 5 V and 60 mW at 1 MHz. A midpoint precharge and sense technique permits operation form a supply voltage of 4-12 V.