光电耦合器电流传输比的噪声表征

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.     

光电耦合器电流传输比衰变分析

文章在理论和实验的基础上 ,对光电耦合器的电流传输比衰变的原因进行了全面的分析 ,并建立了数学模型 ,为可靠地应用光电耦合器件提供了工程设计的依据。     

光电耦合器传输比衰变分析

文章在理论和实验的基础上，对光电耦合器的电流以传输比衰变的原因进行了全面的分析，并建立了数学模型，为可靠地应用光电耦合器提供了工程设计的依据。     

辐照条件下光电耦合器的电流传输比模型

研究了辐照对光电耦合器各组成部分光电参数影响的机理,建立了光电耦合器在辐照条件下的电流传输比(CTR)模型.研究结果表明,辐照在发光二极管(LED)中引入界面态陷阱,产生非辐射复合,使LED的输出光功率下降;辐照改变了光敏二极管的少数载流子扩散长度,使光照产生的等效载流子数减少,进而使同样光照下的光电流减少;辐照在晶体管基极引入表面态陷阱,使基极复合电流增加,晶体管增益下降,从而使光电耦合器CTR下降.实验结果验证了所得理论模型的正确性.     

双路高速高增益光电耦合器

本文叙述了双路高速高增益光电耦合器的元件选择、结构、工作原理、基本特性和应用。     

光电耦合器总剂量辐照的噪声表征

 本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1/f噪声理论的基础上,分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性,建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型.研究结果表明,随着辐照总剂量增强, LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多,载流子数涨落增强,从而使电压噪声功率谱密度增加.实验结果验证理论分析的正确性,电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量.     

线性光电耦合器在开关电源中的应用

线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件,文中介绍了其性能特点,产品分类,以及它在单片开关电源中的应用。     

混合集成光电耦合器噪声特性研究

光电耦合器件作为光电混合器件比一般分立器件结构复杂，其内部噪声的种类较多，在低频时主要表现为1/f噪声，高频时主要表现为散粒噪声。本文在介绍光电耦合器件工作原理的基础上，从理论上分析了1/f噪声产生机理。设计了噪声测量方法，并通过对其测量结果分析，深入研究了噪声和光电耦合器质量与可靠性的关系。     

光电耦合器辐照损伤的噪声检测

分析了光电耦合器辐照噪声特性,提出了光电耦合器辐照噪声的检测方法,搭建了光电耦合器噪声测试电路.实验结果表明,噪声参量比电参量更能灵敏真实地反映光电耦合器的辐照损伤程度.     

光电耦合器电离辐射损伤噪声相关性模型

在总结光电耦合器噪声产生机制的基础上,建立光电耦合器电离辐射损伤1/f噪声相关性模型,并通过辐照实验验证了模型的正确性。该模型全面分析了光电耦合器的电离辐射损伤,为噪声参量用于光电耦合器电离辐射损伤表征提供了理论依据。     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g-r（产生-复合）噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律．通过测量前级噪声和后级噪声，发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管．基于载流子数涨落机制，建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型．实验结果和本文模型符合良好．     

噪声测量作为筛选光电耦合器件的一种方法

本文针对目前用于光电耦合器件筛选方法的不足，提出了用测量耦合器件噪声功率谱的方法来筛选掉噪声值大的器件，给出一批光电耦合器件的测量统计结果及在不同工作点时的噪声功率谱，并给出相应的筛选标准，实验结果表明，这种方法是有效、可行的。     

基于低频电噪声的光电耦合器可靠性筛选方法研究

低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。     

GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管（IRLED）的低频噪声,发现1／f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1／f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明．低电流区GaAlAs IRLED的1／f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1／f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1／厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。     

基于低频噪声检测光耦器件可靠性的频域筛选方法?

针对光耦器件可靠性筛选,提出全频段阈值筛选方法检测光耦器件内部低频噪声。根据光耦器件内部的低频噪声完成光耦器件可靠性的筛选。实验中利用光耦器件测试系统检测200只光耦器件内部的低频噪声,计算这200只光耦器件全频段平均噪声谱,确定筛选的阈值,再根据光耦器件可靠性分类标准,判断被测器件可靠性等级。     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.     

光电耦合器件低频噪声特性与可靠性老化研究

在宽的输入偏置电流范围条件下,开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明,光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声,并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律,这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后,高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大,这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后,整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大,说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量,低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。     

测量噪声功率谱作为筛选光电耦合器件的方法研究（Ⅱ）

在文献「１」中作者曾提出用测量光电耦合器件噪声功能率谱的方法,筛选光电耦合器件。此 根据低频噪声的幅值。但在实验中发现,由于１／ｆ、ｇ－ｒ和爆裂噪声三者之间相关性较弱,在剔除掉１／ｆ噪声值较大的器件后,ｇ－ｒ噪声和爆裂噪声较大的器件却可能未被易除。