熔渗法制造铜钨系触头中熔渗时间的确定

本文从理论上推导出了熔渗法制造铜钨系触头时熔渗时间和毛坯高度之间的关系ｈ＝ｋｔ＾１／２,并以ＣｕＷ７０为例具体说明了用实验来确定ｈ＝ｋｔ＾１／２中系数ｋ的方法。     

铜铬真空触头的烧结法制造工艺

本文较详细地介绍了真空断路器用CuCr50触头材料的混粉烧结法制备工艺，包括原料Cu粉和Cr粉的选取，原材料的预处理及与含氧量的关系，压制压力对相对密度的影响等。     

熔渗法生产CuCr50触头表面黑点现象探究

1　前言在熔渗法生产 Cu Cr5 0触头中经常会出现触头经车床精车后 ,在自然光下观察表面会出现较多像针眼大的黑点 ,在 1 0 0倍显微镜下观察实际这些黑点为 6 0～ 1 40 μm的凹坑 ,而这些凹坑在金相中也会被发现为气孔 ,因为它们在整个触头基体中是随机分布的 ,容易导致金相不合格 ( >1 0 0μm气孔 ) ,这些凹坑或气孔的存在必然会影响真空断路器的开断能力和寿命。此现象必须在触头精车后 ,较好的光线下才能发现。目前行业内有些厂家生产的触头表面加工较粗糙不易发现 ,但用户经精加工后检查时常会发现此现象。本文针对此现象 ,通过实验进行…     

影响铜铬触头材料耐压特性的因素

本文研究了Cr粉晶体状态、Cr粉尺寸、Cr粉含量以及添加元素对真空灭弧室铜铬触头材料耐压特性的影响,找出了改善固相烧结法制备的铜铬触头材料耐压特性的方法。     

钨粉粒径对熔渗法制备的CuW触头材料硬度的影响

本文研究了钨粉粒径对熔渗法制备CuW触头材料硬度的影响。结果表明：钨粉粒径过大时,会降低CuW触头材料的硬度;钨粉粒径过细小时,易在CuW触头材料中产生铜的富集;钨粉粒径5－7μm比较合适。     

H2气氛熔渗CuW触头材料性能的研究

重点研究了H2气氛熔渗方法制造的高压开关Cuw触头材料的物理机械性能,分析了影响材料性能的因素。测试了材料的密度、硬度、电导率、抗弯强度、抗拉强度、延伸率和冲击韧性,结果显示：H2气氛熔渗Cuw触头材料具有良好的物理机械性能,符合GB／T8320、ASTM B702标准和用户对Cuw触头的性能要求。特别是Cuw70合金具有较好的综合性能,能够满足高压开关GIS的技术要求。金相组织分析和对断口形貌的扫描电镜分析发现,H2气氛熔渗的Cuw触头材料金相组织均匀致密、孔隙少、无夹杂物,W颗粒大小分布均匀并被Cu均匀包覆。相对密度高、金相组织均匀、孔隙少、无夹杂物是H2气氛熔渗Cuw触头材料性能良好的主要原因。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

钼铜真空开关触头材料渗铜工艺的优化

采用粉末冶金法压制、烧结和熔渗工艺制备钼铜真空开关触头材料,时而会出现钼基体表面氧化黄斑点和渗铜分布不均或钼晶粒间铜相填充不均现象。为了提高钼渗铜工艺效果,在常规钼渗铜工艺基础上,低温熔渗增加一段还原温度、时间梯度段。结果表明,通过优化改进钼渗铜工艺后,钼铜触头产品质量得到了有效控制。     

不同粉末冶金工艺制造的CuCr触头的微观组织差异及对电性能的影响

评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比，烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能，更低的截流值和更好的吸放气性能，但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。     

两种铜基触头材料的电弧侵蚀性能研究

电接触材料在工作过程中会受到机械磨损、环境腐蚀及电弧侵蚀,其中,电弧侵蚀对电接触材料影响最大,它是影响接触材料的电寿命和可靠性的最重要因素。笔者对采用熔渗法制备的CuCr50与电弧法制备的CuCr45电接触材料分别进行DC 50 V,20、30、40、50 A的电接触试验,并通过扫描电镜观察材料在电弧侵蚀后的形貌,对这两种材料在直流、阻性负载条件下的电弧侵蚀特征进行对比研究。结果表明,CuCr45与CurCr50在DC 50 V,20、30、40、50 A条件下,材料都由阳极向阴极转移;之后归纳出电弧侵蚀后两种材料的表面形貌特征,最后分析了两种材料的燃弧能量与熔焊力。     

EFFECTS OF DEPOSITION PARAMETERS AND FILM THICKNESS ON THE PHASES AND ELECTRICAL PROPERTIES OF Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 THIN FILMS MADE BY MOCVD USING ULTRASONIC NEBULIZATION

ABSTRACT

PMN thin films were deposited by MOCVD using ultrasonic nebulization and the effects of deposition parameters and film thickness on the phases and electrical properties of the PMN films were investigated. The low deposition temperature and RTA treatment were favorable to deposit the PMN films with a low content of pyrochlore phase. Excess Mg enhanced the formation of perovskite phase of PMN films also. As the film thickness was increased, the portion of pyrochlore phase in PMN films was decreased. The dielectric constant of PMN films increased with the film thickness and showed the value of 25–230.